添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第330页 > UPA1726
数据表
MOS场效应
PA1726
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
封装图（单位：mm ）
8
5
1,2,3 ;源
;门
4
5,6,7,8 ;漏
描述
该
PA1726是N-沟道MOS场效应
晶体管设计的电源管理
5
笔记本电脑等的应用程序。
特点
2.5 V门极驱动和低导通电阻
R
DS(on)1
= 9.1万亩MAX 。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.0 A)
5
5
1.44
R
DS(on)2
= 10.0 mΩ以下。 （V
GS
= 4.0 V，I
D
= 6.0 A)
1.8 MAX 。
1
5.37最大。
4
6.0 ±0.3
4.4
+0.10
–0.05
R
DS(on)3
= 12.5 mΩ以下。 （V
GS
= 2.5 V，I
D
= 6.0 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2700 pF的典型。
内置G -S保护二极管
小型表面贴装封装（ SOP8电）
0.8
0.15
0.05分钟。
0.5 ±0.2
0.10
1.27 0.78最大。
0.40
+0.10
–0.05
0.12 M
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
PA1726G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接。 ）
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
20
±12
±12
±48
2.0
150
-55到+150
V
V
A
A
W
°C
°C
等效电路
漏
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
门
体
二极管
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
2.
装在1200毫米× 2.2毫米陶瓷基板
备注
2
门
保护
二极管
来源
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
G14050EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2000年2月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1999, 2000
PA1726
电气特性（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接。 ）
特征
漏极至源极导通电阻
符号
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
栅极到源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏电流
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
测试条件
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.0 A
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 6.0 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 6.0 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.0 A
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±12 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
I
D
= 6.0 A
V
GS （ ON）
= 4.5 V
V
DD
= 10 V
R
G
= 10
I
D
= 12 A
V
DD
= 16 V
V
GS
= 4.5 V
I
F
= 12 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 12 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
2700
880
460
50
170
100
190
25
4
11
0.8
50
50
0.5
12
分钟。
典型值。
7.2
7.5
9.1
1.0
24
10
±10
马克斯。
9.1
10.0
12.5
1.5
单位
m
m
m
V
S
5
5
A
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
I
D
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1 %
I
D
电波表
V
GS
V
GS
电波表
I
G
= 2毫安
V
GS
（上）
90 %
R
L
V
DD
0
10 %
PG 。
90 %
90 %
50
I
D
0 10 %
10 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表G14050EJ1V0DS00
PA1726
5
典型特征（T
A
= 25
°
C，所有的终端连接。 ）
正向传递特性
100脉冲
V
DS
= 10 V
漏电流与
漏源极电压
V
GS
= 4.0 V
50
V
GS
= 4.5 V
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
10
I
D
- 漏电流 - 一个
T
A
= 125C
1
T
A
= 75C
T
A
= 25C
0.1
0.01
T
A
=
25C
40
V
GS
= 2.5 V
30
20
10
0.001
0
1
2
3
4
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
GS
-
门源电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
20
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
20
脉冲
16
V
GS
= 2.5 V
10
V
GS
= 4.5 V
12
I
D
= 6.0 A
8
4
0
50
0
50
100
150
0
0
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
10
T
ch
- 通道温度 - C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
30
25
20
15
V
GS
= 2.5 V
10
5
0
0.1
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.0 V
门源截止电压主场迎战
通道温度
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
脉冲
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
1.0
0.5
1
10
100
0.3
50
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 - C
数据表G14050EJ1V0DS00
3
PA1726
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
源极到漏极二极管
正向电压
1000
脉冲
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
V
DS
= 10 V
脉冲
25
C
10
75
C
125
C
1
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
T
A
=
25
C
100
10
V
GS
= 4.0 V
V
GS
= 0 V
1
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
电容与漏极TO
源极电压
10000
1000
反向恢复时间对比
漏电流
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
100
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
100
100
10
10
0.01
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
0.1
1
10
1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
动态输入/输出特性
12
30
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
25
20
15
10
5
V
DS
0
0
10
20
30
40
50
I
D
= 12 A
V
DD
= 16 V
10 V
4V
10
8
6
4
2
0
60
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
GS
4
数据表G14050EJ1V0DS00
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
PA1726
正向偏置的降额因子
安全工作区
2.8
总功耗对比
环境温度
安装在陶瓷
基材
1200 mm
2
×
2.2 mm
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
20
40
60
80
100 120 140 160
100
80
60
40
20
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
20
40
60
80
0
100 120 140 160
T
A
- 环境温度 - C
T
A
- 环境温度 - C
正向偏置安全工作区
100
S(
)
on
d
ITE ）
M·V
李4.5
=
S
I
D（脉冲）
= 48 A
PW
=
R
D
V
G
(@
1
10
10
0
we
rD
国际空间站
m
10
0
s
s
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D（ DC）的
= 12 A
m
10
Po
s
m
s
ip
at
1
io
n
Li
m
ITE
d
T
A
= 25C
0.1
0.1
单脉冲
备注
1
10
100
安装于1200毫米的陶瓷基片
×
2.2 mm
2
V
DS -
漏源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第（章-a）的
= 62.5℃ / W
10
1
0.1
0.01
0.001
10
安装在陶瓷
1200毫米基板
2
×
2.2 mm
单脉冲
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G14050EJ1V0DS00
5
查看更多UPA1726PDF信息
推荐型号
UPSD3315B-24T1
UPD16510GR-8JG
UGF12JT
UF1600
U2Z30
UPD6451ACX-001
UPZW6470MHD
UPC1100C
UN5214
UB25KKG01N-F
UHV-222A
UCC3807D-3
UPC29M05A
U2791B
UPA1772G
UGN3132LT
UCC2808PW-2
U635H64S2C25G1
UPC79M12H
UG70
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA1726
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
UPA1726
TOSHIBA
16+
80000
SOP-8
全新原装正品/质量有保证
查询更多UPA1726供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！