【数据表MOS场效应PA1721开关N沟道功率MOS FET工业用封装图（单位：mm ）851,2,3】,IC型号UPA1721,UPA1721 PDF资料,UPA1721经销商,ic,电子元器件-51电子网

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数据表

MOS场效应

PA1721

开关

N沟道功率MOS FET

工业用

封装图（单位：mm ）

8

5

1,2,3 ;源

;门

4

5,6,7,8 ;漏

描述

该

PA1721是N-沟道MOS场效应

晶体管设计的DC / DC转换器和功率

管理应用程序的笔记本电脑。

特点

低导通电阻

R

DS(on)1

= 10.5 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 5.0 A)

1.44

1

5.37最大。

+0.10

–0.05

4

6.0 ±0.3

4.4

0.8

R

DS(on)2

= 14.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 5.0 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 2200 pF的典型。

内置G -S保护二极管

小型表面贴装封装（ SOP8电）

1.8 MAX 。

R

DS(on)3

= 17.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.0 V，I

D

= 5.0 A)

0.15

0.05分钟。

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78最大。

0.40

+0.10

–0.05

0.12 M

订购信息

产品型号

包

电源SOP8

PA1721G

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

等效电路

漏

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

T

ch

T

英镑

30

±20

±10

±40

2.0

150

-55到+150

V

V

A

A

W

°C

°C

门

保护

二极管

来源

门

体

二极管

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1 %

2.

装在1200毫米× 2.2毫米陶瓷基板

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

2

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证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

G13889EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1999年11月NS CP （ K）

日本印刷

商标

5

表示主要修改点。

1998,1999

PA1721

电气特性（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

特征

漏极至源极导通电阻

符号

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

栅极到源截止电压

正向转移导纳

漏极漏电流

门源漏电流

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

I

DSS

I

GSS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

测试条件

V

GS

= 10 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 5.0 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 5.0 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 5.0 A

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±20 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

I

D

= 5.0 A

V

GS （ ON）

= 10 V

V

DD

= 15 V

R

G

= 10

I

D

= 10 A

V

DD

= 24 V

V

GS

= 10 V

I

F

= 10 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 10 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

2200

710

270

30

90

90

50

39

6.3

10.0

0.8

40

50

1.5

7.0

分钟。

典型值。

8.0

10.0

12.0

2.0

14.0

10

±10

马克斯。

10.5

14.0

17.0

2.5

单位

m

m

m

V

S

A

A

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

ns

nC

测试电路1开关时间

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

D.U.T.

R

L

PG 。

R

G

R

G

= 10

V

DD

I

D

90 %

90 %

I

D

0 10 %

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

10 %

t

f

V

GS

I

G

= 2毫安

V

GS （ ON）

90 %

V

GS

电波表

R

L

V

DD

0

10 %

PG 。

50

V

GS

0

τ

τ

= 1

s

占空比

≤

1 %

I

D

电波表

2

数据表G13889EJ1V0DS00

PA1721

典型特征（T

A

= 25 °C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

2.8

总功耗对比

环境温度

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

P

T

- 总功耗 - W

100

80

60

40

20

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

20

40

60

80

安装在陶瓷

基材

1200mm

2

×2.2mm

0

20

40

60

80

100 120 140 160

100 120 140 160

T

A

- 环境温度 - C

T

A

- 环境温度 - C

正向偏置安全工作区

100

100

s

I

D（脉冲）

R

D

(V

秒（上）

G

S

=林

10 ITE

V ）D

1m

10

m

记

安装在1200毫米ceramicsubstrate

×

2.2 mm

2

I

D

- 漏电流 - 一个

s

10

s

I

D（ DC）的

10

0m

s

Po

we

rD

ip

国际空间站

1

at

io

n

Li

m

ITE

d

0.1

0.01

T

A

= 25 C

单脉冲

0.1

1

10

V

DS -

漏源极电压 - V

100

r

日（T ）

- 瞬态热阻 -

C / W

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

R

第（章-a）的

= 62.5℃ / W

100

10

1

安装在陶瓷

基材

1200 mm

2

至2.2mm

单脉冲，T

A

= 25 C

渠道环境

0.1

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表G13889EJ1V0DS00

3

PA1721

漏电流与

漏源极电压

脉冲

4.5 V

4.0 V

正向传递特性

100

脉冲

50

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

10

T

A

= 150C

75C

25C

25C

40

30

20

10

V

GS

= 10 V

1

0.1

0

1

2

V

DS

= 10 V

3

4

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

V

GS

-

门源电压 - V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

|y

fs

| - 正向转移导纳 - S

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

5

10

15

I

D

= 5 A

I

D

= 10 A

10

T

A

=

25C

25C

75C

150C

1

0.1

0.01

0.1

1

V

DS

=10 V

脉冲

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

40

36

32

28

24

20

16

12

8

4

0

0.1

1

10

100

4.5 V

10 V

V

GS

= 4.0 V

脉冲

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

门源截止电压主场迎战

通道温度

4

V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

3

2

1

0

100

50

0

50

100

150

I

D

- 漏电流 - 一个

T

ch

- 通道温度 - C

4

数据表G13889EJ1V0DS00

PA1721

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

20

V

GS

= 4.0 V

4.5 V

10 V

源极到漏极二极管

正向电压

脉冲

I

SD

- 二极管正向电流 - 一个

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

100

10

V

GS

= 10 V

0V

1

I

D

= 5 A

50

0

50

100

150

T

ch

- 通道温度 - C

0.1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

电容与漏极TO

源极电压

10000

反向恢复时间对比

漏电流

1 000

C

国际空间站

1000

C

OSS

100

C

RSS

t

rr

- 反向恢复二极管 - NS

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

的di / dt = 100A /

s

V

GS

= 0 V

100

10

10

0.1

1

10

100

1

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

I

D

- 漏电流 - 一个

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

14

30

V

DD

= 24 V

15 V

6V

12

10

V

GS

8

6

10

4

2

0

0

5

V

DS

10 15

20

35

40

45

0

50

20

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

动态输入/输出特性

40

16

数据表G13889EJ1V0DS00

5

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联系人：朱先生

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NEC

22+

26400

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