【数据表MOS场效应PA1815P沟道MOS场效应晶体管切换描述该PA1815是它可以是一个开关器件直】,IC型号UPA1815GR-9JG,UPA1815GR-9JG PDF资料,UPA1815GR-9JG经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应

PA1815

P沟道MOS场效应晶体管

切换

描述

该

PA1815是它可以是一个开关器件

直接通过2.5 V的电源驱动。

该

PA1815采用低导通电阻和

开关特性优良，并且适用于

应用，例如便携式计算机的电源开关

等等。

封装图（单位：mm ）

1 ，5，8 ：漏

2，3 ，6，7 ：源

：门

1.2最大。

1.0±0.05

0.25

3°

+5°

–3°

0.1±0.05

0.5

0.6

+0.15

–0.1

特点

可以通过一个2.5 V的电源来驱动

低通态电阻

DS(on)1

= 15 mΩ以下。（V

= -4.5 V，I

= –3.5 A)

DS(on)2

= 16 mΩ以下。（V

= -4.0 V，I

= –3.5 A)

DS(on)3

= 19 mΩ以下。（V

= ± 3.3 V，I

= –3.5 A)

DS(on)4

= 23 mΩ以下。（V

= -2.5 V，I

= –3.5 A)

0.145 ±0.055

3.15 ±0.15

3.0 ±0.1

6.4 ±0.2

4.4 ±0.1

1.0 ±0.2

订购信息

产品型号

包

电源TSSOP8

0.65

0.27

+0.03

–0.08

0.8最大。

0.10 M

0.1

PA1815GR-9JG

绝对最大额定值（T

= 25°C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

等效电路

–20

±12

±7

±26

2.0

150

-55到+150

°C

门

保护

二极管

来源

门

漏

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

体

二极管

总功耗

通道温度

储存温度

注意事项1 。

≤

S，占空比

≤

1 %

装在5000毫米× 1.1毫米陶瓷基板

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

D13805EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期1999年8月NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

1998, 1999

PA1815

电气特性（T

= 25 °C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

栅极到源截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

| y

DS(on)1

DS(on)2

DS(on)3

DS(on)4

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

F（ S- D）的

测试条件

= –20 V, V

= 0 V

= ±12 V, V

= 0 V

= -10 V，I

= -1毫安

= -10 V，I

= –3.5 A

= -4.5 V，I

= –3.5 A

= -4.0 V，I

= –3.5 A

= ± 3.3 V，I

= –3.5 A

= -2.5 V，I

= –3.5 A

= –10 V

= 0 V

F = 1 MHz的

= –10 V

= –3.5 A

GS （ ON）

= –4.0 V

= 10

= –16 V

= –7 A

= –4.0 V

= 7 A，V

= 0 V

= 7 A，V

= 0 V

的di / dt = 100 A /

–0.5

–0.9

3000

790

410

200

140

160

8.5

0.78

分钟。

典型值。

马克斯。

–10

±10

–1.5

单位

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

PG 。

= 10

90 %

0 10 %

D（上）

D（关闭）

关闭

10 %

= 2毫安

GS （ ON）

90 %

电波表

10 %

PG 。

= 1

占空比

≤

1 %

电波表

数据表D13805EJ2V0DS00

PA1815

典型特征（T

= 25

正向偏置的降额因子

安全工作区

100

正向偏置安全工作区

ITE V）

林4.5

（脉冲）

的dT - 降额因子 - ％

- 漏电流 - 一个

诉

)

（上

（DC）的

= 25 C

单脉冲

安装在陶瓷

0.01

为50cm X 1.1毫米基板

0.1

120

150

0.1

100

- 环境温度 -

- 漏极至源极电压 - V

漏电流与

漏源极电压

传输特性

100

DS =

- 漏电流 - 一个

4.5

4.0

3.3

2.5

0.1

0.01

0.001

= 125C

75C

25C

0.0001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

0.00001

0.5

1.0

1.5

2.0

- 漏极至源极电压 - V

门源截止电压主场迎战

通道温度

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

- 门到SORCE电压 - V

正向传递ADMMITTANCE比。

漏电流

100

| y

| - 正向转移导纳 - S

1.2

10V

1.0

0.8

125

0.6

0.4

100

150

0.01

0.1

- 漏电流 - 一个

100

- 通道温度 - C

数据表D13805EJ2V0DS00

PA1815

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

2.5

漏极至源极导通电阻与

漏电流

3.3

= 125C

75C

25C

= 125C

75C

25C

0.01

0.1

100

0.01

0.1

100

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

4.0

= 125C

75C

25C

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

4.5

= 125C

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

75C

25C

0.01

0.1

100

0.01

0.1

100

- 漏电流 - 一个

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

3.5

2.5

3.3

4.0

4.5

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

3.5

100

- 通道温度-C

150

- 栅极至源极电压 - V

数据表D13805EJ2V0DS00

PA1815

电容与漏极TO

源极电压

10000

开关特性

1000

（上）

， TR ， TD

（关闭）

， TF - Swwitchig时间 - NS

西塞，科斯，的Crss - 电容 - pF的

F = 1 MHz的

= 0 V

国际空间站

（关闭）

100

（上）

1000

OSS

RSS

100

(

) =

4.0

= 10

- 漏电流 - 一个

- 漏极至源极电压 - V

100

0.1

源极到漏极二极管的正向电压

100

- 栅极至源极电压 - V

动态输入特性

- 源极到漏极电流 - 一个

0.1

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

- 栅极电荷 - 数控

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

第（章-a）的

- 瞬态热阻 - C / W

安装在陶瓷

50厘米基底

X 1.1毫米

单脉冲

100

62.5C/W

0.1

0.001

0.01

0.1

PW - 脉冲宽度 - S

100

1000

数据表D13805EJ2V0DS00