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数据表
μ
PA2736GR
P沟道MOSFET
-30 V， -14 ， 7.0毫欧
描述
该
μ
PA2736GR是P沟道MOS场效应晶体管设计的DC / DC转换器和电源管理
便携式设备的应用程序。
R07DS0868EJ0100
Rev.1.00
2012年8月28日
特点
V
DSS
=
30
V （T
A
= 25°C)
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 7.0 mΩ以下。 （V
GS
=
10
V，I
D
=
14
A)
4.5 V栅极驱动器可用
小型表面贴装封装（ SOP8电）
无铅和无卤素
电源SOP8
订购信息
产品型号
μ
PA2736GR-E1-AT
μ
PA2736GR-E2-AT
铅电镀
纯锡
填料
带2500 P /卷
包
电源SOP8
0.08克TYP 。
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
1
总功耗
2
总功率耗散（ PW = 10秒）
2
通道温度
储存温度
单雪崩电流
3
单雪崩能量
3
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
评级
30
m20
m14
m140
1.1
2.5
150
55
to
+150
14
19.6
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
热阻
通道到环境的热阻
2
R
第（章-a）的
114
° C / W
注意事项：
1. PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.安装在25.4毫米的玻璃环氧树脂板X 25.4毫米×0.8万吨
3.起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
=
15
V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
=
20 →
0 V，L = 100
μ
H
R07DS0868EJ0100 Rev.1.00
2012年8月28日
第1页6
μ
PA2736GR
电气特性（T
A
= 25°C)
项
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
1
正向转移导纳
漏极至源极导通状态
1
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
1
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：1，脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
=
20 →
0 V
I
D
V
DD
50
Ω
L
V
DD
PG 。
BV
DSS
V
DS
V
GS
()
0
τ
起始物为
ch
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
V
DS
电波表
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
分钟。
典型值。
马克斯。
1
m100
2.5
单位
μ
A
nA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试条件
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
m20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
10
V，I
D
=
1
mA
V
DS
=
10
V，I
D
=
7
A
V
GS
=
10
V，I
D
=
14
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
14
A
V
DS
=
10
V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
=
15
V，I
D
=
7
A,
V
GS
=
10
V,
R
G
= 10
Ω
V
DD
=
24
V,
V
GS
=
10
V,
I
D
=
14
A
I
F
= 14 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 14 A，V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
1.0
6
5.8
9.2
3400
1600
1450
30
45
100
100
80
5
40
0.84
55
70
7.0
13.5
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
R
G
V
DD
V
DS
()
90%
10% 10%
90%
V
GS
()
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
I
AS
V
DS
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
=
2
mA
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
R07DS0868EJ0100 Rev.1.00
2012年8月28日
第2 6
μ
PA2736GR
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置安全的降额因子
工作区
140
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
I
D
- 漏电流 - 一个
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
-1000
I
D（脉冲）
= –140 A
100毫秒
30毫秒
PW
=
10
0
正向偏置安全工作区
-100
-10
I
D（ DC）的
= –14 A
10
n)
Li
m
ITE -1
0 d
V)
s
m
s
s
1m
μ
D
-1
-0.1
单脉冲
LIM
ITE
T
A
= 25°C
d
安装在玻璃环氧树脂板
25.4毫米X 25.4毫米×0.8万吨
-0.01
-0.01
(V
G
Po
we
rD
S(
o
国际空间站
IPA
TIO
n
R
S
D
=
C
-0.1
-1
-10
-100
T
A
- 环境温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
R
第（章-a）的
= 114 ° C / W
100
10
1
0.1
R
第（章-a）的
* MOUNTED
在玻璃环氧树脂板
25.4毫米X 25.4毫米×0.8万吨
单脉冲
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
0.01
100
μ
PW - 脉冲宽度 - S
漏电流与
漏源极电压
-150
V
GS
= –10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
正向传递特性
-100
-10
-100
I
D
- 漏电流 - 一个
-1
-0.1
-0.01
-0.001
T
A
= 150°C
75°C
25°C
–55°C
-50
–4.5 V
脉冲
-0
-0
-0.5
-1
-1.5
-0
-1
-2
脉冲
V
DS
= –10 V
-3
-4
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R07DS0868EJ0100 Rev.1.00
2012年8月28日
第3页6
μ
PA2736GR
门源截止电压主场迎战
通道温度
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
-3
远期转移导纳主场迎战漏
当前
100
-2
10
T
A
= 150°C
75°C
25°C
–55°C
-1
脉冲
V
DS
= –10 V
I
D
= -1毫安
-0
-50
0
50
100
150
1
脉冲
V
DS
= –10 V
0.1
-0.01
-0.1
-1
-10
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
20
脉冲
16
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
30
25
20
15
10
5
0
-0
-5
-10
-15
-20
脉冲
I
D
= –14 A
12
V
GS
= –4.5
8
–10 V
4
0
-1
-10
-100
-1000
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
15
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
脉冲
I
D
= –14 A
V
GS
= –4.5 V
10
电容与漏源极电压
10000
C
国际空间站
C
OSS
1000
C
RSS
5
V
GS
= –10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
100
-0.1
-1
-10
-100
0
-50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
R07DS0868EJ0100 Rev.1.00
2012年8月28日
第4 6
μ
PA2736GR
动态输入/输出特性
-25
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
DS
-20
V
DD
= –24 V
–12 V
–6 V
-10
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
源极到漏极二极管的正向电压
1000
-8
V
GS
= –10 V
100
–4.5 V
0V
10
-15
V
GS
-10
-6
-4
-5
I
D
= –14 A
-0
0
20
40
60
80
-2
脉冲
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-0
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
R07DS0868EJ0100 Rev.1.00
2012年8月28日
分页： 5 6
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    UPA2736GR
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