【数据表MOS场效应PA1872N沟道MOS场效应晶体管切换描述该PA1872是它可以是一个开关器件直】,IC型号UPA1872,UPA1872 PDF资料,UPA1872经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应

PA1872

N沟道MOS场效应晶体管

切换

描述

该

PA1872是它可以是一个开关器件

直接采用2.5 V电源驱动。

该器件具有低导通电阻和

开关特性优良，并且适用于

应用，例如便携式计算机的电源开关

等等。

8

封装图（单位：mm ）

5

1

2, 3

4

5

6, 7

8

： Drain1

：源1

： GATE1

： GATE2

：源2

： Drain2

1.2最大。

1.0±0.05

0.25

3°

+5°

–3°

0.1±0.05

0.5

0.6

+0.15

–0.1

特点

2.5 V驱动器可用

低通态电阻

R

DS(on)1

= 13.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 5.0 A)

R

DS(on)2

= 13.5 mΩ以下。（V

GS

= 4.0 V，I

D

= 5.0 A)

R

DS(on)3

= 15.5 mΩ以下。（V

GS

= 3.1 V，I

D

= 5.0 A)

R

DS(on)4

= 18.0 mΩ以下。（V

GS

= 2.5 V，I

D

= 5.0 A)

内置ESD对G- s防护二极管

1

4

0.145 ±0.055

3.15 ±0.15

3.0 ±0.1

6.4 ±0.2

4.4 ±0.1

1.0 ±0.2

订购信息

产品型号

包

0.65

0.8最大。

PA1872GR-9JG

0.1

电源TSSOP8

0.27

+0.03

–0.08

0.10 M

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

A

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

ch

T

英镑

20

±12

±10

±80

2.0

150

-55到+150

V

A

W

°C

Gate1

等效电路

Drain1

Drain2

体

二极管

Gate2

门

保护

二极管

Source2

体

二极管

总功率耗散（ 2个）

通道温度

储存温度

门

保护

二极管

Source1

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

2

2.

装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当

该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定

电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

G15622EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2001年12月NS CP （ K）

日本印刷

2001

PA1872

电气特性（T

A

= 25°C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

R

DS(on)4

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

= 16 V

V

GS

= 4.0 V

I

D

= 10 A

I

F

= 10 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 10 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 50A /

s

测试条件

V

DS

= 20 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±12 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1.0毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 3.1 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 5.0 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1.0 MHz的

V

DD

= 10 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 4.0 V

R

G

= 10

0.5

5.0

8.0

8.5

9.0

10.0

10.5

11.5

13.5

1200

370

270

60

350

450

640

15

2.0

8.0

0.83

470

990

13.0

13.5

15.5

18.0

1.0

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±10

1.5

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

R

L

V

GS

PG 。

R

G

电波表

V

GS

0

10%

V

GS

90%

I

G

= 2毫安

50

R

L

V

DD

V

DD

PG 。

90%

V

DS

90%

10%

V

GS

0

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

V

DS

V

DS

电波表

0

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

2

数据表G15622EJ1V0DS

PA1872

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

80

正向偏置安全工作区

1000

100

R

DS （ ON）

有限

(V

GS

= 4.5 V)

的dT - 降额因子 - ％

I

D

（脉冲）

PW = 10

s

I

D

- 漏电流 - 一个

60

10

I

D

(

DC

)

100

s

1毫秒

40

1

10毫秒

100毫秒

20

0.1

单脉冲

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

DC

0

30

60

120

90

T

A

- 环境温度 -

C

150

0.01

0.1

10

1

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

100

漏电流与

漏源极电压

35

30

正向传递特性

100

V

DS =

10 V

脉冲

V

GS

= 4.5 V

10

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

25

20

4.0 V

1

0.1

T

A

= 125C

3.1 V

15

10

2.5 V

5

0

25C

0.01

0.001

0.0001

75C

25C

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.00001

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 门到SORCE电压 - V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

门源截止电压主场迎战

通道温度

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

1.5 V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V

25

C

T

A

= 25

C

10

75

C

1

125

C

0.1

1.0

0.5

50

0

50

100

150

0.01

0.1

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

100

T

ch

- 通道温度 - C

数据表G15622EJ1V0DS

3

PA1872

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

25

V

GS

= 2.5 V

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

25

V

GS

= 3.1 V

20

T

A

= 125

C

15

75

C

25

C

25

C

10

20

15

T

A

= 125

C

75

C

25

C

10

25

C

5

0.01

0.1

1

10

I

D

- 漏电流 - 一个

100

5

0.01

0.1

1

10

I

D

- 漏电流 - 一个

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

20

V

GS

= 4.0 V

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

20

V

GS

= 4.5 V

15

T

A

= 125

C

75

C

10

25

C

25

C

15

T

A

= 125

C

75

C

10

25

C

25

C

5

0.01

0.1

1

10

I

D

- 漏电流 - 一个

100

5

0.01

0.1

1

10

I

D

- 漏电流 - 一个

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

20

I

D

= 5 A

V

GS

= 2.5 V

3.1 V

4.0 V

4.5 V

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

30

脉冲

I

D

= 5.0 A

25

15

20

15

10

5

50

0

50

100

150

5

0

2

4

6

8

10

12

T

ch

- 通道温度 -

C

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

4

数据表G15622EJ1V0DS

PA1872

电容与漏极TO

源极电压

10000

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

开关特性

1000

t

f

t

D（关闭）

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

1000

C

国际空间站

t

r

100

t

D（上）

C

OSS

C

RSS

100

10

0.1

1

10

100

10

0.1

V

DD

= 10 V

V

GS

= 4.0 V

R

G

= 10

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

I

D

- 漏电流 - 一个

源极到漏极二极管的正向电压

100

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

动态输入/输出特性

5

I

D

= 10 A

V

DD

= 16 V

10 V

3

V

GS

= 0 V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

4

10

1

2

0.1

1

0.01

0.4

0

0.6

0.8

1.0

1.2

0

4

8

12

16

20

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

单脉冲

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

装25厘米上的FR-4板

2

X 1.6毫米

125C/W

r

第（章-a）的

- 瞬态热阻 - C / W

100

安装在50厘米的陶瓷板

2

X 1.1毫米

62.5C/W

10

1

0.1

0.001

0.01

0.1

1

PW - 脉冲宽度 - S

10

100

1000

数据表G15622EJ1V0DS

5

数据表

MOS场效应

PA1872

N沟道MOS场效应晶体管

切换

描述

该

PA1872是它可以是一个开关器件

直接采用2.5 V电源驱动。

该器件具有低导通电阻和

开关特性优良，并且适用于

应用，例如便携式计算机的电源开关

等等。

8

封装图（单位：mm ）

5

1

2, 3

4

5

6, 7

8

： Drain1

：源1

： GATE1

： GATE2

：源2

： Drain2

1.2最大。

1.0±0.05

0.25

3°

+5°

–3°

0.1±0.05

0.5

0.6

+0.15

–0.1

特点

2.5 V驱动器可用

低通态电阻

R

DS(on)1

= 13.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 5.0 A)

R

DS(on)2

= 13.5 mΩ以下。（V

GS

= 4.0 V，I

D

= 5.0 A)

R

DS(on)3

= 15.5 mΩ以下。（V

GS

= 3.1 V，I

D

= 5.0 A)

R

DS(on)4

= 18.0 mΩ以下。（V

GS

= 2.5 V，I

D

= 5.0 A)

内置ESD对G- s防护二极管

1

4

0.145 ±0.055

3.15 ±0.15

3.0 ±0.1

6.4 ±0.2

4.4 ±0.1

1.0 ±0.2

订购信息

产品型号

包

0.65

0.8最大。

PA1872GR-9JG

0.1

电源TSSOP8

0.27

+0.03

–0.08

0.10 M

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

A

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

ch

T

英镑

20

±12

±10

±80

2.0

150

-55到+150

V

A

W

°C

Gate1

等效电路

Drain1

Drain2

体

二极管

Gate2

门

保护

二极管

Source2

体

二极管

总功率耗散（ 2个）

通道温度

储存温度

门

保护

二极管

Source1

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

2

2.

装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当

该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定

电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

G15622EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2001年12月NS CP （ K）

日本印刷

2001

PA1872

电气特性（T

A

= 25°C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

R

DS(on)4

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

= 16 V

V

GS

= 4.0 V

I

D

= 10 A

I

F

= 10 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 10 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 50A /

s

测试条件

V

DS

= 20 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±12 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1.0毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 3.1 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 5.0 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1.0 MHz的

V

DD

= 10 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 4.0 V

R

G

= 10

0.5

5.0

8.0

8.5

9.0

10.0

10.5

11.5

13.5

1200

370

270

60

350

450

640

15

2.0

8.0

0.83

470

990

13.0

13.5

15.5

18.0

1.0

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±10

1.5

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

R

L

V

GS

PG 。

R

G

电波表

V

GS

0

10%

V

GS

90%

I

G

= 2毫安

50

R

L

V

DD

V

DD

PG 。

90%

V

DS

90%

10%

V

GS

0

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

V

DS

V

DS

电波表

0

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

2

数据表G15622EJ1V0DS

PA1872

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

80

正向偏置安全工作区

1000

100

R

DS （ ON）

有限

(V

GS

= 4.5 V)

的dT - 降额因子 - ％

I

D

（脉冲）

PW = 10

s

I

D

- 漏电流 - 一个

60

10

I

D

(

DC

)

100

s

1毫秒

40

1

10毫秒

100毫秒

20

0.1

单脉冲

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

DC

0

30

60

120

90

T

A

- 环境温度 -

C

150

0.01

0.1

10

1

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

100

漏电流与

漏源极电压

35

30

正向传递特性

100

V

DS =

10 V

脉冲

V

GS

= 4.5 V

10

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

25

20

4.0 V

1

0.1

T

A

= 125C

3.1 V

15

10

2.5 V

5

0

25C

0.01

0.001

0.0001

75C

25C

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.00001

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 门到SORCE电压 - V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

门源截止电压主场迎战

通道温度

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

1.5 V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V

25

C

T

A

= 25

C

10

75

C

1

125

C

0.1

1.0

0.5

50

0

50

100

150

0.01

0.1

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

100

T

ch

- 通道温度 - C

数据表G15622EJ1V0DS

3

PA1872

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

25

V

GS

= 2.5 V

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

25

V

GS

= 3.1 V

20

T

A

= 125

C

15

75

C

25

C

25

C

10

20

15

T

A

= 125

C

75

C

25

C

10

25

C

5

0.01

0.1

1

10

I

D

- 漏电流 - 一个

100

5

0.01

0.1

1

10

I

D

- 漏电流 - 一个

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

20

V

GS

= 4.0 V

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

20

V

GS

= 4.5 V

15

T

A

= 125

C

75

C

10

25

C

25

C

15

T

A

= 125

C

75

C

10

25

C

25

C

5

0.01

0.1

1

10

I

D

- 漏电流 - 一个

100

5

0.01

0.1

1

10

I

D

- 漏电流 - 一个

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

20

I

D

= 5 A

V

GS

= 2.5 V

3.1 V

4.0 V

4.5 V

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

30

脉冲

I

D

= 5.0 A

25

15

20

15

10

5

50

0

50

100

150

5

0

2

4

6

8

10

12

T

ch

- 通道温度 -

C

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

4

数据表G15622EJ1V0DS

PA1872

电容与漏极TO

源极电压

10000

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

开关特性

1000

t

f

t

D（关闭）

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

F = 1 MHz的

V

GS

= 0 V

1000

C

国际空间站

t

r

100

t

D（上）

C

OSS

C

RSS

100

10

0.1

1

10

100

10

0.1

V

DD

= 10 V

V

GS

= 4.0 V

R

G

= 10

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

I

D

- 漏电流 - 一个

源极到漏极二极管的正向电压

100

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

动态输入/输出特性

5

I

D

= 10 A

V

DD

= 16 V

10 V

3

V

GS

= 0 V

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

4

10

1

2

0.1

1

0.01

0.4

0

0.6

0.8

1.0

1.2

0

4

8

12

16

20

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

单脉冲

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

装25厘米上的FR-4板

2

X 1.6毫米

125C/W

r

第（章-a）的

- 瞬态热阻 - C / W

100

安装在50厘米的陶瓷板

2

X 1.1毫米

62.5C/W

10

1

0.1

0.001

0.01

0.1

1

PW - 脉冲宽度 - S

10

100

1000

数据表G15622EJ1V0DS

5