数据表
MOS场效应
PA1816
P沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该
PA1816是它可以是一个开关器件
直接采用1.8 V电源驱动。
该器件具有低导通电阻和
开关特性优良,并且适用于
应用,如笔记本的电源管理
计算机等等。
8
封装图(单位:mm )
5
1 ,2,3 :源
4
:门
5 ,6,7 ,8:漏
1.2最大。
1.0 ±0.05
0.25
3°
+5°
–3°
0.1 ±0.05
0.5
0.6
+0.15
–0.1
特点
1.8 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 15 mΩ以下。 (V
GS
=
4.5
V,I
D
=
4.5
A)
R
DS(on)2
= 16 mΩ以下。 (V
GS
=
4.0
V,I
D
=
4.5
A)
R
DS(on)3
= 22.5 mΩ以下。 (V
GS
=
2.5
V,I
D
=
4.5
A)
R
DS(on)4
= 41.5 mΩ以下。 (V
GS
=
1.8
V,I
D
=
2.5
A)
内置ESD对G- s防护二极管
1
4
0.145 ±0.055
3.15 ±0.15
3.0 ±0.1
6.4 ±0.2
4.4 ±0.1
1.0 ±0.2
订购信息
产品型号
包
电源TSSOP8
0.65
0.27
+0.03
–0.08
0.8最大。
PA1816GR-9JG
0.1
0.10 M
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
A
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
T
ch
T
英镑
12
V
V
A
A
W
°C
°C
等效电路
漏
m
8.0
m
9.0
m
36
2.0
150
55
+150
总功耗
通道温度
储存温度
门
体
二极管
门
保护
二极管
来源
注意事项1 。
PW
≤
10
S,占空比
≤
1%
2
2.
装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用,额外的保护电路所需的外部,如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
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文档编号
G16252EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年7月NS CP ( K)
日本印刷
2002