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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第17页 > UPA2450CTL-E2-A
数据表
MOS场效应
μ
PA2450C
N沟道MOS场效应晶体管
切换
封装图（单位：mm ）
1
0.5±0.1 0.5±0.1
描述
该
μ
PA2450C是一个开关装置，它可以直接被驱动
以2.5 V电源。
该
μ
PA2450C设有导通电阻和出色的低
切换特性，并适合于应用程序，例如
便携机等的电源开关。
6
1.85±0.1
0.145±0.05
2
3
5
4
特点
2.5 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 17.5 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A)
R
DS(on)2
= 18.5 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 4.0 A)
R
DS(on)3
= 22.0 mΩ以下。 （V
GS
= 3.1 V，I
D
= 4.0 A)
R
DS(on)4
= 27.5 mΩ以下。 （V
GS
= 2.5 V，I
D
= 4.0 A)
内置ESD对G- s防护二极管
0.25
+0.1
-0.05
4.4±0.1
5.0±0.1
0.8最大。
7
0.05
+0
-0.05
(0.15)
(0.9)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
Note1
Note2
Note1
Note3
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
2
20.0
±12.0
±8.6
±70.0
2.5
0.7
150
55
to
+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
(0.5)
(2.2)
每根导线具有相同的尺寸。
5,6 ： 2来源
1,2 ： 1来源
4 ： 2门
3 ： 1门
7 ：漏
漏电流（脉冲）
总功率耗散（ 2台）
总功率耗散（ 2台）
通道温度
储存温度
等效电路
Drain1
Drain2
注意事项1 。
安装在50厘米× 1.1万吨陶瓷板
2.
PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2
3.
安装在FR -4板50厘米×1.1万吨
Gate1
门
保护
二极管
Source1
体
二极管
(1.45)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
Gate2
门
保护
二极管
Source2
体
二极管
订购信息
产品型号
铅电镀
记
记
填料
REEL
包
6PIN HWSON （ 4521 ）
μ
PA2450CTL-E1-A
μ
PA2450CTL-E2-A
锡铋
3000 P /卷
记
无铅（此产品不包含铅，在外部电极和其它部件）。
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件G18792EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2007年NS月
日本印刷
2007
2.0±0.1
μ
PA2450C
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
栅极到源截止电压
正向转移导纳
记
记
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
R
DS(on)4
测试条件
V
DS
= 20.0 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±12.0
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10.0 V，I
D
= 1.0毫安
V
DS
= 10.0 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 3.1 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 4.0 A
V
DS
= 10.0 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 10.0 V,
I
D
= 4.0 A,
V
GS
= 4.0 V,
R
G
= 6
Ω
V
DD
= 16.0 V,
V
GS
= 4.0 V,
I
D
= 8.6 A
I
F
= 8.6 A，V
GS
= 0 V
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
±10.0
单位
μ
A
μ
A
V
S
0.50
3.5
11.0
11.5
12.0
15.3
12.5
13.0
14.5
18.0
564
102
64
26.5
81
136
97
6.0
1.3
2.3
0.82
1.50
漏极至源极导通电阻
17.5
18.5
22.0
27.5
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
记
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
记
脉冲： PW
≤
350
μ
S，占空比
≤
2%
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
R
L
V
GS
PG 。
R
G
电波表
D.U.T.
V
GS
0
10%
V
GS
90%
I
G
= 2毫安
50
Ω
R
L
V
DD
V
DD
PG 。
90%
V
DS
90%
10%
10%
V
GS
0
τ
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表G18792EJ1V0DS
μ
PA2450C
电气特性（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
总功耗对比
环境温度
3
安装在陶瓷板
2
五十厘米乘1.1万吨， 2个单位
安装在FR- 4板
50厘米
2
X 1.1万吨， 2个单位
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
T
A
- 环境温度 -
°C
1000
100
I
D
- 漏电流 - 一个
它编
LIM）
.5 V
=4
（ ON
R
S
GS
)
I
D（脉冲）
PW = 10
μs
(V
10
I
D（ DC）的
100
μs
DC
(2
un
它s
)
1
0.1
0.01
1毫秒
10毫秒
单脉冲
安装在陶瓷板
50厘米
2
×1.1万吨
P
D
（ FET1 ） ：P
D
（ FET 2 ）= 1 ：1的
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
第（章-a）的
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
安装在FR- 4板
2
五十厘米乘1.1万吨
100
10
安装在陶瓷板
50厘米
2
×1.1万吨
1
单脉冲
P
D
（ FET1 ） ：P
D
（ FET 2 ）= 1 ：1的
0.1
1m
10 m
100 m
1
PW - 脉冲宽度 - S
10
100
1000
数据表G18792EJ1V0DS
3
μ
PA2450C
漏电流与
漏源极电压
40
V
GS
= 4.5 V
4.0 V
3.1 V
2.5 V
正向传递特性
10
V
DS
= 10.0 V
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
30
1
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
20
0.1
10
脉冲
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门SOURE截止电压主场迎战
通道温度
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 -
°C
10
V
DS
= 10.0 V
I
D
= 1.0毫安
1
0.1
V
DS
= 10.0 V
脉冲
0.01
0.01
0.1
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
1
10
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
40
脉冲
30
V
GS
= 2.5 V
3.1 V
4.0 V
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
40
I
D
= 4.0 A
脉冲
30
20
20
10
4.5 V
10
0
0.1
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
4
数据表G18792EJ1V0DS
μ
PA2450C
漏极至源极导通电阻与
通道温度
电容与漏源极电压
1000
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
40
30
20
V
GS
= 2.5 V
3.1 V
4.0 V
4.5 V
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
I
D
= 4.0 A
脉冲
C
国际空间站
100
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
10
0
-50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 -
°
C
10
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
动态输入特性
1000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
GS
- 栅极到漏极电压 - V
V
DD
= 10.0 V
V
GS
= 4.0 V
R
G
= 6
Ω
t
D（关闭）
4
V
DD
= 4.0 V
10.0 V
16.0 V
3
100
t
f
t
r
t
D（上）
2
1
I
D
= 8.6 A
0
0
2
4
6
8
10
0.1
1
I
D
- 漏电流 - 一个
10
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管
正向电压
100
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
10
1
0.1
V
GS
= 0 V
脉冲
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
数据表G18792EJ1V0DS
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UVK0J103MDD
UPS0J332MPD
UF2005G
UT7C138C45WPX
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