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数据表

MOS场效应

PA1725

开关

N沟道功率MOS FET

工业用

描述

这

PA1725是N沟道MOS场效应晶体管

设计用于电源管理应用

笔记本电脑等。

8

封装图（单位：mm ）

5

1,

2,3

4

5,6,7,8

;

;

;

;

无连接

来源

门

漏

特点

2.5 V门极驱动和低导通电阻

1.8 MAX 。

内置G -S保护二极管

小型表面贴装封装（ SOP8电）

0.05分钟。

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 950 pF的典型。

0.15

R

DS(on)3

= 30.0 mΩ以下。（V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.5 A)

+0.10

–0.05

1.44

R

DS(on)1

= 21.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.5 A)

R

DS(on)2

= 22.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.0 V，I

D

= 3.5 A)

1

5.37最大。

4

6.0 ±0.3

4.4

0.8

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78最大。

0.40

+0.10

–0.05

0.12 M

订购信息

产品型号

包

电源SOP8

PA1725G

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

T

ch

T

英镑

20

±12

±7

±28

2.0

150

-55到+ 150

2

V

V

A

A

W

°C

°C

门

保护

二极管

来源

门

体

二极管

等效电路

漏

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1 %

2.

装在1200毫米× 2.2毫米陶瓷基板

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

G14049EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2000年1月NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

1999, 2000

PA1725

电气特性（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

特征

漏极至源极导通电阻

符号

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

栅极到源截止电压

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

I

DSS

I

GSS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

测试条件

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3.5 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 3.5 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 3.5 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 3.5 A

V

DS

= 20 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±12 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

I

D

= 3.5 A

V

GS （ ON）

= 4.5 V

V

DD

= 10 V

R

G

= 10

I

D

= 7 A

V

DD

= 16 V

V

GS

= 4.5 V

I

F

= 7 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 7 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

950

310

160

30

120

70

70

9.6

1.7

4.1

0.8

40

27

0.5

5.0

分钟。

典型值。

16.5

17.0

22.0

1.0

11.0

10

±10

马克斯。

21.0

22.0

30.0

1.5

单位

m

m

m

V

S

正向转移导纳

漏极漏电流

门源漏电流

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

A

A

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

ns

nC

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试电路2开关时间

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

D.U.T.

R

L

PG 。

R

G

V

DD

I

D

V

GS

0

τ

τ

= 1

s

占空比

≤

1 %

I

D

电波表

V

GS

V

GS

电波表

I

G

= 2毫安

V

GS

（上）

90 %

R

L

V

DD

0

10 %

PG 。

90 %

90 %

50

I

D

0 10 %

10 %

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

2

数据表G14049EJ1V0DS00

PA1725

典型特征（T

A

= 25 °C

,

所有的终端连接。）

正向传递特性

100

10

脉冲

30

25

漏电流与

漏源极电压

脉冲

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

1

0.1

0.01

T

A

= 125C

75C

25C

25C

20

15

10

5

V

GS

= 4.5 V

4.0 V

2.5 V

0.001

V

DS

= 10 V

0

1

2

3

4

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

V

GS

-

门源电压 - V

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

50

40

30

20

脉冲

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

80

脉冲

70

60

50

40

30

20

10

0

I

D

= 3.5 A

1.4 A

5

10

15

V

GS

= 2.5 V

4.5 V

10

0

I

D

= 3.5 A

50

0

50

100

150

T

ch

- 通道温度 - C

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

70

60

50

40

30

20

10

0

V

GS

= 2.5 V

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

脉冲

门源截止电压主场迎战

通道温度

V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

1.0

4.0 V

4.5 V

0.5

1

10

100

50

0

50

100

150

I

D

- 漏电流 - 一个

T

ch

- 通道温度 - C

数据表G14049EJ1V0DS00

3

PA1725

正向转移导纳主场迎战

漏电流

源极到漏极二极管

正向电压

1000

脉冲

|y

fs

| - 正向转移导纳 - S

100

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

V

DS

= 10 V

脉冲

100

V

GS

= 4.0 V

10

0V

10

T

A

=

25C

25C

75C

125C

1

1

0.1

0.001

0.01

0.1

1

10

100

0.1

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

I

D

- 漏电流 - 一个

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

电容与漏极TO

源极电压

10 000

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

1 000

C

国际空间站

C

OSS

100

C

RSS

10

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

反向恢复时间对比

漏电流

1 000

t

rr

- 反向恢复二极管 - NS

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 V

6

10

V

GS

4

2

V

DS

0

5

10

15

20

25

0

30

10

1

0.1

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

4

数据表G14049EJ1V0DS00

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

动态输入/输出特性

30

12

I

D

= 7 A

V

DD

= 16 V

10

10 V

4V

20

8

PA1725

正向偏置的降额因子

安全工作区

2.8

总功耗对比

环境温度

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

P

T

- 总功耗 - W

100

80

60

40

20

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

20

40

60

80

安装在陶瓷

基材

1200 mm

2

×2.2

mm

0

20

40

60

80

100 120 140 160

100 120 140 160

T

A

- 环境温度 - C

T

A

- 环境温度 - C

正向偏置安全工作区

100

T

A

= 25 C

单脉冲

I

D（脉冲）

= 28 A

PW

=

I

D

- 漏电流 - 一个

)

=林

4. ITE

5

V ）D

1

s

1

m

s

R

(V

DS （O

10

10

I

D（ DC）的

= 7 A

n

m

G

S

s

s

0

10

m

Po

r

we

ss

Di

1

a

ip

TIO

n

Li

m

ITE

0.1

0.01

安装在陶瓷

基材

1200 mm

2

×2.2

mm

d

0.1

1

10

100

V

DS -

漏源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1 000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

100

R

第（章-a）的

= 62.5℃ / W

10

1

0.1

安装在陶瓷

1200毫米基板

2

×

2.2 mm

单脉冲

0.01

100

1m

10 m

100 m

1

10

100

1 000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表G14049EJ1V0DS00

5

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联系人：刘经理

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21+

12500

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