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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第204页 > UPA1817GR-9JG
数据表
MOS场效应
PA1817
P沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该
PA1817是它可以是一个开关器件
直接采用2.5 V电源驱动。
该器件具有低导通电阻和
开关特性优良，并且适用于
应用，如笔记本的电源管理
计算机等等。
封装图（单位：mm ）
8
5
1 ，2，3 ：源
4
：门
5 ，6，7 ，8：漏
1.2最大。
1.0±0.05
0.25
特点
2.5 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 12 mΩ以下。 （V
GS
=
4.5
V，I
D
=
6.0
A)
R
DS(on)2
= 12.5 mΩ以下。 （V
GS
=
4.0
V，I
D
=
6.0
A)
R
DS(on)3
= 19.2 mΩ以下。 （V
GS
=
2.5
V，I
D
=
6.0
A)
内置ESD对G- s防护二极管
3°
+5°
–3°
0.1±0.05
1
4
0.5
0.6
+0.15
–0.1
0.145 ±0.055
3.15 ±0.15
3.0 ±0.1
6.4 ±0.2
4.4 ±0.1
1.0 ±0.2
订购信息
产品型号
包
电源TSSOP8
0.65
0.27
+0.03
–0.08
0.8最大。
PA1817GR-9JG
0.1
0.10 M
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
A
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
20
V
V
A
A
W
°C
°C
等效电路
漏
m
12
m
12
m
48
2.0
150
55
+150
门
门
保护
二极管
体
二极管
总功耗
通道温度
储存温度
来源
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2
2.
装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件G16253EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年8月NS CP （ K）
日本印刷
2002
PA1817
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
=
16 V
V
GS
=
4.0 V
I
D
=
12 A
I
F
= 12 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 12 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
=
20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1.0
A
A
V
S
m
12 V, V
DS
= 0 V
0.5
15
m
10
1.1
30
9.6
10
14.5
3100
730
450
29
235
170
230
27
5.6
12
0.82
70
52
12
12.5
19.2
V
DS
=
10 V，I
D
=
1.0毫安
V
DS
=
10 V，I
D
=
6.0 A
V
GS
=
4.5 V，I
D
=
6.0 A
V
GS
=
4.0 V，I
D
=
6.0 A
V
GS
=
2.5 V，I
D
=
6.0 A
V
DS
=
10 V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
V
DD
=
10 V，I
D
=
6.0 A
V
GS
=
4.0 V
R
G
= 10
1.5
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
V
GS （ - ）
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
V
DS
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
I
G
=
2
mA
50
R
L
V
DD
V
GS
电波表
0
10 %
V
GS
90 %
V
DS （ - ）
90 %
90 %
10 % 10 %
PG 。
V
DS
V
GS （ - ）
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表G16253EJ1V0DS
PA1817
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
总功耗对比
环境温度
2.5
安装在陶瓷基板
2
5000毫米X 1.1毫米
安装在FR- 4电路板
2
2500毫米× 1.6毫米
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
0
25
50
75
100
125
150
175
100
2
80
1.5
60
1
40
20
0.5
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
- 100
I
D（脉冲）
I
D（ DC）的
- 10
PW = 1米每秒
T
A
- 环境温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
10米每秒
-1
R
DS （ ON）
廉资讯科技教育
(V
的s
=
4.5
V)
- 0.1
单脉冲
安装在CERAM IC基板
2
5000米米×1.1 M M
100米每秒
DC
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
- 100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
第（章-a）的
- 瞬态热阻 -
° C / W
单脉冲
安装在FR- 4板
2500 mm
2
X 1.6毫米
125
°
C / W
100
10
安装在陶瓷基板
5000 mm
2
X 1.1毫米
62.5
°
C / W
1
0.1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G16253EJ1V0DS
3
PA1817
漏电流与
漏源极电压
- 50
脉冲
- 40
V
GS
=
4.5
V
- 10
正向传递特性
- 100
V
DS
=
10 V
P ü ls的E D
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
4.0
V
- 1
- 0 .1
- 0 .0 1
- 0 .0 0 1
- 0 .0 0 0 1
- 0 .5
- 30
2.5
V
- 20
T
A
= 1 2 5
°C
7 5
°C
2 5
°C
2 5
°C
- 10
0
0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
- 1
- 1 .5
- 2
- 2 .5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
- 1.4
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
- 1.2
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
V
DS
=
10
V
I
D
=
1.0
M A
V
DS
=
10
V
脉冲
10
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
-1
- 0.8
1
- 0.6
- 0.4
-50
0
50
100
150
0.1
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
- 100
T
ch
- 通道温度 -
°C
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
30
25
20
15
10
5
0
-50
0
50
100
150
I
D
=
6.0
A
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
30
25
20
15
10
5
0
0
-2
-4
-6
-8
- 10
- 12
I
D
=
6.0
A
脉冲
V
GS
=
2.5
V
4.0
V
4.5
V
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表G16253EJ1V0DS
PA1817
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
30
25
20
15
10
5
0
- 0.01
25°C
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
30
25
20
15
10
5
0
- 0.01
25°C
25°C
V
GS
=
4.5
V
脉冲
V
GS
=
4.0
V
脉冲
T
A
= 125°C
75°C
T
A
= 125°C
75°C
25°C
- 0.1
-1
- 10
- 100
- 0.1
-1
- 10
- 100
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
30
10000
I
D
- 漏电流 - 一个
电容与
漏源极电压
V
GS
= 0 V
F = 1.0 M·H
C
国际空间站
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
25
20
15
10
T
A
= 125°C
75°C
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
=
2.5
V
脉冲
1000
C
OSS
C
RSS
25°C
5
0
- 0.01
25°C
- 0.1
-1
- 10
- 100
100
- 0.1
-1
- 10
- 100
I
D
- 漏电流 - 一个
开关特性
1 00 00
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
源极到漏极二极管
正向电压
V
GS
= 0 V
脉冲
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
V
DD
=
10 V
V
的s
=
4 .0 V
R
G
= 10
t
f
10
1 00 0
1
t
D（关闭）
1 00
t
D（上）
t
r
10
- 0 .01
0.1
0.01
- 0 .1
-1
- 10
- 1 00
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
D
- 漏电流 - 一个
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
数据表G16253EJ1V0DS
5
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UNR-3.3/8000-D5
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U2102B
UPD72065C
UVY0J153MRD
UPD78C10ACW
UP050B102K-A-B
UCC2809D-1G4
U632H64D1K45
UUR1E151MCL
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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