数据表
MOS场效应
PA1740TP
封装图（单位：mm ）
8
5
1, 2, 3
资料来源：
4
：门
5 ，6，7 ，8，9 ：漏极
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该
PA1740TP是N沟道MOS场效应晶体管器件，具有一个
低通态电阻和优良swiching特性，并
设计用于高电压应用，例如DC / DC变换器。
特点
高电压： V
DSS
= 200 V
栅极电压等级：
±30
V
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 0.44
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A)
低输入电容
C
国际空间站
= 420 pF的典型。 （V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V)
内置栅极保护二极管
小型表面贴装封装（电力HSOP8 ）
雪崩额定能力
1.49 ±0.21
1.44 TYP 。
1
5.2
+0.17
–0.2
4
0.8 ±0.2
S
+0.10
–0.05
6.0 ±0.3
4.4 ±0.15
0.05 ±0.05
0.15
1.27 TYP 。
0.40
1
+0.10
–0.05
0.10 S
0.12 M
2.0 ±0.2
2.9 MAX 。
订购信息
产品型号
PA1740TP
包
电力HSOP8
8
9
4.1最大。
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ℃，除非另有说明，所有端子连接。 ）
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
Note2
200
±30
±7.0
±21
22
1.0
150
-55到+ 150
7.0
4.9
7.0
2.2
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
A
mJ
门
保护
二极管
来源
门
体
二极管
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note3
Note3
Note4
Note4
等效电路
漏
I
AS
E
AS
I
AR
E
AR
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
注意事项1 。
2.
3.
4.
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
安装在玻璃环氧基板（ 1英寸× 1英寸× 0.8mm）的， PW = 10秒
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 100 V ，R
G
= 25
,
L = 100
H，V
GS
= 20
→
0 V
T
ch
≤
125°C ，V
DD
= 100 V ，R
G
= 25
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当
该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定
电压可以施加到该装置。
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证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
G15937EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年5月NS CP （ K）
日本印刷
1.1 ±0.2
4
2001
PA1740TP
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
1.4
1000
V
GS
= 10 V
脉冲
电容与
漏源极电压
1
0.8
0.6
3.5 A
0.4
0.2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 7.0 A
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
1.2
C
国际空间站
100
C
OSS
10
C
RSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
1
0.1
1
10
100
1000
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
100
动态输入/输出特性
240
12
10
8
V
GS
6
4
2
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
t
D（关闭）
10
t
D（上）
t
r
t
f
V
DS
1
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管
正向电压
100
脉冲
1000
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
10
t
rr
- 反向恢复二极管 - NS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
100
1
V
GS
= 0 V
10
0.1
V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
0.01
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1
0.1
1
10
100
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
数据表G15937EJ1V0DS
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
DD
= 100 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
220
V
DD
= 160 V
100 V
40 V
I
D
= 7.0 A
QQ：2880707522 复制
