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数据表

MOS场效应

PA2730TP

开关

P沟道功率MOS FET

描述

该

PA2730TP其具有散热器是P沟道

MOS场效应晶体管设计的电源管理

笔记本电脑和锂离子电池的应用

保护电路。

1.49 ±0.21

1.44 TYP 。

封装图（单位：mm ）

1, 2, 3

;源

;门

5 ，6，7 ，8，9 ;漏

特点

低通态电阻

DS(on)1

= 7.0 mΩ以下。（V

= -10 V，I

= –7.5 A)

DS(on)2

= 10.5 mΩ以下。（V

= -4.5 V，I

= –7.5 A)

DS(on)3

= 12.0 mΩ以下。（V

= -4.0 V，I

= –7.5 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 4670 pF的典型。

小型表面贴装封装（电力HSOP8 ）

5.2

+0.17

–0.2

0.8 ±0.2

+0.10

–0.05

6.0 ±0.3

4.4 ±0.15

0.05 ±0.05

0.15

1.27 TYP 。

0.40

+0.10

–0.05

0.10 S

0.12 M

1.1 ±0.2

2.9 MAX 。

订购信息

产品型号

包

电力HSOP8

2.0 ±0.2

4.1最大。

PA2730TP

绝对最大额定值（T

= 25 ℃，除非另有说明，所有端子连接。）

漏源极电压（V

= 0 V)

门源电压（V

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

= 25°C)

Note1

漏电流（ DC ）

Note2

漏电流（脉冲）

总功率耗散（T

= 25°C)

Note1

总功率耗散（T

= 25°C)

通道温度

储存温度

Note3

单雪崩电流

Note3

单雪崩能量

DSS

GSS

D(DC)1

D(DC)2

D（脉冲）

英镑

m20

m42

m20

m120

150

到+ 150

22.5

°C

等效电路

漏

门

体

二极管

来源

注意事项1 。

安装在玻璃环氧基板（ 1英寸× 1英寸× 0.8mm）的， PW = 10秒

≤

S，占空比

≤

起始物为

= 25 ° C，V

= ± 15 V ，R

= 25

L = 100

H，V

= –20

→

0 V

备注

强电场，当暴露于该装置中，可引起栅氧化层的破坏，并最终

影响设备的运行。因此必须采取措施来停止产生静电之多

可能，并迅速消散了一次，已经发生时。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子的销售查询

代表性的产品供应及其他信息。

文档编号

G15983EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2002年11月NS CP （ K）

日本印刷

2002

PA2730TP

电气特性（T

= 25 ℃，除非另有说明，所有端子连接。）

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

| y

DS(on)1

DS(on)2

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

F（ S- D）的

–

24 V

–

10 V

= 15 A

= 15 A，V

= 0 V

= 15 A，V

= 0 V

的di / dt = 100 A /

测试条件

–

30 V, V

= 0 V

20 V, V

= 0 V

–

10 V，I

–

1毫安

–

10 V，I

–

7.5 A

–

10 V，I

–

7.5 A

–

4.5 V，I

–

7.5 A

–

4.0 V，I

–

7.5 A

–

10 V

= 0 V

F = 1 MHz的

–

15 V，I

–

7.5 A

–

10 V

= 10

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

–

100

–

1.0

5.7

7.7

8.8

4670

1220

760

190

110

0.81

7.0

10.5

12.0

–

2.5

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

= 25

PG 。

20 →

0 V

测试电路2开关时间

D.U.T.

PG 。

GS （ - ）

DS （ - ）

90%

10%

电波表

10%

90%

DSS

GS （ - ）

电波表

D（上）

= 1

占空比

≤

D（关闭）

关闭

起始物为

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

PG 。

数据表G15983EJ1V0DS

PA2730TP

典型特征（T

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

120

总功耗对比

环境温度

- 总功耗 - W

安装在玻璃环氧基板

（1英寸×1英寸× 0.8mm）的

= 25°C ， PW = 10秒，单脉冲

100

125

150

175

3.5

2.5

1.5

0.5

100

125

150

175

- 环境温度 -

°C

- 环境温度 -

°C

正向偏置安全工作区

- 1000

DS （ ON）

有限

（在V

D（脉冲）

- 漏电流 - 一个

- 100

D（ DC）的

PW =

100

- 10

-1

- 0.1

1毫秒

10毫秒

功耗

有限

安装在玻璃环氧基板

（1英寸×1英寸× 0.8米米）

= 25 ℃，单脉冲

100毫秒

10 s

- 0.01

- 0.1

-1

- 10

- 100

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

单脉冲

第（章-a）的

= 89.3 ° C / W

100

TH（ CH-C ）

= 3.13 ° C / W

0.1

备注

第（章-a）的

：安装在玻璃环氧基板

（1英寸×1英寸× 0.8mm）的，T

= 25°C

TH（ CH-C ）

: T

= 25°C

0.01

100

10 m

100 m

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表G15983EJ1V0DS

PA2730TP

漏电流与

漏源极电压

- 120

- 100

4.5

4.0

- 80

- 60

- 40

- 20

脉冲

-1

-2

-3

正向传递特性

- 1000

- 漏电流 - 一个

- 100

= 150°C

75°C

25°C

55°C

- 10

-1

- 0.1

脉冲

- 0.01

-1

-2

-3

-4

-5

- 漏极至源极电压 - V

- 栅极至源极电压 - V

GATE截止电压主场迎战

通道温度

-3

正向转移导纳主场迎战

漏电流

| y

| - 正向转移导纳 - S

100

55°C

25°C

75°C

150°C

GS （ OFF ）

- 栅极截止电压 - V

- 2.5

-2

- 1.5

-1

- 0.5

-50

M A

脉冲

0.1

- 0.1

-1

- 10

- 100

100

150

- 通道温度 -

°C

- 漏电流 - 一个

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

脉冲

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

7.5

脉冲

4.0

4.5

- 0.1

-5

- 10

- 15

- 20

-1

- 10

- 100

- 漏电流 - 一个

- 栅极至源极电压 - V

数据表G15983EJ1V0DS

PA2730TP

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

7.5

脉冲

= -4.0 V

4.5

电容与漏源极电压

10000

为s

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

OSS

1000

RS s

100

= 0 V

F = 1 MHz的

- 0 .0 1

- 0 .1

-1

- 10

- 100

-50

100

150

- 通道温度 - C

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

1000

动态输入/输出特性

-3 0

-1 5

- 漏极至源极电压 - V

D（关闭）

100

-2 0

D D

6 V

-1 0

D（上）

D D

的s

= 10

-1 0

-5

- 0.1

-1

- 10

- 100

10 0

- 漏电流 - 一个

- 栅极电荷 - 数控

源极到漏极二极管

正向电压

1000

脉冲

100

的s

1000

反向恢复时间对比

二极管的正向电流

的di / dt = 100 A / μs的

= 0 V

- 反向恢复时间 - NS

- 二极管正向电流 - 一个

100

0.1

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

100

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

- 二极管前页电流 - 一个

数据表G15983EJ1V0DS

- 栅极至源极电压 - V

D（上）

, t

D（关闭）

, t

- 开关时间 - NS