数据表
MOS场效应
μ
PA2650T1E
双N沟道MOSFET
切换
描述
该
μ
PA2650T1E是一种开关装置，该装置可被驱动
直接通过4.5 V电源。
该
μ
PA2650T1E包含双MOSFET其特点是
低通态电阻和开关特性优良，
并适合于应用，如用DC / DC转换器
便携机等。
引脚连接（顶视图）
6
MOSFET1
2
5
1
3
4 MOSFET2
特点
4.5 V可驱动MOSFET
低导通电阻MOSFET
MOSFET1
DS(on)1
= 48 mΩ的典型值。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A)
R
DS(on)2
= 55 mΩ的典型值。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.0 A)
MOSFET2
DS(on)1
= 50 mΩ的典型值。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 3.0 A)
R
DS(on)2
= 57 mΩ的典型值。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.0 A)
1 ： GATE1
2 ： Drain1 /源2 （热火信宿）
3 ： GATE2
4 ： Drain2 （热火信宿1 ）
5 ： Drain1 /源2 （热火信宿）
6 ：源1
订购信息
产品型号
包
6LD3x3MLP
μ
PA2650T1E
标记： A2650
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
注意本产品为静电敏感器件，由于低ESD能力，并应与处理
小心静电放电。
V
ESD
=
±150
V TYP 。 （ C = 200 pF的， R = 0
Ω,
单脉冲）
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销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件G18749EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2007年5月NS CP （ K）
日本印刷
2007
μ
PA2650T1E
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
MOSFET1 ， MOSFET2
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
Note1
Note2
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
20
±12
±3.8
±15.2
1.1
150
55
to
+150
V
V
A
A
W
°C
°C
漏电流（脉冲）
总功耗
通道温度
储存温度
注意事项1 。
在2盎司铜垫安装在一个1 1.5" 1.5" X X 0.062"厚的FR-4板
2
2
（ Cu焊盘： 322毫米×70
μ
男， FR- 4 ： 1452毫米×1.6万吨）
2.
PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2
FET方： 97 ° C / W在2盎司纯铜垫安装在1时
2
2
数据表G18749EJ1V0DS
QQ：2880707522 复制
