数据表
MOS场效应
PA1793
开关
的N-和P-沟道功率MOS场效应管
描述
该
PA1793是N沟道和P沟道MOS场效应晶体管
专为电机驱动应用。
封装图(单位:mm )
8
5
N通道1 ;源1
2 ;门1
7,8 ;排水1
P沟道3 ;源2
4 ;门2
5 ,6;排水2
1
4
5.37最大。
+0.10
–0.05
特点
低通态电阻
N沟道
DS(on)1
= 69 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 1.5 A)
1.44
6.0 ±0.3
4.4
0.8
R
DS(on)2
= 72 mΩ以下。 (V
GS
= 4.0 V,I
D
= 1.5 A)
P沟道
DS(on)1
= 115 mΩ以下。 (V
GS
= -4.5 V,I
D
= –1.5 A)
R
DS(on)2
= 120 mΩ以下。 (V
GS
= -4.0 V,I
D
= –1.5 A)
R
DS(on)3
= 190 mΩ以下。 (V
GS
= -2.5 V,I
D
= –1.0 A)
低输入电容
N沟道
国际空间站
= 160 pF的典型。
P-通道C
国际空间站
= 370 pF的典型。
内置G -S保护二极管
小型表面贴装封装( SOP8电)
1.8 MAX 。
R
DS(on)3
= 107 mΩ以下。 (V
GS
= 2.5 V,I
D
= 1.0 A)
0.15
0.05分钟。
0.5 ±0.2
0.10
1.27
0.40
0.78 MAX 。
0.12 M
+0.10
–0.05
等效电路
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
门
体
二极管
门
体
二极管
漏
漏
PA1793G
门
保护
二极管
来源
门
保护
二极管
来源
N沟道
P沟道
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用,额外的保护电路所需的外部,如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件G16059EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年9月NS CP ( K)
日本印刷
2002