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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第177页 > UPA1871GR-9JG
数据表
MOS场效应
PA1871
N沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该
PA1871是它可以是一个开关器件
直接通过2.5 V的电源驱动。
该
PA1871采用低导通电阻和
开关特性优良，并且适用于
应用，例如便携式计算机的电源开关
等等。
8
封装图（单位：mm ）
5
1
2, 3
4
5
6, 7
8
： Drain1
：源1
： GATE1
： GATE2
：源2
： Drain2
1.2最大。
1.0±0.05
0.25
3°
+5°
–3°
0.1±0.05
0.5
0.6
+0.15
–0.1
特点
可以通过一个2.5 V的电源来驱动
低通态电阻
R
DS(on)1
= 26.0 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.0 A)
R
DS(on)2
= 27.0 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 3.0 A)
R
DS(on)3
= 38.0 mΩ以下。 （V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.0 A)
内置ESD对G- s防护二极管
1
4
0.145 ±0.055
3.15 ±0.15
3.0 ±0.1
6.4 ±0.2
4.4 ±0.1
1.0 ±0.2
订购信息
产品型号
包
电源TSSOP8
0.65
0.27
+0.03
–0.08
0.8最大。
PA1871GR-9JG
0.1
0.10 M
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
等效电路
30
±12
±6.0
±80
2.0
150
V
V
A
A
W
°C
°C
Gate1
门
保护
二极管
Source1
Drain1
Drain2
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
体
二极管
Gate2
门
保护
二极管
Source2
体
二极管
总功耗
通道温度
储存温度
-55到+150
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2
2.
装在50厘米× 1.1毫米陶瓷基板
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
G14887EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2001年4月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
2000
PA1871
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 24 V
V
GS
= 4.0 V
I
D
= 6.0 A
I
F
= 6.0 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 6.0 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 50A /
s
测试条件
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±12 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.0 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 3.0 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.0 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V，I
D
= 3.0 A
V
GS （ ON）
= 4.0 V
R
G
= 10
0.5
5
15.0
16.0
21.0
20.5
21.5
27.8
930
220
105
55
180
260
230
9
2
4
0.80
180
120
26.0
27.0
38.0
1.0
分钟。
典型值。
马克斯。
10
±10
1.5
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
电波表
V
GS
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
（上）
90%
D.U.T.
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
90%
90%
PG 。
I
D
0 10%
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表G14887EJ2V0DS
PA1871
典型特征（T
A
= 25°C)
5
100
正向偏置安全工作区
d
ITE ）
IM 0.5 V
L
I
D（脉冲）
n)
= 4
(o
DS GS
诉
(@
正向偏置的降额因子
安全工作区
100
80
PW
1m
s
10
ms
=1
0
s
的dT - 降额因子 - ％
I
D
- 漏电流 - 一个
10
I
D（ DC）的
60
10
0m
s
DC
1
40
20
0.1
单脉冲
P
D
（ FET1 ） ：P
D
（ FET 2 ）= 1 ：1的
0
0
30
60
120
90
T
A
- 环境温度 -
C
150
0.01
0.1
1.0
10.0
100.0
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
漏电流与
漏源极电压
25
正向传递特性
100
10
I
D
- 漏电流 - 一个
V
DS
= 10 V
20
V
GS
= 4.5 V
I
D
- 漏电流 - 一个
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
A
= 125C
75C
25C
25C
15
V
GS
= 4.0 V
10
5
V
GS
= 2.5 V
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.00001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100000
V
DS
= 10 V
1.5 V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
10000
1
1000
T
A
=
25
C
25
C
75
C
125
C
0.100
0.5
50
0
50
100
150
0.010
0.01
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 - C
I
D
- 漏电流 - 一个
数据表G14887EJ2V0DS
3
PA1871
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
50
V
GS
= 2.5 V
漏极至源极导通电阻与
漏电流
40
V
GS
= 4.0 V
40
T
A
= 125C
30
T
A
= 125C
75C
25C
75C
30
25C
25C
20
25C
20
0.01
0.1
1
10
100
10
0.01
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
40
V
GS
= 4.5 V
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
50
I
D
= 3.0 A
40
V
GS
= 2.5 V
30
4.0 V
20
4.5 V
30
T
A
= 125C
75C
25C
25C
20
10
0.01
0.1
1
10
100
10
50
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
50
T
ch
- 通道温度 - C
电容与
漏源极电压
10000
F = 1 MHz的
40
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
I
D
= 3.0 A
1000
C
国际空间站
30
20
100
C
OSS
C
RSS
10
0
0
2
4
6
8
10
12
10
0.1
1
10
100
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
4
数据表G14887EJ2V0DS
PA1871
开关特性
1000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
源极到漏极二极管的正向电压
100
t
r
t
f
t
D（关闭）
V
GS
= 0V
I
F
- 源极到漏极电流 - 一个
10
10
100
t
D（上）
1
0.1
10
0.1
V
DD
= 10 V
V
GS （ ON）
= 4 V
R
G
= 10
1
I
D
- 漏电流 - 一个
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
F（ S- D）的
- 体二极管正向电压 - V
动态输入特性
6
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
I
D
= 6.0 A
5
4
3
2
1
0
0
V
DD
= 24 V
15 V
10 V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
5
1000
瞬态热阻与脉冲宽度
r
第（章-a）的
- 瞬态热阻 - C / W
100
62.5 ° C / W
10
1
单脉冲
安装在陶瓷板
50厘米
2
X 1.1毫米
P
D
（ FET1 ） ：P
D
（ FET 2 ）= 1 ：1的
0.1
1m
10 m
100 m
1
10
PW - 脉冲宽度 - S
100
1000
数据表G14887EJ2V0DS
5
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UUN2A102MRL
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UWZ1C151MCL
UUD1A152MCL
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