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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第39页 > UPA2716GR
数据表
MOS场效应
PA2716GR
开关
P沟道功率MOS FET
描述
该
PA2716GR是P沟道的MOS场效应晶体管
专为笔记本电脑的电源管理应用
电脑和锂离子电池保护电路。
封装图（单位：mm ）
8
5
1, 2, 3
资料来源：
4
：门
5 ，6，7 ，8：漏
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 7.0 mΩ以下。 （V
GS
= -10 V，I
D
= –7.0 A)
R
DS(on)2
= 11.3 mΩ以下。 （V
GS
= -4.5 V，I
D
= –7.0 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 3000 pF的典型。
内置栅极保护二极管
小型表面贴装封装（ SOP8电）
1
4
5.37最大。
+0.10
–0.05
6.0 ±0.3
4.4
0.8
1.8 MAX 。
1.44
0.05分钟。
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
0.15
0.5 ±0.2
0.10
1.27 0.78最大。
0.40
+0.10
–0.05
0.12 M
PA2716GR
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接。 ）
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
Note3
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
–30
m20
m14
m140
2
2
150
-55到+ 150
–14
19.6
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
门
保护
二极管
来源
门
漏
等效电路
总功耗
总功耗
通道温度
储存温度
体
二极管
单雪崩电流
单雪崩能量
注意事项1 。
2.
3.
4.
Note4
Note4
I
AS
E
AS
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
安装于1200毫米的陶瓷基片
2
X 2.2毫米
安装在25.4毫米× 25.4毫米×0.8毫米的玻璃环氧树脂板， PW = 10秒
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= ± 15 V ，R
G
= 25
,
L = 100
H，V
GS
= –20
→
0 V
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件G16827EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2004年7月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2004
PA2716GR
电气特性（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接。 ）
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
记
记
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
测试条件
V
DS
=
–
30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
m
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
–
10 V，I
D
=
–
1毫安
V
DS
=
–
10 V，I
D
=
–
7.0 A
V
GS
=
–
10 V，I
D
=
–
7.0 A
V
GS
=
–
4.5 V，I
D
=
–
7.0 A
V
GS
=
–
4.0 V，I
D
=
–
7.0 A
V
DS
=
–
10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
=
–
15 V，I
D
=
–
7.0 A
V
GS
=
–
10 V
R
G
= 10
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
–
1
m
10
–
1.0
10
5.5
7.3
8.3
3000
960
500
14
19
680
340
7.0
11.3
13.5
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
–
2.5
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
记
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
=
–
24 V
V
GS
=
–
10 V
I
D
=
–
14 A
I
F
= 14 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 14 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 50A /
s
95
11
25
0.83
380
690
记
脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
=
20 →
0 V
I
D
V
DD
50
L
V
DD
PG 。
BV
DSS
V
DS
V
GS
()
0
τ
起始物为
ch
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
电波表
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
R
G
V
DD
V
DS
()
90%
10% 10%
90%
V
GS
()
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
I
AS
V
DS
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
=
2
mA
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表G16827EJ2V0DS
PA2716GR
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
2.8
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
安装在陶瓷
基材
1200 mm
2
X 2.2毫米
总功耗对比
环境温度
-1000
-100
-10
DC
R
DS （ ON）
有限
（在V
GS
= 10 V)
I
D（ DC）的
1毫秒
10毫秒
I
D（脉冲）
PW = 100
s
I
D
- 漏电流 - 一个
-1
-0.1
功耗有限公司
T
A
= 25°C
单脉冲
安装在陶瓷基板
1200 mm
2
X 2.2毫米
100毫秒
-0.01
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
th(ch-A)2
100
R
th(ch-A)1
10
1
单脉冲，T
A
= 25°C
R
th(ch-A)1
：安装在1200毫米陶瓷基板
2
X 2.2毫米
R
th(ch-A)2
：安装在25.4毫米的玻璃环氧树脂板X 25.4毫米X 0.8毫米
0.1
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G16827EJ2V0DS
3
PA2716GR
漏电流与
漏源极电压
-150
脉冲
-125
I
D
- 漏电流 - 一个
-100
-75
4
V
-50
-25
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
-2.5
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
-50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 -
°C
漏极至源极导通电阻与
漏电流
30
脉冲
25
20
15
10
5
0
-1
-10
-100
-1000
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
=
10
V
4.5
V
4
V
V
DS
=
10
V
I
D
=
1
mA
100
T
A
= 150°C
75°C
25°C
40°C
V
GS
=
10
V
4.5
V
I
D
- 漏电流 - 一个
-100
-10
-1
-0.1
-0.01
0
-1
-2
-3
-4
-5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
-1000
V
DS
=
10
V
脉冲
T
A
= 150°C
75°C
25°C
40°C
正向传递特性
10
1
V
DS
=
10
V
脉冲
0.1
-0.1
-1
-10
-100
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
15
I
D
=
7
A
脉冲
10
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
5
0
0
-5
-10
-15
-20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表G16827EJ2V0DS
PA2716GR
漏极至源极导通电阻与
通道温度
20
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
I
D
=
7
A
脉冲
15
V
GS
=
4
V
4.5
V
10
V
电容与漏源极电压
10000
C
国际空间站
1000
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
C
OSS
C
RSS
10
100
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
10
-0.1
-1
-10
-100
5
0
-50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 - C
开关特性
10000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
动态输入/输出特性
-30
I
D
=
14
A
V
DD
=
24
V
15
V
6
V
t
D（关闭）
-15
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
1000
-20
-10
t
f
100
t
r
10
t
D（上）
V
DD
=
15
V
V
GS
=
10
V
R
G
= 10
-10
-100
-10
V
GS
V
DS
0
-5
1
-0.1
-1
0
20
40
60
80
0
100
I
D
- 漏电流 - 一个
源极到漏极二极管
正向电压
1000
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
100
10
1
0.1
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
V
GS
=
10
V
0V
脉冲
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
1000
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
100
V
GS
= 0 V
的di / dt = 50A / μs的
10
0.1
1
10
100
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
数据表G16827EJ2V0DS
5
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    UPA2716GR
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