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数据表
MOS场效应
PA1952
P沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该
PA1952是一种开关装置，其可被驱动
直接采用1.8 V电源。
该器件具有低导通电阻和出色
切换特性，并适合于应用
如便携式机器的电源开关等。
封装图（单位：mm ）
0.32
+0.1
–0.05
0.65
–0.15
+0.1
0.16
+0.1
–0.06
2.8 ±0.2
6
5
4
1.5
特点
1.8 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 135 mΩ以下。 （V
GS
=
4.5V,
I
D
=
1.0
A)
R
DS(on)2
= 183 mΩ以下。 （V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1.0
A)
R
DS(on)3
= 284 mΩ以下。 （V
GS
=
1.8
V，I
D
=
0.5
A)
0-0.1
1
2
3
0.95
0.95
0.65
为0.91.1
1.9
2.9 ±0.2
6 ：排水1
1 ： 1门
5 ：源1
4 ： 2排水
3 ： 2门
2 ： 2来源
订购信息
产品型号
包
SC- 95 （小型模具薄型）
PA1952TE
标记： TP
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
等效电路
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
20
m8.0
m2.0
m8.0
1.15
0.57
150
55
+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
门1
门
保护
二极管
排水1
排水2
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
Note2
体
二极管
门2
门
保护
二极管
体
二极管
总功率耗散（ 2台）
总功率耗散（ 1个单位）
通道温度
储存温度
源1
源2
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2
2.
安装在船上的FR- 4 5000毫米×1.1毫米，吨
≤
5秒。
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件G15933EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年8月NS CP （ K）
日本印刷
2001
PA1952
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
V
DD
=
16
V
V
GS
=
4.0
V
I
D
=
2.0
A
I
F
= 2.0 A，V
GS
= 0 V
测试条件
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
m
8.0 V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
10
V，I
D
=
1.0
mA
V
DS
=
10
V，I
D
=
1.0
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1.0
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1.0
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
0.5
A
V
DS
=
10
V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
V
DD
=
10
V，I
D
=
1.0
A
V
GS
=
4.0
V
R
G
= 10
0.45
1.0
0.75
4.1
108
137
170
272
60
30
29
120
145
148
2.3
0.6
0.6
0.9
135
183
284
分钟。
典型值。
马克斯。
10
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
m
10
1.5
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
V
GS
PG 。
R
G
电波表
V
GS （ - ）
0
10%
V
GS
90%
I
G
=
2
mA
50
R
L
V
DD
V
DD
PG 。
90%
V
DS （ - ）
90%
10%
10%
V
GS （ - ）
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表G15933EJ1V0DS
PA1952
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
总功耗对比
环境温度
1.2
P
T
- 总功耗 - W
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
安装在FR- 4板
2
5000毫米×1.1毫米，吨
≤
5秒。
2台
1个单位
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
- 100
R
DS （ ON）
廉资讯科技教育
(V
GS
=
4.5
V)
I
D（脉冲）
I
D（ DC）的
PW = 1米每秒
-1
5秒（ 1台）
5秒（ 2台）
- 0.1
单脉冲
M ounted在FR -4板
5000 M M
2
×1.1 M M
-1
- 10
10米每秒
100米每秒
I
D
- 漏电流 - 一个
- 10
- 0.01
- 0.1
- 100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
第（章-a）的
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
P
D
（ FET1 ） ：P
D
（ FET 2 ） = 1:0
100
P
D
（ FET1 ） ：P
D
（ FET 2 ）= 1 ：1的
10
单脉冲
安装在FR- 4板
2
5000毫米X 1.1毫米
10 m
100 m
1
10
100
1000
1
1m
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G15933EJ1V0DS
3
PA1952
漏电流与
漏源极电压
-8
脉冲
V
GS
=
4.5
V
正向传递特性
- 10
- 1
V
DS
=
10 V
P ü ls的E D
I
D
- 漏电流 - 一个
-6
I
D
- 漏电流 - 一个
- 0 .1
- 0 .0 1
- 0 .0 0 1
- 0 .0 0 0 1
- 0 .0 0 0 0 1
T
A
= 1 2 5 °C
7 5 °C
2 5 °C
2 5 °C
-4
2.5
V
-2
1.8
V
0
0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
-1
- 1.2
0
- 0 .5
- 1
- 1 .5
- 2
- 2 .5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
-1
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
10
V
DS
=
10
V
脉冲
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
- 0.9
- 0.8
- 0.7
- 0.6
- 0.5
- 0.4
-50
0
50
V
DS
=
10
V
I
D
=
1.0
mA
1
0.1
100
150
0.01
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
300
脉冲
250
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
0.5
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1.0
A
200
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
300
脉冲
250
200
I
D
=
1.0
A
150
150
100
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1.0
A
50
-50
0
50
100
150
100
50
0
-2
-4
-6
-8
T
ch
- 通道温度 - C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表G15933EJ1V0DS
PA1952
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
300
V
GS
=
4.5
V
脉冲
250
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
漏极至源极导通电阻与
漏电流
300
V
GS
=
2.5
V
脉冲
250
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
200
200
150
150
100
100
50
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
50
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
300
T
A
= 125°C
75°C
200
25°C
开关特性
1000
250
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
GS
=
1.8
V
脉冲
V
DD
=
10
V
V
GS
=
4.0
V
R
G
= 10
t
D（关闭）
100
t
f
t
r
150
25°C
100
t
D（上）
10
- 0.1
50
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
-1
- 10
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
电容与漏源极电压
1000
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
C
国际空间站
源极到漏极二极管的正向电压
10
脉冲
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
1
V
GS
= 0 V
100
C
OSS
C
RSS
10
- 0.1
0.1
0.01
-1
- 10
- 100
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
数据表G15933EJ1V0DS
5
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UFB2412MP-6W
USB004-LF-T7
ULS-2815H
UFM204
UPD78330
UPD703208GK-XXX-9EU
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA1952
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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