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数据表
MOS场效应
PA1793
开关
的N-和P-沟道功率MOS场效应管
描述
PA1793是N沟道和P沟道MOS场效应晶体管
专为电机驱动应用。
封装图(单位:mm )
8
5
N通道1 ;源1
2 ;门1
7,8 ;排水1
P沟道3 ;源2
4 ;门2
5 ,6;排水2
1
4
5.37最大。
+0.10
–0.05
特点
低通态电阻
N沟道
DS(on)1
= 69 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 1.5 A)
1.44
6.0 ±0.3
4.4
0.8
R
DS(on)2
= 72 mΩ以下。 (V
GS
= 4.0 V,I
D
= 1.5 A)
P沟道
DS(on)1
= 115 mΩ以下。 (V
GS
= -4.5 V,I
D
= –1.5 A)
R
DS(on)2
= 120 mΩ以下。 (V
GS
= -4.0 V,I
D
= –1.5 A)
R
DS(on)3
= 190 mΩ以下。 (V
GS
= -2.5 V,I
D
= –1.0 A)
低输入电容
N沟道
国际空间站
= 160 pF的典型。
P-通道C
国际空间站
= 370 pF的典型。
内置G -S保护二极管
小型表面贴装封装( SOP8电)
1.8 MAX 。
R
DS(on)3
= 107 mΩ以下。 (V
GS
= 2.5 V,I
D
= 1.0 A)
0.15
0.05分钟。
0.5 ±0.2
0.10
1.27
0.40
0.78 MAX 。
0.12 M
+0.10
–0.05
等效电路
订购信息
产品型号
电源SOP8
二极管
二极管
PA1793G
保护
二极管
来源
保护
二极管
来源
N沟道
P沟道
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用,额外的保护电路所需的外部,如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件G16059EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2002年9月NS CP ( K)
日本印刷
2002
PA1793
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C,所有的终端连接。 )
参数
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
总功率耗散( 1个单位)
Note2
符号
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
N沟道
20
±
12
±
3
±
12
1.7
2.0
150
P沟道
–20
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
m
12
m
3
m
12
总功率耗散( 2台)
Note2
通道温度
储存温度
-55到+150
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2
2.
安装在5500毫米陶瓷基板
×
2.2毫米,T
A
= 25°C
2
中文手册G16059EJ1V0DS
PA1793
电气特性(T
A
= 25 ° C,所有的终端连接。 )
A) N沟道
特征初探
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
= 16 V
V
GS
= 4.0 V
I
D
= 3.0 A
I
F
= 3.0 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 3 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 50A /
s
测试条件
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±
12 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
=1.5 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 1.5 A
V
GS
= 4.0 V,I
D
= 1.5 A
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 1.0 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V,I
D
= 1.5 A
V
GS
= 4.0 V
R
G
= 10
0.5
1.0
55
57
78
160
60
40
17
50
86
80
3.1
0.7
1.4
0.86
70
12
69
72
107
1.0
分钟。
典型值。
马克斯。
10
单位
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
±
10
1.5
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
V
GS
PG 。
R
G
电波表
V
GS
0
10%
V
GS
90%
I
G
= 2毫安
50
R
L
V
DD
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
PG 。
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
中文手册G16059EJ1V0DS
3
PA1793
B) P沟道
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
V
DD
= –10 V
V
GS
= –4.0 V
I
D
= –3.0 A
I
F
= 3.0 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 3 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 10 A /
s
测试条件
V
DS
= –20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
分钟。
典型值。
马克斯。
–10
单位
A
A
V
S
m
12 V, V
DS
= 0 V
–0.5
1.0
75
80
116
370
110
40
120
260
410
360
3.4
1.3
1.6
0.86
24
1.5
–1.0
m
10
–1.5
V
DS
= -10 V,I
D
= -1毫安
V
DS
= -10 V,I
D
= –1.5 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= –1.5 A
V
GS
= -4.0 V,I
D
= –1.5 A
V
GS
= -2.5 V,I
D
= –1.0 A
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= -10 V,I
D
= –1.5 A
V
GS
= –4.0 V
R
G
= 10
115
120
190
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
V
GS
PG 。
R
G
电波表
V
GS ( - )
0
10%
V
GS
90%
I
G
=
2
mA
50
R
L
V
DD
V
DD
V
DS ( - )
90%
90%
10%
10%
PG 。
V
GS
()
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
4
中文手册G16059EJ1V0DS
PA1793
典型特征(T
A
= 25°C)
A) N沟道
正向偏置的降额因子
安全工作区
2.8
100
总功耗对比
环境温度
安装在陶瓷基板
2
5500毫米X 2.2毫米
2台
胸苷 - 百分比额定功率 - %
80
P
T
- 总功耗 - W
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
60
40
1个单位
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
100
安装在陶瓷基片
2
5500毫米× 2.2毫米, 1个单位
I
D(脉冲)
T
A
- 环境温度 -
°C
10
I
D
- 漏电流 - 一个
PW = 100
s
I
D( DC)的
1
DC
R
DS ( ON)
有限
(在V
GS
= 4.5 V)
1毫秒
10米每秒
100米每秒
0.1
T
A
= 25°C
单脉冲
功耗
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日(T )
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
R
第(章-a)的
= 73.5C / W
10
1
0.1
安装在陶瓷基板
2
5500毫米X 2.2毫米
单脉冲, 1个单位,T
A
= 25°C
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
0.01
100
PW - 脉冲宽度 - S
中文手册G16059EJ1V0DS
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA1793
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制

电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
UPA1793
NEC
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SOP-8
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地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
UPA1793
NEC
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
UPA1793
NEC
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NEC
21+22+
62710
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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NEC
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
UPA1793
NEC
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联系人:夏先生 朱小姐
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UPA1793
NEC
25+
4500
SOP8
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
UPA1793
NEC
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
UPA1793
NEC
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20918
SOP-8
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