【数据表MOS场效应PA1709开关N沟道功率MOS FET工业用描述此产物是N-沟道MOS场效应晶体】,IC型号UPA1709,UPA1709 PDF资料,UPA1709经销商,ic,电子元器件-51电子网

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数据表

MOS场效应

PA1709

开关

N沟道功率MOS FET

工业用

描述

此产物是N-沟道MOS场效应晶体管设计用于DC / DC转换器和电源管理

开关。

特点

低导通电阻

R

DS(on)1

= 9.3毫欧（典型值）（V

GS

= 10 V，I

D

= 4.5 A)

R

DS(on)2

= 13.8毫欧（典型值）（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 4.5 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 1850 PF（ TYP 。）

内置G -S保护二极管

小型表面贴装封装（ SOP8电）

封装图（单位：mm ）

8

5

1,2,3 ;源

;门

4

5,6,7,8 ;漏

1

4

5.37最大。

+0.10

–0.05

6.0 ±0.3

4.4

0.8

1.8 MAX 。

订购信息

产品型号

包

电源SOP8

1.44

0.15

0.05分钟。

PA1709G

0.5 ±0.2

0.10

1.27

0.40

0.78 MAX 。

+0.10

–0.05

0.12 M

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

EQUIVARENT电路

漏

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

T

ch

T

英镑

40

±25

±9.0

±36

2.0

150

-55到+ 150

V

V

A

A

W

°C

°C

门

保护

二极管

门

体

二极管

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

来源

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1 %

2.

装在1200毫米× 0.7毫米陶瓷基板

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

2

文档编号

G13436EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1998年11月NS CP （ K）

日本印刷

1998

PA1709

电气特性（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

特征

漏极至源极导通电阻

符号

R

DS(on)1

R

DS(on)2

栅极到源截止电压

正向转移导纳

漏极漏电流

门源漏电流

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

I

DSS

I

GSS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

测试条件

V

GS

= 10 V，I

D

= 4.5 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 4.5 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 4.5 A

V

DS

= 40 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±25 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

I

D

= 4.5 A

V

GS （ ON）

= 10 V

V

DD

= 20 V

R

G

= 10

I

D

= 9.0 A

V

DD

= 32 V

V

GS

= 10 V

I

F

= 9.0 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 9.0 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

1850

790

330

27

95

110

70

43.0

6.0

14.0

0.78

47

44

1.5

8.0

分钟。

典型值。

9.3

13.8

2.0

14

10

±10

马克斯。

12.5

20.0

2.5

单位

m

m

V

S

A

A

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

ns

nC

测试电路1开关时间

D.U.T.

R

L

V

GS

V

GS

电波表

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

10 %

90 %

90 %

I

D

V

GS （上）

90 %

R

L

V

DD

PG 。

R

G

R

G

= 10

0

I

D

V

DD

PG 。

50

V

GS

0

t

t=

1 s

占空比

D

电波表

I

0

10 %

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

10 %

t

f

1%

2

PA1709

典型特征（T

A

= 25 °C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

2.8

总功耗对比

环境温度

安装在陶瓷

基材

1200 mm

2

0.7 mm

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

P

T

- 总功耗 - W

20

40

60

80

100 120 140 160

100

80

60

40

20

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

20

40

60

0

80

100 120 140 160

T

A

- 环境温度 - C

T

A

- 环境温度 - C

正向偏置安全工作区

100

安装在陶瓷

I

D

（脉冲）

I

D

（DC）的

漏电流与

漏源极电压

1200毫米基板

2

0.7 mm

PW

脉冲

50

R

(V

DS （O

第G n ）

S

= 1Lim

0 V ITE

) d

=

I

D

- 漏电流 - 一个

1

m

s

10

10

0m

I

D

- 漏电流 - 一个

10

40

30

20

10

m

V

GS

= 10 V

4.5 V

s

Po

we

国际空间站

rD

D

s

1

C

ip

at

io

n

Li

m

ITE

T

A

= 25 C

0.1单脉冲

0.1

0

d

1

10

100

0

0.4

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

0.8

V

DS -

漏源极电压 - V

正向传递特性

100

脉冲

I

D

- 漏电流 - 一个

10

T

A

= 150 C

125 C

75 C

25 C

-25 C

-50 C

1

0.1

V

DS

= 10 V

8

6

0

2

4

V

GS

-

门源电压 - V

3

PA1709

瞬态热阻与脉冲宽度

1 000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

100

R

第（章-a）的

= 62.5 C / W

10

1

0.1

0.01

0.001

10

100

1m

10 m

100 m

1

安装在陶瓷

1200毫米基板

2

单脉冲

0.7 mm

10

100

1 000

PW - 脉冲宽度 - S

正向转移导纳主场迎战

漏电流

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - 米

100

脉冲

T

A

= -50 C

-25 C

25 C

脉冲

60

|y

fs

| - 正向转移导纳 - S

10

40

1

75 C

125 C

150 C

20

I

D

= 4.5 A

0.1

0.1

V

DS

= 0 V

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

0

5

10

15

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

门源截止电压主场迎战

通道温度

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - 米

40

V

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

脉冲

2.6

V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

30

20

V

GS

= 4.5 V

10

10 V

0

1

10

100

1.8

1.0

-40

0

40

80

120

T

ch

- 通道温度 - C

I

D

- 漏电流 - 一个

4

PA1709

漏极至源极导通电阻与

通道温度

源极到漏极二极管

正向电压

脉冲

100

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - 米

40

30

V

GS

= 4.5 V

20

10 V

10

I

D

= 4.5 A

-50

0

50

100

150

I

SD

- 二极管正向电流 - 一个

V

GS

= 10 V

10

0V

1

0.1

0

0.5

1.0

1.5

0

T

ch

- 通道温度 - C

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

电容与漏极TO

源极电压

10 000

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

1 000

开关特性

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

t

r

100

t

f

t

D（上）

10

t

D（关闭）

C

国际空间站

1 000

C

OSS

C

RSS

100

10

0.1

1

10

100

1

0.1

V

DS

= 20 V

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

1

10

100

I

D

- 漏电流 - 一个

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

反向恢复时间对比

二极管电流

1 000

的di / dt = 100 A / S

V

GS

= 0 V

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

40

8

6

10

20

V

DS

0

20

40

60

80

4

2

1

0.1

1

10

100

I

D

- 二极管电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

动态输入/输出特性

80

I

D

= 9.0 A

V

DD

= 32 V

14

20 V

12

60

8V

V

GS

10

5

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