【数据表MOS场效应PA1856P沟道MOS场效应晶体管切换描述该PA1856是它可以是一个开关器件直】,IC型号UPA1856GR-9JG,UPA1856GR-9JG PDF资料,UPA1856GR-9JG经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应

PA1856

P沟道MOS场效应晶体管

切换

描述

该

PA1856是它可以是一个开关器件

直接通过2.5 V的电源驱动。

该

PA1856采用低导通电阻和

开关特性优良，并且适用于

应用，例如便携式计算机的电源开关

等等。

8

封装图（单位：mm ）

5

1

2, 3

4

5

6, 7

8

： Drain1

：源1

： GATE1

： GATE2

：源2

： Drain2

1.2最大。

1.0±0.05

0.25

3°

+5°

–3°

0.1±0.05

0.5

0.6

+0.15

–0.1

特点

可以通过一个2.5 V的电源来驱动

低通态电阻

R

DS(on)1

= 45 mΩ以下。（V

GS

= -4.5 V，I

D

= –2.5 A)

R

DS(on)2

= 48 mΩ以下。（V

GS

= -4.0 V，I

D

= –2.5 A)

R

DS(on)3

= 72 mΩ以下。（V

GS

= -2.7 V，I

D

= –2.5 A)

R

DS(on)4

= 77 mΩ以下。（V

GS

= -2.5 V，I

D

= –2.5 A)

1

4

0.145 ±0.055

3.15 ±0.15

3.0 ±0.1

6.4 ±0.2

4.4 ±0.1

1.0 ±0.2

订购信息

产品型号

包

电源TSSOP8

0.65

0.27

+0.03

–0.08

0.8最大。

PA1856GR-9JG

0.1

0.10 M

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

等效电路

–20

±12

±4.5

±18

2.0

150

V

A

W

°C

Gate1

门

保护

二极管

Source1

Drain1

Drain2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

ch

T

英镑

体

二极管

Gate2

门

保护

二极管

Source2

体

二极管

总功耗

通道温度

储存温度

-55到+150

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1 %

2

2.

装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

D13808EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2000年3月NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

1998, 1999

PA1856

电气特性（T

A

= 25 °C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

R

DS(on)4

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

二极管的正向电压

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

测试条件

V

DS

= –20 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±12 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= -10 V，I

D

= -1毫安

V

DS

= -10 V，I

D

= –2.5 A

V

GS

= -4.5 V，I

D

= –2.5 A

V

GS

= -4.0 V，I

D

= –2.5 A

V

GS

= -2.7 V，I

D

= –2.5 A

V

GS

= -2.5 V，I

D

= –2.5 A

V

DS

= –10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= –10 V

I

D

= –2.5 A

V

GS （ ON）

= –4.0 V

R

G

= 10

V

DS

= –16 V

I

D

= –4.5 A

V

GS

= –4.0 V

I

F

= 4.5 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 4.5 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 10 A /

s

–0.5

3

–1.1

8.8

37

39

52

57

700

208

100

300

528

242

698

6.0

2.1

2.8

0.86

32

2.2

45

48

72

77

分钟。

典型值。

马克斯。

–10

±10

–1.5

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

R

L

PG 。

R

G

V

DD

I

D

()

V

GS

()

0

τ

= 1

s

占空比

≤

1 %

I

D

电波表

V

GS

()

V

GS

电波表

I

G

=

2

mA

V

GS

（上）

90 %

R

L

V

DD

0

10 %

PG 。

90 %

50

I

D

0 10 %

10 %

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

2

数据表D13808EJ2V0DS00

PA1856

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

80

100

正向偏置安全工作区

的dT - 降额因子 - ％

I

D

- 漏电流 - 一个

10

I

D

（脉冲）

d

PW

ITE V）

im4.5

=1

)

L

（上

=

PW

ms

S

R

D

V

GS

=1

I

D

(

DC

)

(@

PW

60

1

0

ms

=1

00

ms

DC

40

20

0.1

T

A

= 25 C

单脉冲

安装在陶瓷

以5000 mm基板

2

X 1.1毫米

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

0

30

60

90

120

T

A

- 环境温度 -

C

150

0.01

0.1

10

1

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

100

20

漏电流与

漏源极电压

V

GS

=

10

V

4.5

V

4.0

V

I

D

- 漏电流 - 一个

传输特性

100

10

1

0.1

0.01

0.001

T

A

= 125C

75C

25C

V

DS =

10

V

I

D

- 漏电流 - 一个

16

12

2.5

V

8

4

0.0001

0.00001

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 门到SORCE电压 - V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

1.5

V

DS

=

10 V

I

D

=

1毫安

门源截止电压主场迎战

通道温度

V

DS

=

10V

10

T

A

=

25

C

25C

75C

125C

1.0

1

0.1

0.5

50

0

50

100

150

0.01

0.1

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

100

T

ch

- 通道温度 - C

数据表D13808EJ2V0DS00

3

PA1856

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

V

GS

=

2.5

V

漏极至源极导通电阻与

漏电流

100

V

GS

=

2.7

V

80

T

A

= 125C

80

T

A

= 125C

75C

60

25C

60

75C

25C

40

0.01

0.1

1

10

100

25C

40

0.01

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

70

V

GS

=

4.0

V

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

60

V

GS

=

4.5

V

T

A

= 125C

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

60

T

A

= 125C

50

75C

50

T

A

= 75C

40

25C

40

T

A

= 25C

T

A

=

25C

30

25C

30

0.01

0.1

1

10

100

20

0.01

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极通态电阻与

通道温度

I

D

=

2.5

A

V

GS

=

2.5

V

2.7

V

60

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

120

I

D

=

2.5

A

80

100

80

4.0

V

4.5

V

60

40

20

0

20

50

T

ch

0

50

100

- 通道温度-C

150

2

4

6

8

10

12

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

4

数据表D13808EJ2V0DS00

PA1856

电容与漏极TO

源极电压

10000

开关特性

10000

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- Switchig时间 - NS

西塞，科斯，的Crss - 电容 - pF的

F = 1 MHz的

V

GS

= 0V

1000

C

国际空间站

1000

t

f

t

r

t

D（上）

t

D（关闭）

100

V

DD

=

10

V

GS （ ON）

=

4.0

V

R

G

= 10

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

100

C

OSS

C

RSS

10

0.1

1

10

100

10

0.1

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

源极到漏极二极管的正向电压

动态输入特性

8

I

F

- 源极到漏极电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

100

I

D

=

4.5

A

V

DD

=

16

V

10

V

10

6

1

4

0.1

2

0.01

0.4

0

0.6

0.8

1.0

1.2

0

1

2

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

3 4

5 6

7

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

8

9

10

1000

瞬态热阻与脉冲宽度

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

100

62.5C/W

10

1

安装在陶瓷基片

以5000 mm

2

X 1.1毫米

单脉冲

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

0.1

1m

10m

100m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表D13808EJ2V0DS00

5

数据表

MOS场效应

PA1856

P沟道MOS场效应晶体管

切换

描述

该

PA1856是它可以是一个开关器件

直接通过2.5 V的电源驱动。

该

PA1856采用低导通电阻和

开关特性优良，并且适用于

应用，例如便携式计算机的电源开关

等等。

8

封装图（单位：mm ）

5

1

2, 3

4

5

6, 7

8

： Drain1

：源1

： GATE1

： GATE2

：源2

： Drain2

1.2最大。

1.0±0.05

0.25

3°

+5°

–3°

0.1±0.05

0.5

0.6

+0.15

–0.1

特点

可以通过一个2.5 V的电源来驱动

低通态电阻

R

DS(on)1

= 45 mΩ以下。（V

GS

= -4.5 V，I

D

= –2.5 A)

R

DS(on)2

= 48 mΩ以下。（V

GS

= -4.0 V，I

D

= –2.5 A)

R

DS(on)3

= 72 mΩ以下。（V

GS

= -2.7 V，I

D

= –2.5 A)

R

DS(on)4

= 77 mΩ以下。（V

GS

= -2.5 V，I

D

= –2.5 A)

1

4

0.145 ±0.055

3.15 ±0.15

3.0 ±0.1

6.4 ±0.2

4.4 ±0.1

1.0 ±0.2

订购信息

产品型号

包

电源TSSOP8

0.65

0.27

+0.03

–0.08

0.8最大。

PA1856GR-9JG

0.1

0.10 M

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

等效电路

–20

±12

±4.5

±18

2.0

150

V

A

W

°C

Gate1

门

保护

二极管

Source1

Drain1

Drain2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

ch

T

英镑

体

二极管

Gate2

门

保护

二极管

Source2

体

二极管

总功耗

通道温度

储存温度

-55到+150

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1 %

2

2.

装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

D13808EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2000年3月NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

1998, 1999

PA1856

电气特性（T

A

= 25 °C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

R

DS(on)4

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

二极管的正向电压

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

测试条件

V

DS

= –20 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±12 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= -10 V，I

D

= -1毫安

V

DS

= -10 V，I

D

= –2.5 A

V

GS

= -4.5 V，I

D

= –2.5 A

V

GS

= -4.0 V，I

D

= –2.5 A

V

GS

= -2.7 V，I

D

= –2.5 A

V

GS

= -2.5 V，I

D

= –2.5 A

V

DS

= –10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= –10 V

I

D

= –2.5 A

V

GS （ ON）

= –4.0 V

R

G

= 10

V

DS

= –16 V

I

D

= –4.5 A

V

GS

= –4.0 V

I

F

= 4.5 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 4.5 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 10 A /

s

–0.5

3

–1.1

8.8

37

39

52

57

700

208

100

300

528

242

698

6.0

2.1

2.8

0.86

32

2.2

45

48

72

77

分钟。

典型值。

马克斯。

–10

±10

–1.5

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

R

L

PG 。

R

G

V

DD

I

D

()

V

GS

()

0

τ

= 1

s

占空比

≤

1 %

I

D

电波表

V

GS

()

V

GS

电波表

I

G

=

2

mA

V

GS

（上）

90 %

R

L

V

DD

0

10 %

PG 。

90 %

50

I

D

0 10 %

10 %

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

2

数据表D13808EJ2V0DS00

PA1856

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

80

100

正向偏置安全工作区

的dT - 降额因子 - ％

I

D

- 漏电流 - 一个

10

I

D

（脉冲）

d

PW

ITE V）

im4.5

=1

)

L

（上

=

PW

ms

S

R

D

V

GS

=1

I

D

(

DC

)

(@

PW

60

1

0

ms

=1

00

ms

DC

40

20

0.1

T

A

= 25 C

单脉冲

安装在陶瓷

以5000 mm基板

2

X 1.1毫米

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

0

30

60

90

120

T

A

- 环境温度 -

C

150

0.01

0.1

10

1

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

100

20

漏电流与

漏源极电压

V

GS

=

10

V

4.5

V

4.0

V

I

D

- 漏电流 - 一个

传输特性

100

10

1

0.1

0.01

0.001

T

A

= 125C

75C

25C

V

DS =

10

V

I

D

- 漏电流 - 一个

16

12

2.5

V

8

4

0.0001

0.00001

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

- 门到SORCE电压 - V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

1.5

V

DS

=

10 V

I

D

=

1毫安

门源截止电压主场迎战

通道温度

V

DS

=

10V

10

T

A

=

25

C

25C

75C

125C

1.0

1

0.1

0.5

50

0

50

100

150

0.01

0.1

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

100

T

ch

- 通道温度 - C

数据表D13808EJ2V0DS00

3

PA1856

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

V

GS

=

2.5

V

漏极至源极导通电阻与

漏电流

100

V

GS

=

2.7

V

80

T

A

= 125C

80

T

A

= 125C

75C

60

25C

60

75C

25C

40

0.01

0.1

1

10

100

25C

40

0.01

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

70

V

GS

=

4.0

V

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

60

V

GS

=

4.5

V

T

A

= 125C

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

60

T

A

= 125C

50

75C

50

T

A

= 75C

40

25C

40

T

A

= 25C

T

A

=

25C

30

25C

30

0.01

0.1

1

10

100

20

0.01

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极通态电阻与

通道温度

I

D

=

2.5

A

V

GS

=

2.5

V

2.7

V

60

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

120

I

D

=

2.5

A

80

100

80

4.0

V

4.5

V

60

40

20

0

20

50

T

ch

0

50

100

- 通道温度-C

150

2

4

6

8

10

12

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

4

数据表D13808EJ2V0DS00

PA1856

电容与漏极TO

源极电压

10000

开关特性

10000

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- Switchig时间 - NS

西塞，科斯，的Crss - 电容 - pF的

F = 1 MHz的

V

GS

= 0V

1000

C

国际空间站

1000

t

f

t

r

t

D（上）

t

D（关闭）

100

V

DD

=

10

V

GS （ ON）

=

4.0

V

R

G

= 10

1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

100

C

OSS

C

RSS

10

0.1

1

10

100

10

0.1

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

源极到漏极二极管的正向电压

动态输入特性

8

I

F

- 源极到漏极电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

100

I

D

=

4.5

A

V

DD

=

16

V

10

V

10

6

1

4

0.1

2

0.01

0.4

0

0.6

0.8

1.0

1.2

0

1

2

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

3 4

5 6

7

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

8

9

10

1000

瞬态热阻与脉冲宽度

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

100

62.5C/W

10

1

安装在陶瓷基片

以5000 mm

2

X 1.1毫米

单脉冲

P

D

（ FET1 ）：P

D

（ FET 2 ）= 1 ：1的

0.1

1m

10m

100m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表D13808EJ2V0DS00

5