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数据表

MOS场效应

PA2700TP

开关

N沟道功率MOS FET

描述

该

PA2700TP其具有散热器是N沟道

MOS场效应晶体管设计用于DC / DC变换器

和电源管理的笔记本电脑的应用。

1.49 ±0.21

封装图（单位：mm ）

8

5

1, 2, 3

;源

4

;门

5 ，6，7 ，8，9 ;漏

1.44 TYP 。

特点

低通态电阻

R

DS(on)1

= 5.3 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 9.0 A)

R

DS(on)2

= 7.3 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 9.0 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 2600 pF的典型。（V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V)

小型表面贴装封装（电力HSOP8 ）

1

5.2

+0.17

–0.2

4

0.8 ±0.2

S

+0.10

–0.05

6.0 ±0.3

4.4 ±0.15

0.05 ±0.05

0.15

1.27 TYP 。

0.40

1

+0.10

–0.05

0.10 S

0.12 M

1.1 ±0.2

4

订购信息

2.9 MAX 。

2.0 ±0.2

9

4.1最大。

产品型号

包

电力HSOP8

8

PA2700TP

5

绝对最大额定值（T

A

= 25 ℃，除非另有说明，所有端子连接。）

5

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

漏电流（ DC ）（T

A

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note2

Note1

V

DSS

V

GSS

I

D(DC)1

I

D(DC)2

I

D（脉冲）

P

T1

Note1

30

±20

±42

±20

±120

37

3

150

-55到+ 150

22

48.4

V

A

W

°C

A

mJ

来源

门

等效电路

漏

总功率耗散（T

C

= 25°C)

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note3

P

T2

T

ch

T

英镑

I

AS

E

AS

体

二极管

注意事项1 。

安装在玻璃环氧基板（ 1英寸× 1英寸× 0.8mm）的， PW = 10秒

2.

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

3.

起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

= 15 V ，R

G

= 25

,

L = 100

H，V

GS

= 20

→

0 V

备注

强电场，当暴露于该装置中，可引起栅氧化层的破坏，并最终

影响设备的运行。因此必须采取措施来停止产生静电尽可能地，

并迅速消散一次，发生时。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件G15851EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2002年5月NS CP （ K）

日本印刷

商标

5

表示主要修改点。

2002

PA2700TP

电气特性（T

A

= 25 ℃，除非另有说明，所有端子连接。）

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

=

15

V

GS

=

5

V

I

D

= 17 A

I

F

= 17 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 17 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

测试条件

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

±

20 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 9.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 9.0 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 9.0 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 9.0 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 15 V，I

D

= 9.0 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

1.5

11

2.0

21.5

4.2

5.5

6.3

2600

1000

340

20

24

75

22

26

7

11

0.8

50

51

1.2

5.3

7.3

8.4

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±100

2.5

单位

A

nA

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

50

测试电路2开关时间

D.U.T.

L

V

DD

PG 。

R

G

V

GS

R

L

V

DD

V

DS

90%

10%

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

BV

DSS

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

V

GS

0

V

DS

V

DS

电波表

0

t

D（上）

t

on

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

起始物为

ch

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

PG 。

50

R

L

V

DD

2

数据表G15851EJ2V0DS

PA2700TP

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

120

40

总功耗对比

外壳温度

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

P

T

- 总功耗 - W

20

40

60

80

100

120 140

160

100

80

60

40

20

35

30

25

20

15

10

5

0

20

40

60

80

100 120 140

160

T

C

- 外壳温度 - C

0

T

C

- 外壳温度 -

C

正向偏置安全工作区

1000

I

D（脉冲） =

120 A

I

D

- 漏电流 - 一个

100

d

ITE ）

IM 0 V

)

L 1

on

S( S

=

R

D

(V

G

PW

I

D（ DC） =

42 A

PW

=

1

=

m

10

s

10

m

s

1

T

C

= 25C

单脉冲

0.1

功耗

有限

PW = 100毫秒

0.1

0.01

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

单身

脉冲

100

R

第（章-a）的

= 89.3 ° C / W

10

R

TH（ CH-C ）

= 3.13 ° C / W

1

0.1

备注

R

第（章-a）的

：安装在玻璃环氧

板（ 1英寸× 1英寸× 0.8mm）的，T

A

= 25C

R

TH（ CH-C ）

: T

C

= 25C

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

PW - 脉冲宽度 - S

10

100

1000

数据表G15851EJ2V0DS

3

PA2700TP

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

20

脉冲

15

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

100

V

DS

= 10 V

脉冲

T

A

=

25C

75C

150C

10

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

正向转移导纳主场迎战

漏电流

10

1

5

I

D

= 9.0 A

0

0.1

1

10

100

0

5

10

15

20

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

门源截止电压主场迎战

通道温度

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

20

脉冲

15

4.5 V

10

V

GS

= 4.0 V

3

V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

2

5

10 V

1

0

0.1

1

10

100

1000

0

50 25

0

25

50

75

100 125 150

I

D

- 漏电流 - 一个

T

ch

- 通道温度 - C

正向传递特性

100

脉冲

80

漏电流与

漏源极电压

脉冲

70

V

GS

= 10 V

60

50

40

30

20

10

4.5 V

4.0 V

I

D

- 漏电流 - 一个

1

0.1

T

A

= 150C

75C

25C

0.01

0

1

2

3

V

DS

= 10 V

4

5

I

D

- 漏电流 - 一个

10

0

0.0

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

0.6

0.2

0.4

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

4

数据表G15851EJ2V0DS

PA2700TP

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

20

脉冲

15

100

脉冲

V

GS

= 0 V

源极到漏极二极管

正向电压

I

SD

- 二极管正向电流 - 一个

10

V

GS

= 4 V

4.5 V

1

5

10 V

0.1

0

50

25

0.01

0

25

50

75

100 125

150

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

T

ch

- 通道温度 - C

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

电容与

漏源极电压

10000

C

国际空间站

1000

C

OSS

C

RSS

100

1000

开关特性

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

100

t

D（关闭）

t

r

t

f

t

D（上）

10

V

DD

= 15 V

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

10

0.1

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

1

10

100

1

0.1

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

反向恢复时间对比

漏电流

1000

动态输入/输出特性

40

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

35

30

25

20

15

10

5

0

4

8

12

16

20

24

28

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

V

DS

I

D

= 17 A

32

36

V

DD

= 24 V

15 V

6V

V

GS

7

6

5

4

3

2

1

0

40

100

10

1

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 V

8

数据表G15851EJ2V0DS

5