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数据表
MOS场效应
PA1917
P沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
PA1917是可驱动的开关装置
直接采用1.8 V电源。
该器件具有低导通电阻和出色
切换特性,并适合于应用程序,例如
随着便携式机器的电源开关等。
封装图(单位:mm )
0.32
+0.1
–0.05
0.65
–0.15
+0.1
0.16
+0.1
–0.06
2.8 ±0.2
6
5
4
1.5
特点
1.8 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 53 mΩ以下。 (V
GS
= -4.5 V,I
D
= –3.0 A)
R
DS(on)2
= 70 mΩ以下。 (V
GS
= -2.5 V,I
D
= –3.0 A)
R
DS(on)3
= 107 mΩ以下。 (V
GS
= -1.8 V,I
D
= –1.5 A)
0-0.1
1
2
3
0.95
0.95
0.65
为0.91.1
1.9
2.9 ±0.2
订购信息
产品型号
SC- 95 (小型模具薄型)
1,2, 5 ,6:排水
3
:门
4
资料来源:
PA1917TE
标记: TR
等效电路
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
A
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
–20
m8.0
m6.0
m24
0.2
2.0
150
-55到+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
保护
二极管
二极管
总功耗
总功耗
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2.
安装在FR- 4电路板,T
5秒。
备注
Note2
来源
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用,额外的保护电路所需的外部,如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
G15925EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年6月NS CP ( K)
日本印刷
2002
PA1917
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
栅极到源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
二极管的正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
V
DD
= –16 V
V
GS
= –4.0 V
I
D
= –6.0 A
I
F
= 6.0 A,V
GS
= 0 V
测试条件
V
DS
= –20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
m
8.0 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -10 V,I
D
= -1.0毫安
V
DS
= -10 V,I
D
= –3.0 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= –3.0 A
V
GS
= -2.5 V,I
D
= –3.0 A
V
GS
= -1.8 V,I
D
= –1.5 A
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
V
DD
= -10 V,I
D
= –3.0 A
V
GS
= –4.0 V
R
G
= 10
–0.45
5.0
–0.75
10.4
42
52
64
835
170
99
16
64
78
108
8.1
1.3
2.8
0.94
53
70
107
分钟。
典型值。
马克斯。
–10
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
m
10
–1.5
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
V
GS
PG 。
R
G
电波表
V
GS ( - )
0
10%
V
GS
90%
I
G
=
2
mA
50
R
L
V
DD
V
DD
PG 。
90%
V
DS ( - )
90%
10%
10%
V
GS ( - )
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
2
数据表G15925EJ1V0DS
PA1917
典型特征(T
A
= 25°C)
降额系数正向偏压
安全工作区
120
2.4
总功耗对比
环境温度
胸苷 - 百分比额定功率 - %
P
T
- 总功耗 - W
100
2
80
1.6
60
1.2
40
0.8
0.4
20
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
- 100
R
DS ( ON)
有限
(V
GS
=
4.5
V)
T
A
- 环境温度 -
°C
I
D(脉冲)
PW = 100
s
- 10
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D( DC)的
1毫秒
-1
10毫秒
100毫秒
- 0.1
单脉冲
安装在FR- 4板
50 mm×50 mm×1.6 mm
5s
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
- 100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
第(章-a)的
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
单脉冲
无板
100
10
安装在FR- 4板
50 mm × 50 mm × 1.6 mm
1
0.1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G15925EJ1V0DS
3
PA1917
漏电流与
漏源极电压
- 20
脉冲
- 16
V
GS
=
4.5 V
正向传递特性
-100
-10
I
D
- 漏电流 - 一个
2.5 V
I
D
- 漏电流 - 一个
-1
-0.1
-0.01
-0.001
-0.0001
- 12
-8
1.8 V
T
A
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
-4
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-0.00001
0
-1
-2
脉冲
V
DS
=
10 V
-3
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
-1.3
100
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
T
A
=
25°C
25
°
C
75°C
125
°
C
脉冲
V
DS
=
10
V
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
V
DS
=
10 V
I
D
=
1
mA
10
-0.8
1
0.1
-0.3
-50
0
50
100
150
0.01
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
T
ch
- 通道温度 -
°C
漏极至源极导通状态
电阻与漏电流
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
140
120
100
80
60
40
20
-0.01
脉冲
V
GS
=
4.5 V
140
120
100
80
60
40
20
-0.01
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通状态
性vs.Drain当前
脉冲
V
GS
=
2.5
V
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
T
A
= 125°C
75°C
25°C
-25°C
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-1
-10
-100
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
4
数据表G15925EJ1V0DS
PA1917
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
脉冲
V
GS
=
1.8 V
120
漏极至源极导通电阻
与门源电压
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
100
脉冲
I
D
=
3.0 A
80
140
100
T
A
= 125°C
80
75°C
25
°
C
60
25
°
C
60
40
40
20
-0.01
20
0
-2
-4
-6
-8
- 10
-0.1
-1
-10
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻
与通道温度
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
100
脉冲
I
D
=
3.0 A
80
2.5 V
4.5
V
= -1.8 V
(I
D
=
1.5
A)
V
GS
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
电容与
漏源极电压
10000
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
1000
C
国际空间站
60
100
C
OSS
C
RSS
40
20
-50
0
50
100
150
10
-0.1
-1
-10
-100
T
ch
- 通道Temperrature -
°C
开关特性
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
动态输入/输出特性
-5
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DD
=
15
V
V
GS
=
4.0
V
R
G
= 10
t
f
I
D
=
6.0 A
-4
V
DD
=
4 V
10
V
16 V
100
t
r
t
D(关闭)
-3
-2
10
t
D(上)
-1
1
-0.1
0
-1
-10
0
2
4
6
8
I
D
- 漏电流 - 一个
数据表G15925EJ1V0DS
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA1917TE
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
UPA1917TE
NEC
21+
12000
SOT23-6
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
UPA1917TE
NEC
24+
6000
SOT163
授权分销 现货热卖
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
UPA1917TE
RENESAS/瑞萨
2443+
23000
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
UPA1917TE
NEC
25+23+
21500
SOT23-6
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
UPA1917TE
RENESAS/瑞萨
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21000
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
UPA1917TE
VBSEMI/台湾微碧
2024
20918
SC-95
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
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UPA1917TE
RENESAS/瑞萨
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32000
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
UPA1917TE
NEC
2407+
4025
SOT23-6
优势库存现货特价专营TI.NSC.MICREL
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