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数据表
MOS场效应
PA1816
P沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
PA1816是它可以是一个开关器件
直接采用1.8 V电源驱动。
该器件具有低导通电阻和
开关特性优良,并且适用于
应用,如笔记本的电源管理
计算机等等。
8
封装图(单位:mm )
5
1 ,2,3 :源
4
:门
5 ,6,7 ,8:漏
1.2最大。
1.0 ±0.05
0.25
+5°
–3°
0.1 ±0.05
0.5
0.6
+0.15
–0.1
特点
1.8 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 15 mΩ以下。 (V
GS
=
4.5
V,I
D
=
4.5
A)
R
DS(on)2
= 16 mΩ以下。 (V
GS
=
4.0
V,I
D
=
4.5
A)
R
DS(on)3
= 22.5 mΩ以下。 (V
GS
=
2.5
V,I
D
=
4.5
A)
R
DS(on)4
= 41.5 mΩ以下。 (V
GS
=
1.8
V,I
D
=
2.5
A)
内置ESD对G- s防护二极管
1
4
0.145 ±0.055
3.15 ±0.15
3.0 ±0.1
6.4 ±0.2
4.4 ±0.1
1.0 ±0.2
订购信息
产品型号
电源TSSOP8
0.65
0.27
+0.03
–0.08
0.8最大。
PA1816GR-9JG
0.1
0.10 M
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC ) (T
A
= 25°C)
漏电流(脉冲)
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
T
ch
T
英镑
12
V
V
A
A
W
°C
°C
等效电路
m
8.0
m
9.0
m
36
2.0
150
55
+150
总功耗
通道温度
储存温度
二极管
保护
二极管
来源
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2
2.
装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用,额外的保护电路所需的外部,如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
G16252EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年7月NS CP ( K)
日本印刷
2002
PA1816
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
R
DS(on)4
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
=
10 V
V
GS
=
4.0 V
I
D
=
9.0 A
I
F
= 9.0 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 9.0 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
=
12 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1.0
A
A
V
S
m
8.0 V, V
DS
= 0 V
0.45
0.75
11
22
12.0
12.5
16.2
23.7
1570
400
240
16
132
223
295
15
3.0
4.5
0.82
490
580
m
10
1.5
V
DS
=
10 V,I
D
=
1.0毫安
V
DS
=
10 V,I
D
=
4.5 A
V
GS
=
4.5 V,I
D
=
4.5 A
V
GS
=
4.0 V,I
D
=
4.5 A
V
GS
=
2.5 V,I
D
=
4.5 A
V
GS
=
1.8 V,I
D
=
2.5 A
V
DS
=
10 V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
V
DD
=
10 V,I
D
=
4.5 A
V
GS
=
4.0 V
R
G
= 10
15
16
22.5
41.5
m
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
V
GS ( - )
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
V
DS
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
I
G
=
2
mA
50
R
L
V
DD
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
V
DS ( - )
90%
90%
10%
10%
PG 。
V
DS
V
GS ( - )
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
电波表
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
2
数据表G16252EJ1V0DS
PA1816
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
总功耗对比
环境温度
2.5
P
T
- 总功耗 - W
胸苷 - 百分比额定功率 - %
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
2
1.5
1
0.5
安装在陶瓷
基材
2
5000毫米X 1.1毫米
0
25
50
75
100
125
150
175
0
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
T
A
- 环境温度 -
°C
-100
I
D(脉冲)
I
D
- 漏电流 - 一个
-10
I
D( DC)的
PW = 1毫秒
10毫秒
-1
R
DS ( ON)
有限
(V
GS
=
4.5
V)
100毫秒
DC
-0.1
单脉冲
安装在陶瓷
基材
2
5000毫米X 1.1毫米
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
第(章-a)的
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
62.5°C/W
10
单脉冲
安装在陶瓷
2
5000毫米× 1.1毫米基板
1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G16252EJ1V0DS
3
PA1816
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
-40
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
-100
4.0
V
I
D
- 漏电流 - 一个
-30
V
GS
=
4.5
V
2.5
V
-10
-1
-0.1
-0.01
-0.001
V
S
=
10
V
脉冲
-20
1.8
V
-10
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
-0.0001
0
-0.5
-1
-1.5
-2
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
-1
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
V
DS
=
10
V
I
D
=
1.0
mA
100
V
DS
=
10
V
脉冲
-0.8
10
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
-0.6
1
-0.4
-50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 -
°C
0.1
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
40
脉冲
V
GS
=
1.8
V,I
D
=
1.5
A
30
V
GS
=
2.5
V,I
D
=
4.5
A
40
脉冲
30
20
20
I
D
=
4.5
A
10
10
V
GS
=
4.0
V,I
D
=
4.5
A
V
GS
=
4.5
V,I
D
=
4.5
A
0
-50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 -
°C
0
0
-2
-4
-6
-8
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
4
数据表G16252EJ1V0DS
PA1816
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
20
V
GS
=
4.5
V
脉冲
T
A
= 125°C
20
V
GS
=
4.0
V
脉冲
T
A
= 125°C
15
75°C
25°C
15
75°C
25°C
25°C
10
25°C
10
5
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
5
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
40
V
GS
=
2.5
V
脉冲
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
40
V
GS
=
1.8
V
脉冲
30
30
20
20
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
10
10
0
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
0
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
电容与漏源极电压
开关特性
10000
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
10000
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
1000
t
f
t
D(关闭)
V
DD
=
10
V
V
GS
=
4.0
V
R
G
= 10
C
国际空间站
1000
100
t
D(上)
10
t
r
C
OSS
C
RSS
100
-0.1
-1
-10
-100
1
-0.01
-0.1
-1
-10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
数据表G16252EJ1V0DS
5
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA1816GR-9JG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ:2355507169 复制

电话:755-83210909 / 83616256
联系人:夏先生
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
UPA1816GR-9JG
N/S
22+
12000
TSSOP8
★正规进口原厂正品★绝对优势热卖★
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
UPA1816GR-9JG
N/S
2024
20918
TSSOP8
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
UPA1816GR-9JG
N/S
2013+
15600
TSSOP8
全新原装正品/质量有保证
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