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数据表

MOS场效应功率晶体管

PA1753

开关

双N沟道功率MOS FET

工业用

描述

本产品是双N沟道MOS场效应EF -

FECT晶体管设计的电源管理

应用程序的笔记本电脑，以及锂离子BAT-

tery应用。

8

包装尺寸

（在：毫米）

5

1 ;源1

2 ;门1

7，8 ;排水1

3 ;源2

4 ;门2

5 ，6;排水2

1

1.44

特点

双MOSFET芯片小型封装

2.5 V门极驱动型和低导通电阻

R

DS(on)1

= 30 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.0 A)

R

DS(on)2

= 40 mΩ的最大。（V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.0 A)

1.8 MAX 。

4

5.37最大。

+0.10

–0.05

6.0 ±0.3

4.4

0.8

低C

国际空间站

C

国际空间站

= 740 pF的典型。

内置G -S保护二极管

小和表面贴装封装

（电源SOP8 ）

0.15

0.05分钟。

0.5 ±0.2

0.10

1.27

0.40

0.78 MAX 。

0.12 M

+0.10

–0.05

绝对最大额定值（T

A

= 25℃，所有的终端都连接）

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

注1

总功率耗散（ 1个单位）

注2

总功率耗散（ 2个）

注2

通道温度

储存温度

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

P

T

T

ch

T

英镑

20

±8.0

±6.0

±24

1.7

2.0

150

-55到+150

V

V

A

A

W

W

C

C

门

保护

二极管

门

漏

体

二极管

来源

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1 %

2.

T

A

= 25℃，安装在2000毫米的陶瓷基板

2

×

1.1 mm

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当此

设备实际上可以使用一个额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定电压可

被应用到该设备。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。

一号文件D11496EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期1996年十月

日本印刷

1996

PA1753

电气特性（T

A

= 25℃，所有的终端都连接）

特征

漏极至源极导通电阻

符号

R

DS(on)1

R

DS(on)2

门源截止电压

正向转移导纳

漏极漏电流

门源漏电流

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS （ OFF ）

|y

fs

|

I

DSS

I

GSS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

I

D

= 6.0 A

V

DD

= 16 V

V

GS

= 4.0 V

I

F

= 6.0 A，V

GS

= 0

I

F

= 6.0 A，V

GS

= 0

的di / dt = 100 A /

s

测试条件

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.0 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.0 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 1.0毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 3.0 A

V

DS

= 20 V, V

GS

= 0

V

GS

=

±8.0

V, V

DS

= 0

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 3.0 A

V

GS （ ON）

= 4.0 V

V

DD

= 10 V

R

G

= 10

740

485

200

25

165

350

280

18.6

1.4

8.0

0.8

90

100

0.5

5.0

分钟。

典型值。

22

28

0.76

13

10

±10

马克斯。

30

40

1.5

单位

m

m

V

S

A

A

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

ns

nC

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

R

L

PG 。

R

G

R

G

= 10

V

DD

I

D

90 %

90 %

I

D

D

电波表

D.U.T.

V

GS

I

G

= 2毫安

V

GS （ ON）

90 %

V

GS

电波表

R

L

V

DD

0

10 %

PG 。

50

V

GS

0

t

t = 1

s

占空比

≤

1 %

I

0 10 %

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

10 %

t

f

2

PA1753

正向偏置的降额因子

安全工作区

总功耗对比

环境温度

P

T

- 总功率耗散 - W /包

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

20

40

60

80

100 120 140 160

2单元

1个单位

安装在陶瓷

基材

2000 mm

2

×

1.1 mm

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

100

80

60

40

20

0

20

40

60

80

100 120 140 160

T

A

- 环境温度 - C

T

A

- 环境温度 - C

漏电流与

漏源极电压

脉冲

正向偏置安全工作区

100

d

ITE V）

2000毫米基板

2

×

1.1 mm

林0.5

1个单位

n)

= 4

(o

DS GS

1

电视

m

s

I

D（脉冲）

(a

安装在陶瓷

25

V

GS

= 4.5 V

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

10

I

D（ DC）的

10

Po

w

er

10

20

15

10

5

m

s

0

m

2.5 V

s

1

Di

ss

DC

IPA

TIO

n

LIM

0.1

0.1

T

A

= 25 °C

单脉冲

1

ITE

d

10

100

0

0.25

0.5

0.75

1.0

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

正向传递特性

100

脉冲

I

D

- 漏电流 - 一个

10

T

ch

= –25 °C

25 °C

75 °C

1

125 °C

0.1

V

DS

= 10 V

0

1

2

3

V

GS

-

门源电压 - V

3

PA1753

瞬态热阻与脉冲宽度

1 000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

100

10

1

0.1

0.01

0.001

10

100

1m

10 m

100 m

1

安装在陶瓷

2000毫米基板

2

×

1.1 mm

单脉冲， 1个单位

10

100

1 000

PW - 脉冲宽度 - S

正向转移导纳主场迎战

漏电流

|y

fs

| - 正向转移导纳 - S

100

T

ch

= –25 °C

25 °C

75 °C

125 °C

V

DS

= 10 V

脉冲

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

75

脉冲

10

50

I

D

= 3.0 A

25

1

0.1

1

10

100

0

2

4

6

8

10

12

14

I

D

- 漏极电流

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

门源截止电压主场迎战

通道温度

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

60

脉冲

1.0

V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

40

V

GS

= 2.5 V

0.5

20

V

GS

= 4.5 V

0

0

–50

0

50

100

150

T

ch

- 通道温度 - C

1

10

I

D

- 漏电流 - 一个

100

4

PA1753

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

源极到漏极二极管

正向电压

脉冲

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

80

100

V

GS

= 4.5 V

10

V

GS

= 0

60

V

GS

= 2.5 V

40

4.5 V

1

20

0.1

0

0.5

1.0

1.5

0

–50

0

50

100

I

D

= 3 A

150

T

ch

- 通道温度 - C

电容与漏极TO

源极电压

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

开关特性

1 000

10000

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

t

D（关闭）

t

f

100

t

r

1000

C

国际空间站

C

OSS

100

C

RSS

t

D（上）

10

10

0.1

1

10

100

1

0.1

1

V

DD

= 10 V

V

GS （ ON）

= 4 V

R

G

= 10

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

I

D

- 漏电流 - 一个

反向恢复时间对比

漏电流

1 000

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

V

GS

30

V

DD

= 16 V

10 V

4V

6

100

20

4

10

10

V

DS

0

10

20

30

2

1

0.1

1

10

100

0

40

I

F

- 二极管电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

动态输入/输出特性

8

40

I

D

= 6.0 A

5

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