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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第209页 > UPA2706TP
数据表
MOS场效应
PA2706TP
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该
PA2706TP ，其中有一个散热器，是N沟道
MOS场效应晶体管设计用于DC / DC变换器
和电源管理的笔记本电脑的应用。
订购信息
产品型号
包
电力HSOP8
PA2706TP
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 15 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5 A)
R
DS(on)2
= 22.5 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.5 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 660 pF的典型。 （V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V)
小型表面贴装封装（电力HSOP8 ）
绝对最大额定值（T
A
= 25 ℃，除非另有说明，所有端子连接。 ）
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（ DC ）
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D(DC)1
I
D(DC)2
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
30
±20
±20
±11
±44
15
3
150
55
+150
11
12.1
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
漏电流（脉冲）
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功耗
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note3
Note3
Note1
I
AS
E
AS
注意事项1 。
安装在1英寸×1英寸×0.8毫米的玻璃环氧板， PW = 10秒
2.
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
3.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 15 V ，R
G
= 25
,
L = 100
H，V
GS
= 20
→
0 V
小心的强电场作用下，当暴露于该装置中，可引起栅氧化层的破坏和
从而影响设备的运行。因此必须采取措施制止产生的静电
尽可能地，立即释放一次出现时。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件G16621EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2004年1月NS CP （ K）
日本印刷
2003
PA2706TP
电气特性（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接。 ）
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
记
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
记
测试条件
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 5.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.5 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 5.5 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 15 V，I
D
= 5.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
单位
A
A
V
S
1.5
4.5
11
16
19
660
270
83
9
5
29
6
2.5
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
15
22.5
29
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
记
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 15 V
V
GS
= 5.0 V
I
D
= 11 A
I
F
= 11 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 11 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
7.1
2.1
3.1
0.84
25
17
记
脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表G16621EJ1V0DS
PA2706TP
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
总功耗对比
外壳温度
20
P
T
- 总功耗 - W
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
100
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
PW = 100
s
I
D
- 漏电流 - 一个
10
DC
1毫秒
10毫秒
R
DS （ ON）
有限
（在V
GS
= 10 V)
1
功耗有限公司
0.1
T
C
= 25°C
单脉冲
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
：安装在玻璃环氧树脂板
的1英寸× 1英寸× 0.8毫米，T
A
= 25°C
R
TH（ CH-C ）
: T
C
= 25°C
R
第（章-a）的
100
10
R
TH（ CH-C ）
= 8.33 ° C / W
1
0.1
100
1m
10 m
100 m
1
PW - 脉冲宽度 - S
10
100
1000
数据表G16621EJ1V0DS
3
PA2706TP
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
50
45
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
= 10 V
100
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
DS
= 10 V
脉冲
T
A
=
55°C
25°C
75°C
150°C
4.5 V
4.0 V
10
1
0.1
0.01
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
正向转移导纳主场迎战
漏电流
3
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
100
V
DS
= 10 V
脉冲
10
T
A
=
55°C
25°C
75°C
150°C
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
0
50
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
1
100
150
0.1
0.01
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
30
脉冲
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
30
脉冲
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
GS
= 4.0 V
4.5 V
I
D
= 5.5 A
10 V
4
数据表G16621EJ1V0DS
PA2706TP
漏极至源极导通电阻与
通道温度
电容与漏源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-50
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
脉冲
V
GS
= 4.0 V
1000
C
国际空间站
4.5 V
10 V
100
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
10
0.01
0.1
1
10
100
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 - C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
动态输入/输出特性
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
30
6
V
DD
= 24 V
15 V
6V
5
4
V
GS
3
2
V
DS
I
D
= 11 A
1
0
0
2
4
6
8
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
100
t
f
t
D（关闭）
t
D（上）
25
20
15
10
5
0
10
t
r
1
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
源极到漏极二极管
正向电压
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
100
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
1000
脉冲
V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A / μs的
100
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
10
V
GS
= 10 V
0V
1
10
0.1
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
1
1
10
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
100
数据表G16621EJ1V0DS
5
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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