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数据表

MOS场效应

PA2712GR

开关

P沟道功率MOS FET

描述

该

PA2712GR是P沟道的MOS场效应晶体管

专为笔记本电脑的电源管理应用

电脑和锂离子电池保护电路。

封装图（单位：mm ）

8

5

1, 2, 3

;源

4

;门

5，6， 7，8 ;漏

1.8 MAX 。

低通态电阻

R

DS(on)1

= 13 mΩ以下。（V

GS

=

10 V，I

D

=

5.0 A)

R

DS(on)2

= 21 mΩ以下。（V

GS

=

4.5 V，I

D

=

5.0 A)

R

DS(on)3

= 26 mΩ以下。（V

GS

=

4.0 V，I

D

=

5.0 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 2000 pF的典型。

小型表面贴装封装（ SOP8电）

特点

1

4

5.37最大。

+0.10

–0.05

6.0 ±0.3

4.4

0.8

1.44

0.15

0.05分钟。

订购信息

产品型号

包

电源SOP8

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78最大。

0.40

+0.10

–0.05

0.12 M

PA2712GR

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

Note3

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T1

P

T2

T

ch

T

英镑

30

V

A

W

°C

A

mJ

来源

门

体

二极管

m20

m10

m40

2

150

55 150

10

等效电路

漏

总功耗

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

注意事项1 。

2.

3.

4.

备注

Note4

I

AS

E

AS

10

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

2

装在1200毫米× 2.2毫米陶瓷基板

安装在玻璃环氧基板（ 1英寸× 1英寸× 0.8mm）的， PW = 10秒

起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

=

15 V ，R

G

= 25

,

L = 100

H，V

GS

=

20

→

0 V

强电场，当暴露于该装置中，可引起栅氧化层的破坏，并最终

影响设备的运行。因此必须采取措施来停止产生静电尽可能地，

并迅速消散一次，发生时。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子的销售查询

代表性的产品供应及其他信息。

文档编号

G15980EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2002年11月NS CP （ K）

日本印刷

商标

!

表示主要修改点。

2002

PA2712GR

电气特性（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

=

24

V

GS

=

10

V

I

D

= 10 A

I

F

= 10 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 10 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

测试条件

V

DS

=

30

V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

m

20 V, V

DS

= 0 V

V

DS

=

10

V，I

D

=

1

mA

V

DS

=

10

V，I

D

=

5.0

A

V

GS

=

10

V，I

D

=

5.0

A

V

GS

=

4.5

V，I

D

=

5.0

A

V

GS

=

4.0

V，I

D

=

5.0

A

V

DS

=

10

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

=

15

V，I

D

=

5.0

A

V

GS

=

10

V

R

G

= 10

1.0

7

15

10

15

19

2000

550

340

10

16

92

51

42

6

12

0.82

46

33

13

21

26

分钟。

典型值。

马克斯。

1

单位

A

nA

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

m

100

2.5

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

PG 。

V

GS

=

20 →

0 V

50

测试电路2开关时间

D.U.T.

L

V

DD

PG 。

R

G

V

GS （ - ）

R

L

V

DD

V

DS （ - ）

90%

10%

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

BV

DSS

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

V

GS （ - ）

0

V

DS

V

DS

电波表

0

t

D（上）

t

on

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

起始物为

ch

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

=

2

mA

PG 。

50

R

L

V

DD

2

数据表G15980EJ2V0DS

PA2712GR

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

120

总功耗对比

环境温度

2.8

P

T

- 总功耗 - W

100

2.4

2

1.6

1.2

0.8

0.4

0

安装在陶瓷基板

2

1200毫米X 2.2毫米

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

0

25

50

75

100

125

150

175

T

A

- 环境温度 -

°C

T

A

- 环境温度 -

°C

正向偏置安全工作区

- 100

I

D（脉冲）

I

D（ DC）的

- 10

PW = 100

s

I

D

- 漏电流 - 一个

1毫秒

R

DS （ ON）

有限

（在V

GS

= 10 V)

-1

10毫秒

100毫秒

功耗有限公司

- 0.1

T

A

= 25°C

单脉冲

安装在陶瓷基板

2

1200毫米X 2.2毫米

- 0.1

-1

- 10

DC

- 0.01

- 100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

5

1000

瞬态热阻与脉冲宽度

r

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

R

第（章-a）的

= 62.5℃ / W

100

10

1

0.1

单脉冲

2

装在1200毫米× 2.2毫米陶瓷基板

T

A

= 25°C

0.01

100

1m

10 m

PW - 脉冲宽度 - S

数据表G15980EJ2V0DS

100 m

1

10

100

1000

3

PA2712GR

漏电流与

漏源极电压

- 50

正向传递特性

- 100

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

=

10

V

I

D

- 漏电流 - 一个

- 40

4.5

V

4.0

V

- 10

- 30

-1

- 20

T

ch

=

55°C

25°C

75°C

150°C

- 0.1

- 10

脉冲

0

- 0.2

- 0.4

- 0.6

- 0.8

-1

- 1.2

V

DS

=

10

V

脉冲

- 0.01

0

-1

-2

-3

-4

-5

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

GATE截止电压主场迎战

通道温度

-3

100

正向转移导纳主场迎战

漏电流

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

T

ch

=

55°C

25°C

75°C

150°C

10

V

GS （ OFF ）

- 栅极截止电压 - V

- 2.5

-2

- 1.5

-1

1

- 0.5

V

DS

=

10

V

I

D

=

1

mA

0

-50

0

50

100

150

V

DS

=

10 V

脉冲

0.1

- 0.1

-1

- 10

- 100

T

ch

- 通道温度 -

°C

I

D

- 漏电流 - 一个

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

40

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

脉冲

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

40

脉冲

30

20

V

GS

=

4.0

V

20

4.5

V

10

I

D

=

5.0

A

10

V

0

-5

- 10

- 15

- 20

0

- 0.1

-1

- 10

- 100

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

4

数据表G15980EJ2V0DS

PA2712GR

漏极至源极导通电阻与

通道温度

30

电容与漏源极电压

10000

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

25

V

GS

=

4.0

V

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

C

国际空间站

1000

20

4.5

V

15

C

OSS

10

V

C

RSS

100

5

I

D

=

5.0

A

脉冲

0

-50

0

50

100

150

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

10

- 0.01

- 0.1

-1

- 10

- 100

T

ch

- 通道温度 - C

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

1000

动态输入/输出特性

- 30

- 15

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

t

D（关闭）

100

- 20

V

DD

=

24

V

15

V

6

V

- 10

t

f

t

r

10

V

GS

- 10

-5

t

D（上）

V

DD

=

15

V

GS

=

10

V

R

G

= 10

1

- 0.1

-1

- 10

- 100

V

DS

0

10

20

30

40

50

0

I

D

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

源极到漏极二极管

正向电压

1000

反向恢复时间对比

二极管的正向电流

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

100

V

GS

=

10

V

0V

100

10

1

10

0.1

脉冲

0.01

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

1

0.1

1

10

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 V

100

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

数据表G15980EJ2V0DS

5