数据表
MOS场效应
PA1917
P沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该
PA1917是可驱动的开关装置
直接采用1.8 V电源。
该器件具有低导通电阻和出色
切换特性,并适合于应用程序,例如
随着便携式机器的电源开关等。
封装图(单位:mm )
0.32
+0.1
–0.05
0.65
–0.15
+0.1
0.16
+0.1
–0.06
2.8 ±0.2
6
5
4
1.5
特点
1.8 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 53 mΩ以下。 (V
GS
= -4.5 V,I
D
= –3.0 A)
R
DS(on)2
= 70 mΩ以下。 (V
GS
= -2.5 V,I
D
= –3.0 A)
R
DS(on)3
= 107 mΩ以下。 (V
GS
= -1.8 V,I
D
= –1.5 A)
0-0.1
1
2
3
0.95
0.95
0.65
为0.91.1
1.9
2.9 ±0.2
订购信息
产品型号
包
SC- 95 (小型模具薄型)
1,2, 5 ,6:排水
3
:门
4
资料来源:
PA1917TE
标记: TR
等效电路
漏
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
A
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
–20
m8.0
m6.0
m24
0.2
2.0
150
-55到+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
门
门
保护
二极管
体
二极管
总功耗
总功耗
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
≤
10
S,占空比
≤
1%
2.
安装在FR- 4电路板,T
≤
5秒。
备注
Note2
来源
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用,额外的保护电路所需的外部,如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
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文档编号
G15925EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年6月NS CP ( K)
日本印刷
2002