【数据表MOS场效应PA1744TP开关N沟道功率MOS FET描述该PA1744TP是N沟道MOS场】,IC型号UPA1744TP,UPA1744TP PDF资料,UPA1744TP经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应

PA1744TP

开关

N沟道功率MOS FET

描述

该

PA1744TP是N沟道MOS场效应晶体管器件，具有一个

低通态电阻和开关特性优良，并

设计用于高电压应用，例如DC / DC变换器。

封装图（单位：mm ）

1, 2, 3

资料来源：

：门

5 ，6，7 ，8，9 ：漏极

特点

1.49 ±0.21

低通态电阻

DS （ ON）

= 30 mΩ以下。（V

= 10 V，I

= 5.0 A)

低输入电容

国际空间站

= 3400 pF的典型。（V

= 10 V, V

= 0 V)

内置栅极保护二极管

小型表面贴装封装（电力HSOP8 ）

1.44 TYP 。

5.2

+0.17

–0.2

0.8 ±0.2

+0.10

–0.05

6.0 ±0.3

4.4 ±0.15

0.05 ±0.05

0.15

1.27 TYP 。

0.40

+0.10

–0.05

0.10 S

0.12 M

2.9 MAX 。

订购信息

产品型号

包

电力HSOP8

2.0 ±0.2

4.1最大。

PA1744TP

绝对最大额定值（T

= 25 ℃，除非另有说明，所有端子连接。）

漏源极电压（V

= 0 V)

门源电压（V

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

Note2

100

±20

±10

±30

3.0

150

+150

°C

门

保护

二极管

来源

门

体

二极管

等效电路

漏

总功率耗散（T

= 25°C)

总功率耗散（T

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note3

英镑

注意事项1 。

≤

S，占空比

≤

安装在1英寸×1英寸×0.8毫米的玻璃环氧基板

起始物为

= 25 ° C，V

= 50 V ，R

= 25

= 20

→

0 V，L = 100

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过

额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签

销售代表查询产品供应及其他信息。

一号文件G16410EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2003年3月NS CP （ K）

日本印刷

1.1 ±0.2

2002

PA1744TP

电气特性（T

= 25 ℃，除非另有说明，所有端子连接。）

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

记

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

| y

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 80 V

= 10 V

= 10 A

测试条件

= 100 V, V

= 0 V

= ±20 V, V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 5.0 A

= 10 V，I

= 5.0 A

= 10 V

= 0 V

F = 1 MHz的

= 50 V，I

= 5.0 A

= 10 V

= 10

分钟。

典型值。

马克斯。

±10

单位

2.5

3.0

3400

390

200

0.8

170

3.5

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

记

F（ S- D）的

= 10 A，V

= 0 V

= 10 A，V

= 0 V

的di / dt = 100 A /

记

脉冲： PW

≤

350

S，占空比

≤

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

= 25

PG 。

= 20

→

0 V

测试电路2开关时间

D.U.T.

PG 。

90%

10%

电波表

10%

90%

DSS

= 1

占空比

≤

电波表

D（上）

D（关闭）

关闭

起始物为

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

= 2毫安

PG 。

数据表G16410EJ1V0DS

PA1744TP

典型特征（T

= 25 ℃，除非另有说明，所有端子连接。）

正向偏置的降额因子

安全工作区

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

100

总功耗对比

外壳温度

- 总功耗 - W

100

125

150

175

100

125

150

175

- 外壳温度 -

°C

- 外壳温度 -

°C

正向偏置安全工作区

100

DS （ ON）

廉资讯科技教育

= 10 V)

D（ DC）的

= 10 A

D（脉冲）

= 30 A

= 25°C

单脉冲

PW = 1米每秒

- 漏电流 - 一个

10米每秒

功耗廉资讯科技教育

100米每秒

0.1

0.01

0.1

100

1000

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

TH（ CH-C ）

= 3.2 ° C / W

单脉冲

0.1

10 m

100 m

PW - 脉冲宽度 - S

100

1000

数据表G16410EJ1V0DS

PA1744TP

漏电流与

漏源极电压

= 10 V

脉冲

正向传递特性

100

= 10 V

脉冲

= 150°C

125°C

75°C

25°C

- 漏电流 - 一个

0.2

0.4

0.6

0.8

- 漏电流 - 一个

0.1

0.01

0.001

- 漏极至源极电压 - V

- 栅极至源极电压 - V

GATE截止电压主场迎战

通道温度

| y

| - 正向转移导纳 - S

100

正向转移导纳主场迎战

漏电流

= 10 V

P ulsed

25°C

75°C

125°C

150°C

GS （ OFF ）

- 栅极截止电压 - V

3.5

2.5

1.5

0.5

-25

= 10 V

= 1米

0.1

100

125

150

0.01

0.001

0.01

0.1

100

- 通道温度 -

°C

- 漏电流 - 一个

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻

与漏电流

= 10 V

脉冲

漏极至源极导通电阻

与门源电压

= 5.0 A

脉冲

0.1

100

- 漏电流 - 一个

- 栅极至源极电压 - V

数据表G16410EJ1V0DS

PA1744TP

漏极至源极导通电阻

与通道温度

-25

100

125

150

= 10 V

= 5.0 A

脉冲

电容与漏源极电压

1 00 00

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

国际空间站

1 00 0

OSS

1 00

RSS

= 0 V

F = 1 MHz的

0 .01

0 .1

1 00

- 通道温度 -

°C

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

1000

1 20

动态输入/输出特性

= 80 V

50 V

20 V

- 漏极至源极电压 - V

1 10

1 00

100

D（关闭）

D（上）

0.1

100

- 漏电流 - 一个

- 栅极电荷 - 数控

源极到漏极二极管的正向电压

100

= 0 V

脉冲

100

反向恢复时间对比

二极管的正向电流

的di / dt = 100 A / μs的

= 0 V

0.1

0.01

0.5

1.5

- 反向恢复时间 - NS

- 二极管正向电流 - 一个

0.1

100

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

- 二极管正向电流 - 一个

数据表G16410EJ1V0DS

- 栅极至源极电压 - V

D（上）

, t

D（关闭）

, t

- 开关时间 - NS

D D

= 50 V

的s

= 10 V

= 0

= 1 0 A