数据表
MOS场效应
PA2450
N沟道MOS场效应晶体管
切换
封装图（单位：mm ）
1
6
描述
该
PA2450是可驱动的开关装置
直接采用2.5 V电源。
该器件具有低导通电阻和
开关特性优良，并且适用于
应用，例如便携式计算机的电源开关和
等等。
0.5±0.1
1.85±0.1
0.145±0.05
(0.50)
2
3
5
4
特点
2.5 V驱动器热推
低通态电阻
R
DS(on)1
= 17.5 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A)
R
DS(on)2
= 18.5 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 4.0 A)
R
DS(on)3
= 22.0 mΩ以下。 （V
GS
= 3.1 V，I
D
= 4.0 A)
R
DS(on)4
= 27.5 mΩ以下。 （V
GS
= 2.5 V，I
D
= 4.0 A)
内置ESD对G- s防护二极管
0.25
+0.1
0.05
4.4±0.1
5.0±0.1
7
(0.9)
订购信息
(1.45)
产品型号
包
6PIN HWSON （ 4521 ）
(0.15)
(3.05)
PA2450TL
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
A
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
Note3
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
20
±12
±8.6
±80
2.5
0.7
150
-55到+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Gate1
1,2 ： 1来源
3 ： 1门
7 ：漏
5,6 ： 2来源
4 ： 2门
等效电路
Drain1
Drain2
总功率耗散（ 2个）
总功率耗散（ 2个）
通道温度
储存温度
体
二极管
0.05
+0
0.05
0.8最大。
Gate2
门
保护
二极管
Source2
体
二极管
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
T
A
= 25°C安装在陶瓷板上。
3.
T
A
= 25°C安装在FR4板。
备注
门
保护
二极管
Source1
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
G15612EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年3月NS CP （ K）
日本印刷
2001
2.0±0.1
PA2450
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
100
80
正向偏置安全工作区
1000
100
I
D
（脉冲）
n)
S（O
R
D
的dT - 降额因子 - ％
I
D
- 漏电流 - 一个
资讯科技教育
LIM
V)
.5
= 4
PW = 10
s
PW = 100
s
60
10
V
G
(@
S
I
D
(
DC
)
PW = 1毫秒
40
1
PW = 10毫秒
PW = 100毫秒
20
0.1
单脉冲
PD（ FET1 ） ： PD（ FET 2 ）= 1 ：1的
DC
(
2台
)
DC
(
1个单位
)
0
0
30
60
120
90
T
A
- 环境温度 -
C
150
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
漏电流与
漏源极电压
40
脉冲
正向传递特性
100
脉冲
V
DS =
10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
10
T
A
= 125C
30
V
GS
= 4.5 V
4.0 V
2.5 V
1
75C
25C
20
0.1
25C
0.01
10
0
0.0
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 门到SORCE电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
|
y
fs
|
- 正向转移导纳 - S
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
V
DS
= 10 V
脉冲
1.5 V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
10
1.0
1
0.1
T
A
= 125
C
75
C
25
C
25
C
0.5
50
0
50
100
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 - C
I
D
- 漏电流 - 一个
数据表G15612EJ1V0DS
3
PA2450
电容与漏极TO
源极电压
10000
开关特性
1000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- Switchig时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.0 V
R
G
= 6
t
D（关闭）
t
f
1000
C
国际空间站
C
OSS
100
C
RSS
100
t
r
t
D（上）
10
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
10
0.1
1.0
I
D
- 漏电流 - 一个
10
源极到漏极二极管的正向电压
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
4
V
GS
- 栅极到漏极电压 - V
100
I
D
= 8.6 A
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
3
10
85C
25C
V
DD
= 16 V
10 V
4V
2
1
40C
1
0.1
0
0.01
0.1
0
2
4
6
8
10
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
第（章-a）的
- 瞬态热阻 - C / W
S
单脉冲
PD（ FET1 ） ： PD（ FET 2 ）= 1 ：1的
安装在FR4板上
50厘米
2
X 1.0万吨
178.6
° C / W
100
装上陶瓷板
2
五十厘米乘1.1万吨
50
° C / W
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
PW - 脉冲宽度 - S
100
1000
数据表G15612EJ1V0DS
5
数据表
MOS场效应
PA2450
N沟道MOS场效应晶体管
切换
封装图（单位：mm ）
1
6
描述
该
PA2450是可驱动的开关装置
直接采用2.5 V电源。
该器件具有低导通电阻和
开关特性优良，并且适用于
应用，例如便携式计算机的电源开关和
等等。
0.5±0.1
1.85±0.1
0.145±0.05
(0.50)
2
3
5
4
特点
2.5 V驱动器热推
低通态电阻
R
DS(on)1
= 17.5 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A)
R
DS(on)2
= 18.5 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 4.0 A)
R
DS(on)3
= 22.0 mΩ以下。 （V
GS
= 3.1 V，I
D
= 4.0 A)
R
DS(on)4
= 27.5 mΩ以下。 （V
GS
= 2.5 V，I
D
= 4.0 A)
内置ESD对G- s防护二极管
0.25
+0.1
0.05
4.4±0.1
5.0±0.1
7
(0.9)
订购信息
(1.45)
产品型号
包
6PIN HWSON （ 4521 ）
(0.15)
(3.05)
PA2450TL
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
A
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
Note3
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
20
±12
±8.6
±80
2.5
0.7
150
-55到+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Gate1
1,2 ： 1来源
3 ： 1门
7 ：漏
5,6 ： 2来源
4 ： 2门
等效电路
Drain1
Drain2
总功率耗散（ 2个）
总功率耗散（ 2个）
通道温度
储存温度
体
二极管
0.05
+0
0.05
0.8最大。
Gate2
门
保护
二极管
Source2
体
二极管
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
T
A
= 25°C安装在陶瓷板上。
3.
T
A
= 25°C安装在FR4板。
备注
门
保护
二极管
Source1
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
G15612EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年3月NS CP （ K）
日本印刷
2001
2.0±0.1
PA2450
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
100
80
正向偏置安全工作区
1000
100
I
D
（脉冲）
n)
S（O
R
D
的dT - 降额因子 - ％
I
D
- 漏电流 - 一个
资讯科技教育
LIM
V)
.5
= 4
PW = 10
s
PW = 100
s
60
10
V
G
(@
S
I
D
(
DC
)
PW = 1毫秒
40
1
PW = 10毫秒
PW = 100毫秒
20
0.1
单脉冲
PD（ FET1 ） ： PD（ FET 2 ）= 1 ：1的
DC
(
2台
)
DC
(
1个单位
)
0
0
30
60
120
90
T
A
- 环境温度 -
C
150
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
漏电流与
漏源极电压
40
脉冲
正向传递特性
100
脉冲
V
DS =
10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
10
T
A
= 125C
30
V
GS
= 4.5 V
4.0 V
2.5 V
1
75C
25C
20
0.1
25C
0.01
10
0
0.0
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 门到SORCE电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
|
y
fs
|
- 正向转移导纳 - S
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
V
DS
= 10 V
脉冲
1.5 V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
10
1.0
1
0.1
T
A
= 125
C
75
C
25
C
25
C
0.5
50
0
50
100
150
0.01
0.01
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 - C
I
D
- 漏电流 - 一个
数据表G15612EJ1V0DS
3
PA2450
电容与漏极TO
源极电压
10000
开关特性
1000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- Switchig时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.0 V
R
G
= 6
t
D（关闭）
t
f
1000
C
国际空间站
C
OSS
100
C
RSS
100
t
r
t
D（上）
10
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
10
0.1
1.0
I
D
- 漏电流 - 一个
10
源极到漏极二极管的正向电压
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
4
V
GS
- 栅极到漏极电压 - V
100
I
D
= 8.6 A
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
3
10
85C
25C
V
DD
= 16 V
10 V
4V
2
1
40C
1
0.1
0
0.01
0.1
0
2
4
6
8
10
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
第（章-a）的
- 瞬态热阻 - C / W
S
单脉冲
PD（ FET1 ） ： PD（ FET 2 ）= 1 ：1的
安装在FR4板上
50厘米
2
X 1.0万吨
178.6
° C / W
100
装上陶瓷板
2
五十厘米乘1.1万吨
50
° C / W
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
PW - 脉冲宽度 - S
100
1000
数据表G15612EJ1V0DS
5
QQ：2880707522 复制
