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基本产品信息
MOS场效应
PA2705GR
开关
N沟道功率MOS FET
描述
PA2702GR是N沟道MOS场效应晶体管
设计用于DC / DC转换器和电源管理
笔记本电脑的应用程序。
封装图(单位:mm )
8
5
1, 2, 3
;源
4
;门
5,6, 7,8 ;漏
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 9.2 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 7.0 A)
R
DS(on)2
= 14.8 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 7.0 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 900 pF的典型。 (V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V)
小型表面贴装封装( SOP8电)
1
4
5.37最大。
+0.10
–0.05
6.0 ±0.3
4.4
0.8
1.8 MAX 。
1.44
0.15
0.05分钟。
0.5 ±0.2
0.10
订购信息
产品型号
电源SOP8
1.27 0.78最大。
0.40
+0.10
–0.05
0.12 M
PA2705GR
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C,所有的终端连接。 )
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
T
ch
T
英镑
30
±20
±13
±52
2.0
150
55
+150
13
16.9
V
V
A
A
W
°C
°C
A
mJ
保护
二极管
来源
等效电路
总功率耗散(T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note3
Note3
二极管
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2
2.
装在1200毫米× 2.2毫米陶瓷基板
3.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 15 V ,R
G
= 25
,
L = 100
H,V
GS
= 20
0 V
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用,额外的保护电路所需的外部,如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
正在提前生产周期为发行本文件所载信息
装置。该参数用于所述装置可改变最终的生产或NEC公司之前,在其自身的
自由裁量权,可以撤销该设备之前,对其生产。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件G16305EJ1V0PM00 (第1版)
发布日期2002年7月NS CP ( K)
日本印刷
2002
PA2705GR
电气特性(T
A
= 25 ° C,所有的终端连接。 )
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
=
15
V
V
GS
=
5
V
I
D
= 13 A
I
F
= 13 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 13 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 7.0 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 7.0 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 7.0 A
V
GS
= 4.0 V,I
D
= 7.0 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 15 V,I
D
= 7.0 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1.5
7
13
7.3
11.1
12.7
900
380
120
9
5
35
8
9
3
4
0.82
28
22
1.2
9.2
14.8
17.0
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
基本产品信息G16305EJ1V0PM
PA2705GR
[备忘录]
基本产品信息G16305EJ1V0PM
3
PA2705GR
正在提前生产周期为发行本文件所载信息
装置。该参数用于所述装置可改变最终的生产或NEC公司之前,在其自身的
自由裁量权,可以撤销该设备之前,对其生产。
本文件的任何部分不得复制或转载于任何形式或任何方式未经事先书面
NEC公司的同意。 NEC公司对可能出现的任何错误承担责任
此文档。
NEC公司不承担因侵犯专利,版权或其他知识产权的任何法律责任
第三方通过或使用本文所描述的设备或因使用而产生的任何责任而产生的权利
这样的设备。没有执照,明示,暗示或其他,是任何专利,版权或其他获准
NEC公司或他人的知识产权。
提供用于说明电路,软件和本文件中的相关信息的描述
半导体产品操作和应用实例。这些电路的掺入
软件,并在客户的设备的设计资料须根据负全责
客户。 NEC公司对发生的客户或第三方的任何损失承担任何责任
从使用这些电路,软件和信息时造成当事人。
而NEC公司一直在不断的努力,以增强其半导体器件的可靠性,
的缺陷的可能也不能完全消除。损坏或人身伤害的风险,最大限度地减少人员或
来自于NEC半导体器件的缺陷而产生的财产,客户必须把足够的安全性
在其设计的措施,如冗余度,防火和防故障功能。
NEC公司的设备被分类成下列三个质量等级:
& QUOT ;标准& QUOT ;,& QUOT ;特殊& QUOT ;和& QUOT ;比& QUOT ;.只有特定的质量等级适用于开发基于一个设备
顾客指定"quality保证program"针对特定应用程序。推荐的应用
一个设备取决于其质量等级,如以下所示。客户必须检查每个设备的质量等级
在一个特定的应用程序在使用它之前。
标准:计算机,办公自动化设备,通信设备,测试和测量设备,
音频和视频设备,家用电子电器,机床,个人电子
设备和工业机器人
特别声明:运输设备(汽车,火车,船舶等) ,交通控制系统,防灾
系统,防止犯罪系统,安全设备和医疗设备(不包括专门设计的
生命支持)
具体有:飞机,航空航天设备,海底中继设备,原子能控制系统,生命
支持系统或用于生命支持等医疗设备
NEC的设备的质量等级是"Standard"除非在NEC的数据表或数据手册另有规定。
如果用户打算使用的应用程序比标准质量等级规定的其他NEC的设备,
他们应该提前联系本公司销售代表。
M5 98. 8
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA2705
    -
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    -
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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