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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第268页 > UPA1872B
数据表
MOS场效应
PA1872B
N沟道MOS场效应晶体管
切换
封装图（单位：mm ）
8
5
1
2, 3
4
5
6, 7
8
： Drain1
：源1
： GATE1
： GATE2
：源2
： Drain2
描述
该
PA1872B是一种开关装置，该装置可被驱动
直接采用2.5 V电源。
该
PA1872B具有低导通电阻和
开关特性优良，并且适用于
应用，例如便携式计算机的电源开关和
等等。
1.2最大。
1.0±0.05
0.25
3°
+5°
–3°
特点
2.5 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 13.0 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A)
R
DS(on)2
= 13.5 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 5.0 A)
R
DS(on)3
= 15.5 mΩ以下。 （V
GS
= 3.1 V，I
D
= 5.0 A)
R
DS(on)4
= 18.0 mΩ以下。 （V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.0 A)
内置ESD对G- s防护二极管
1
4
0.1±0.05
0.5
0.6
+0.15
–0.1
0.145 ±0.055
3.15 ±0.15
3.0 ±0.1
6.4 ±0.2
4.4 ±0.1
1.0 ±0.2
0.65
0.27
+0.03
–0.08
0.8最大。
0.10 M
0.1
订购信息
产品型号
包
电源TSSOP8
PA1872BGR-9JG
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
注1
注2
注1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
2
20.0
±12.0
±10.0
±80.0
2.0
150
-55到+150
V
V
A
A
W
°C
°C
Gate1
等效电路
Drain1
Drain2
漏电流（脉冲）
体
二极管
Gate2
门
保护
二极管
Source2
体
二极管
总功耗
通道温度
储存温度
门
保护
二极管
Source1
注意事项1 。
安装在50厘米× 1.1毫米陶瓷板
2.
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件G16742EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2004年4月NS CP （ K）
日本印刷
2004
PA1872B
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
记
记
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
R
DS(on)4
测试条件
V
DS
= 20.0 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±12.0 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10.0 V，I
D
= 1.0毫安
V
DS
= 10.0 V，I
D
= 5.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.0 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 5.0 A
V
GS
= 3.1 V，I
D
= 5.0 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.0 A
V
DS
= 10.0 V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 10.0 V，I
D
= 5.0 A
V
GS
= 4.0 V
R
G
= 10
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
±10.0
单位
A
A
V
S
0.50
5
8.0
8.5
9.0
10.0
1.00
1.50
漏极至源极导通电阻
10.0
10.5
11.0
13.0
945
220
160
47
315
255
330
13.0
13.5
15.5
18.0
m
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
记
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 16.0 V
V
GS
= 4.0 V
I
D
= 10.0 A
I
F
= 10.0 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 10.0 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 50A /
s
10.0
2.5
4.5
0.83
240
220
记
脉冲： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
R
L
V
GS
PG 。
R
G
电波表
D.U.T.
V
GS
0
10%
I
G
= 2毫安
V
GS
90%
R
L
V
DD
V
DD
PG 。
90%
90%
10%
10%
50
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表G16742EJ1V0DS
PA1872B
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
总功耗对比
环境温度
2.5
P
T
- 总功耗 - W
2
1.5
1
0.5
0
0
25
50
安装在陶瓷板
50厘米
2
×1.1毫米， 2单位
安装在FR- 4板
2
25厘米×1.6毫米， 2单位
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
T
A
- 环境温度 -
°C
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
第（章-a）的
- 瞬态热阻 -
° C / W
单脉冲
安装在陶瓷板
50厘米
2
X 1.1毫米
P
D
（ FET1 ） ：P
D
（ FET 2 ）= 1 ：1的
R
DS （ ON）
有限
（在V
GS
= 4.5 V)
PW = 10
s
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC （ 2台）
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D（ DC）的
1000
安装在FR- 4板
25厘米
2
X 1.6毫米
100
安装在陶瓷板
2
五十厘米乘1.1毫米
10
1
单脉冲
P
D
（ FET1 ） ：P
D
（ FET 2 ）= 1 ：1的
0.1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G16742EJ1V0DS
3
PA1872B
漏电流与
漏源极电压
40
脉冲
V
GS
= 4.5 V
4.0 V
3.1 V
正向传递特性
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
DS
= 10.0 V
脉冲
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
I
D
- 漏电流 - 一个
30
20
10
2.5 V
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
D
- 漏电流 - 一个
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
1.5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
V
DS
= 10.0 V
脉冲
10
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
V
DS
= 10.0 V
I
D
　=
1.0毫安
1
1
0.5
-50
0
50
100
150
0.1
0.01
0.1
1
10
T
ch
- 通道温度 -
°C
漏极至源极导通电阻与
漏电流
40
V
GS
= 4.5 V
脉冲
30
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
40
V
GS
= 4.0 V
脉冲
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
30
20
20
10
10
0
0.1
1
10
100
0
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
4
数据表G16742EJ1V0DS
PA1872B
漏极至源极导通电阻与
漏电流
40
V
GS
= 3.1 V
脉冲
30
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
40
V
GS
= 2.5 V
脉冲
30
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
20
20
10
10
0
0.1
1
10
100
0
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
40
I
D
= 5.0 A
脉冲
30
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
通道温度
40
I
D
= 5.0 A
脉冲
30
V
GS
= 2.5 V
3.1 V
4.0 V
4.5 V
20
20
10
10
0
0
2
4
6
8
10
12
0
-50
0
50
100
150
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
电容与漏源极电压
10000
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
C
国际空间站
T
ch
- 通道温度 - C
开关特性
1000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
t
D（关闭）
t
f
100
1000
t
r
t
D（上）
100
C
OSS
C
RSS
V
DD
= 10.0 V
V
GS
= 4.0 V
R
G
= 10
1
10
10
0.1
1
10
100
10
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
数据表G16742EJ1V0DS
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UPM1C152MHD
UU10LFBNP-B333
U642B-MY
UVR1V470MDD
UGQ5140
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    UPA1872B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
UPA1872B
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