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数据表
MOS场效应
PA1970
N沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该
PA1970是可驱动的开关装置
直接采用2.5 V电源。
该器件具有低导通电阻和出色
切换特性，并适合于应用程序，例如
随着便携式机器的电源开关等。
封装图（单位：mm ）
0.32
+0.1
–0.05
0.65
–0.15
+0.1
0.16
+0.1
–0.06
2.8 ±0.2
6
5
4
1.5
特点
2.5 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 69 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.0 A)
R
DS(on)2
= 72 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 1.0 A)
R
DS(on)3
= 107 mΩ以下。 （V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.0 A)
0-0.1
1
2
3
0.95
0.95
0.65
为0.91.1
1.9
2.9 ±0.2
订购信息
产品型号
包
SC- 95 （小型模具薄型）
PA1970TE
记
6:
1:
5:
排水1
门1
源1
4:
3:
2:
排水2
门2
源2
记
标记： TT
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
A
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
Note2
20
±
12
±
2.2
±
8.8
V
V
A
A
W
W
°C
°C
等效电路
排水1
排水2
门1
门
保护
二极管
体
二极管
门2
门
保护
二极管
体
二极管
总功率耗散（ 2台） （T
A
= 25°C)
总功率耗散（ 1部） （T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
1.15
0.57
150
-55到+150
源1
源2
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2
2.
安装在船上的FR- 4 5000毫米×1.1毫米，吨
≤
5秒。
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件G15934EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年9月NS CP （ K）
日本印刷
2001
PA1970
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
V
DD
= 16 V
V
GS
= 4.0 V
I
D
= 2.2 A
I
F
= 2.2 A，V
GS
= 0 V
测试条件
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±12
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1.0 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 10 V，I
D
= 1.0 A
V
GS
= 4.0 V
R
G
= 10
0.5
1.0
0.97
3.3
55
57
80
160
60
40
17
90
100
120
2.3
0.5
1.1
0.85
69
72
107
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
1.5
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
V
GS
PG 。
R
G
电波表
V
GS
0
10%
V
GS
90%
I
G
=
2
mA
50
R
L
V
DD
V
DD
PG 。
90%
V
DS
90%
10%
10%
V
GS （ - ）
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表G15934EJ1V0DS
PA1970
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
总功耗对比
环境温度
1.2
安装在FR- 4板
2
5000毫米乘以1.1米M，T
≤
5秒。
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
80
P
T
- 总功耗 - W
100
1
0.8
2台
0.6
0.4
0.2
0
1个单位
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
100
R
DS （ ON）
有限
(V
GS
= 4.5 V)
PW = 1毫秒
10毫秒
I
D（脉冲）
100毫秒
I
D（ DC）的
5秒（ 2台）
5秒（ 1台）
T
A
- 环境温度 -
°C
10
I
D
- 漏电流 - 一个
1
0.1
单脉冲
安装在FR- 4板
2
5000毫米X 1.1毫米
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
第（章-a）的
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
P
D
（ FET1 ） ：P
D
（ FET 2 ） = 1:0
100
P
D
（ FET1 ） ：P
D
（ FET 2 ）= 1 ：1的
10
单脉冲
安装在FR- 4板
2
5000毫米X 1.1毫米
1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G15934EJ1V0DS
3
PA1970
漏电流与
漏源极电压
10
脉冲
8
V
GS
= 4.5 V
4.0 V
6
正向传递特性
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
V
S
= 10 V
P ULS版
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
4
2.5 V
2
T
A
= 1 25°C
75°C
25°C
25°C
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
1.2
10
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
V
DS
= 10 V
脉冲
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
0
50
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.0毫安
1
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
0.1
100
150
0.01
0.01
0.1
1
10
T
ch
- 通道温度 -
°C
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
160
I
D
= 1.0 A
脉冲
120
V
GS
= 2.5 V
4.0 V
80
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
160
I
D
= 1.0 A
脉冲
120
80
4.5 V
40
40
0
-50
0
50
100
150
0
0
2
4
6
8
10
12
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表G15934EJ1V0DS
PA1970
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
160
V
GS
= 4.5 V
脉冲
120
T
A
= 125°C
75°C
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
160
V
GS
= 4.0 V
脉冲
120
T
A
= 125°C
75°C
80
80
40
25°C
25°C
40
25°C
25°C
0
0.01
0
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
160
I
D
- 漏电流 - 一个
开关特性
1000
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
120
T
A
= 125°C
75°C
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
的s
= 2.5 V
脉冲
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.0 V
R
G
= 10
t
D（关闭）
100
t
f
t
r
t
D（上）
80
40
25°C
25°C
0
0.01
0.1
1
10
10
0.1
1
10
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
电容与
漏源极电压
1000
10
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MH
源极到漏极二极管
正向电压
V
GS
= 0 V
脉冲
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
1
C
国际空间站
100
C
OSS
C
RSS
0.1
10
0.1
1
10
100
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
数据表G15934EJ1V0DS
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    UPA1970
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人：刘先生
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