【数据表MOS场效应PA2701GR开关N沟道功率MOS FET描述该PA2701GR是N沟道MOS场】,IC型号UPA2701,UPA2701 PDF资料,UPA2701经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应

PA2701GR

开关

N沟道功率MOS FET

描述

该

PA2701GR是N沟道MOS场效应晶体管

设计用于DC / DC转换器和电源管理

笔记本电脑的应用程序。

封装图（单位：mm ）

8

5

1, 2, 3

;源

4

;门

5，6， 7，8 ;漏

特点

低通态电阻

R

DS(on)1

= 7.5 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 7.0 A)

R

DS(on)2

= 11.6 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 7.0 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 1200 pF的典型。（V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V)

小型表面贴装封装（ SOP8电）

1

4

5.37最大。

+0.10

–0.05

6.0 ±0.3

4.4

0.8

1.8 MAX 。

1.44

0.05分钟。

订购信息

产品型号

包

电源SOP8

0.15

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78最大。

0.40

+0.10

–0.05

PA2701GR

0.12 M

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

ch

T

英镑

30

±20

±14

±56

2.0

150

-55到+150

14

19.6

V

A

W

°C

A

mJ

门

保护

二极管

门

体

二极管

等效电路

漏

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note3

I

AS

E

AS

来源

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

2

2.

装在1200毫米× 2.2毫米陶瓷基板

3.

起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

= 15 V ，R

G

= 25

,

L = 100

H，V

GS

= 20

→

0 V

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路extemally需要如果电压超过

额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件G15714EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2002年5月NS CP （ K）

日本印刷

商标

!

表示主要修改点。

2002

PA2701GR

电气特性（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

= 15 V

V

GS

= 5 V

I

D

= 14 A

I

F

= 14 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 14 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

测试条件

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

±

20 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 7.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 7.0 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 7.0 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 7.0 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 15 V，I

D

= 7.0 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

1.5

7

2.0

14

6.2

8.7

10.3

1200

500

160

10

13

44

11

12

4

6

0.8

32

27

1.2

7.5

11.6

13.7

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±10

2.5

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

50

测试电路2开关时间

D.U.T.

L

V

DD

PG 。

R

G

V

GS

R

L

V

DD

V

DS

90%

10%

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

BV

DSS

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

V

GS

0

V

DS

V

DS

电波表

0

t

D（上）

t

on

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

起始物为

ch

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

PG 。

50

R

L

V

DD

2

数据表G15714EJ2V0DS

PA2701GR

典型特征（T

A

= 25°C)

!

120

正向偏置的降额因子

安全工作区

2.8

总功耗对比

环境温度

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

P

T

- 总功耗 - W

100

80

60

40

20

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

20

40

60

80

安装在陶瓷

基材

1200 mm

2

×2.2

mm

0

20

40

60

80

100

120 140

160

100 120 140

160

T

A

- 环境温度 -

C

T

A

- 环境温度 - C

正向偏置安全工作区

100

d

ITE ）

林V

)

10

on

S(

=

R

GS

(V

I

D（脉冲） =

56 A

PW

I

D（ DC） =

14 A

10

Di

ss

ip

=

1

m

I

D

- 漏电流 - 一个

10

Po

we

r

s

m

s

0

m

备注

安装在ceramicsubstrate

1200毫米X 2.2毫米

2

s

1

at

io

n

Li

m

ITE

d

0.1

T

A

= 25C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

100

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

R

第（章-a）的

= 62.5℃ / W

10

1

安装在陶瓷基板

1200 mm

2

×

2.2 mm

单脉冲

渠道环境

0.1

0.001

0.01

0.1

1

10

PW - 脉冲宽度 - S

100

1000

数据表G15714EJ2V0DS

3

PA2701GR

漏电流与

漏源极电压

80

70

正向传递特性

100

脉冲

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

10

60

50

40

30

20

10

V

GS

= 10 V

4.5 V

1

T

A

= 150C

75C

25C

4.0 V

0.1

0.01

0

1

2

3

V

DS

= 10 V

4

5

0

脉冲

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

100

V

DS

= 10 V

脉冲

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

正向转移导纳主场迎战

漏电流

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

20

脉冲

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

I

D

= 7.0 A

10

1

T

A

= 150C

75C

25C

0.1

0.01

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

30

脉冲

15

V

GS

= 4.0 V

10

4.5 V

5

10 V

3

GATE截止电压主场迎战

通道温度

V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

V

GS （ OFF ）

- 栅极截止电压 - V

10

100

2

1

0

0.1

1

0

50 25

0

25

50

75

100 125 150

I

D

- 漏电流 - 一个

T

ch

- 通道温度 - C

4

数据表G15714EJ2V0DS

PA2701GR

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

20

脉冲

15

V

GS

= 4 V

4.5 V

10

10 V

5

100

源极到漏极二极管

正向电压

脉冲

V

GS

= 0 V

I

SD

- 二极管正向电流 - 一个

10

1

0.1

0

50 25

0.01

0

25

50

75

100 125 150 175

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

T

ch

- 通道温度 - C

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

电容与

漏源极电压

10000

100

开关特性

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

t

D（关闭）

t

f

t

r

10

t

D（上）

1000

C

国际空间站

C

OSS

100

C

RSS

10

0.1

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

1

10

100

V

DD

= 15 V

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

1

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

I

D

- 漏电流 - 一个

反向恢复时间对比

漏电流

1000

动态输入/输出特性

40

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

35

30

25

20

15

10

5

0

2

4

6

8

10

12

14

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

V

DS

I

D

= 14 A

16

18

V

DD

= 24 V

15 V

6V

V

GS

7

6

5

4

3

2

1

0

20

100

10

1

0.1

1

10

100

I

F

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 V

8

数据表G15714EJ2V0DS

5