数据表
MOS场效应
PA2708GR
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该
PA2708GR是N沟道MOS场效应
晶体管设计用于DC / DC变换器和功率
管理应用程序的笔记本电脑。
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
电源SOP8
电源SOP8
电源SOP8
PA2708GR-E1
PA2708GR-E2
记
记
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 5.5 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 9.0 A)
R
DS(on)2
= 7.5 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 9.0 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 4700 pF的典型。 (V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V)
小型表面贴装封装( SOP8电)
PA2708GR-E1-A
PA2708GR-E2-A
记
无铅(本产品不含有铅
外部电极和其它部件)。
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C,所有的终端连接。 )
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
Note2
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
30
±20
±17
±68
1.1
2.5
150
55
+150
17
28.9
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功耗
通道温度
储存温度
总功率耗散( PW = 10秒)
单雪崩电流
单雪崩能量
Note3
Note3
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S,占空比
≤
1%
2.
安装在1英寸×1英寸×0.8毫米的玻璃环氧基板
3.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 15 V ,R
G
= 25
,
L = 100
H,V
GS
= 20
→
0 V
热阻
渠道环境
记
记
R
第(章-a)的
R
第(章-L)的
114
30
° C / W
° C / W
通道漏极引线
记
安装在1英寸×1英寸×0.8毫米的玻璃环氧基板
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件G17033EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2005年5月CP ( K)
日本印刷
2004