【数据表μPA2690T1R互补MOSFET20V ， 4.0A ， 42mΩ / -20V ， -3】,IC型号UPA2690T1R-E2-AX,UPA2690T1R-E2-AX PDF资料,UPA2690T1R-E2-AX经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

PA2690T1R

互补MOSFET

20V ， 4.0A ， 42mΩ / -20V ， -3.0A ， 79mΩ

描述

该

PA2690T1R是双N沟道和P沟道MOS场效应晶体管，用于切换应用程序。

该器件具有低导通电阻和开关特性优良，并且是适合于应用

如便携式机器的电源开关等。

R07DS1000EJ0101

Rev.1.01

2013年3月4日

特点

N沟道2.5V时，P沟道1.8V驱动器可用

低通态电阻

N沟道

DS （ ON） 1

= 42 mΩ以下。（V

= 4.5 V，I

= 2.0 A)

DS （ ON） 2

= 62 mΩ以下。（V

= 2.5 V，I

= 2.0 A)

P沟道

DS （ ON） 1

= 79 mΩ以下。（V

–4.5

V，I

–1.5

DS （ ON） 2

= 105 mΩ以下。（V

–2.5

V，I

–1.5

DS （ ON） 3

= 182 mΩ以下。（V

–1.8

V，I

–1.5

内置栅极保护二极管

无铅和无卤素

6pinHUSON2020(Dual)

订购信息

产品型号

包

6pinHUSON2020(Dual)

注意：

1.Pb-free

（此产品不包含铅，在外部电极和其它部件）。

PA2690T1R-E2-AX

绝对最大额定值（T

= 25°C)

项

漏源极电压（V

= 0 V)

门源电压（V

= 0 V)

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

总功率耗散（ 1个单位， 5秒）

总功率耗散（ 2个单位， 5秒）

符号

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

N沟道

±12

±4.0

±16

P沟道

–20

m10

m3.0

m12

单位

°C

通道温度

储存温度

注意事项：

PW≤10

S，占空比= 1 ％

安装在25.4毫米X 25.4毫米X 0.8mmt玻璃环氧树脂板

1.5

2.3

150

-55到+150

注意：该产品（N沟道）的静电感应装置，由于低ESD能力和应

谨慎的静电放电处理。

ESD

±400V

MIN 。（ C = 100pF的， R = 1.5KΩ

)

R07DS1000EJ0101 Rev.1.01

2013年3月4日

分页： 10 1

PA2690T1R

电气特性（T

= 25°C)

N沟道MOSFET

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通状态

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

注意：

脉冲

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

PG 。

电波表

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

| y

DS(on)1

DS(on)2

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

F（ S- D）的

分钟。

典型值。

马克斯。

1.0

±10

1.5

单位

测试条件

= 20 V, V

= 0 V

±10

V, V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 2.0 A

= 4.5 V，I

= 2.0 A

= 2.5 V，I

= 2.0 A

= 10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

= 2.0 A，V

= 10 V,

= 4.5 V ，R

= 6

mΩ

0.5

5.0

330

6.4

6.6

4.5

1.0

1.5

= 4.0 A，V

= 16 V,

= 10 V

= 4.0 A，V

= 0 V

1.5

测试电路1开关时间

D.U.T.

10%

90%

= 2毫安

PG 。

90%

10%

= 1

占空比

≤

电波表

D（上）

D（关闭）

关闭

R07DS1000EJ0101 Rev.1.01

2013年3月4日

第10 2

PA2690T1R

P沟道MOSFET

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通状态

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

注意：

脉冲

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

PG 。

()

= 1

占空比

≤

电波表

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

| y

DS(on)1

DS(on)2

DS(on)3

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

F（ S- D）的

分钟。

典型值。

马克斯。

–1.0

m10

–1.1

单位

测试条件

= –20 V, V

= 0 V

V, V

= 0 V

= -10 V，I

= -1毫安

= -5 V，I

= –2 A

= -4.5 V，I

= –1.5 A

= -2.5 V，I

= –1.5 A

= -1.8 V，I

= –1.5 A

= –10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

= -1.5 A，V

= –10.0 V,

= -4.0 V ，R

= 6

mΩ

–0.4

4.5

109

473

11.5

4.0

37.5

12.5

5.1

0.9

1.5

105

182

= -3.0 A，V

= –16 V,

= –4.5 V

= 3.0 A，V

= 0 V

1.5

D.U.T.

()

电波表

90%

10%

PG 。

90%

10% 10%

90%

D（上）

D（关闭）

关闭

R07DS1000EJ0101 Rev.1.01

2013年3月4日

第10 3

PA2690T1R

典型特征（T

= 25°C)

N沟道MOSFET

正向偏置安全的降额因子

工作区

总功耗对比

环境温度

140

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

- 总功耗 - W

2.5

安装在一个玻璃型环氧基板

的25.4毫米X 25.4毫米0.8mmt

PW=5sec

120

100

125

150

175

1.5

2units

1unit

0.5

100

125

150

175

- 环境温度 -

°C

- 环境温度 -

°C

正向偏置安全工作区

100

D（脉冲）

=16A

D（ DC）的

=4A

- 漏电流 - 一个

功耗有限公司

0.1

0.01

= 25C 2台

单脉冲

安装在玻璃环氧树脂板

25.4毫米X 25.4毫米×0.8万吨

0.1

100

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

单脉冲

第（章-a）的

= 83.3C / W （ 1单位5S ）

100

第（章-a）的

= 54.3C / W （ 2台5秒）

0.1

第（章-a）的

：安装在25.4毫米X 25.4毫米0.8mmt玻璃型环氧板

0.01

100

10 m

100 m

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

R07DS1000EJ0101 Rev.1.01

2013年3月4日

第10 4

PA2690T1R

漏电流与

漏源极电压

正向传递特性

=4.5V

- 漏电流 - 一个

2.5V

- 漏电流 - 一个

0.1

=150°C

75°C

25°C

-55°C

0.01

0.001

脉冲

0.5

1.5

0.0001

0.5

= 10V

脉冲

1.5

- 漏极至源极电压 - V

- 栅极至源极电压 - V

门源截止电压主场迎战

通道温度

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

1.2

| y

| - 正向转移导纳 - S

100

0.1

= 150°C

75°C

25°C

-55°C

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

-50

100

150

0.01

0.001

= 10V

脉冲

= 10V

= 1毫安

0.01

0.1

100

- 通道温度 -

°C

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

脉冲

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

100

= 2.0A

脉冲

= 2.5V

4.5V

0.1

100

- 漏电流 - 一个

- 栅极至源极电压 - V

R07DS1000EJ0101 Rev.1.01

2013年3月4日

第10个5