数据表
MOS场效应
PA1706TP
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该
PA1706TP其具有散热器是N沟道
MOS场效应晶体管设计用于DC / DC变换器
和电源管理的笔记本电脑的应用。
封装图（单位：mm ）
8
5
1, 2, 3
;源
4
;门
5 ，6，7 ，8，9 ;漏
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 7.8 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 7.0 A)
R
DS(on)2
= 10.0 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 7.0 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 3000 pF的典型。 （V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V)
小型表面贴装封装（电力HSOP8 ）
1.49 ±0.21
1.44 TYP 。
1
5.2
+0.17
–0.2
4
0.8 ±0.2
S
+0.10
–0.05
6.0 ±0.3
4.4 ±0.15
0.05 ±0.05
0.15
1.27 TYP 。
0.40
1
+0.10
–0.05
0.10 S
0.12 M
订购信息
产品型号
包
电力HSOP8
2.0 ±0.2
2.9 MAX 。
9
4.1最大。
PA1706TP
8
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接。 ）
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（ DC ）
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D(DC)1
I
D(DC)2
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
30
±20
±28
±17
±100
39
3
150
-55到+ 150
19
36.1
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
门
保护
二极管
门
体
二极管
漏
漏电流（脉冲）
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功耗
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note3
Note3
Note1
I
AS
E
AS
1.1 ±0.2
4
等效电路
来源
注意事项1 。
安装在玻璃环氧基板（ 1英寸× 1英寸× 0.8mm）的， PW = 10秒
2.
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
3.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 15 V ，R
G
= 25
,
L = 100
H，V
GS
= 20
→
0 V
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
G15850EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年5月NS CP （ K）
日本印刷
2001
PA1706TP
正向传递特性
100
脉冲
50
漏电流与
漏源极电压
V
GS
= 10 V
4.5 V
4.0 V
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
10
I
D
- 漏电流 - 一个
V
DS
= 10 V
T
A
= 125C
75C
25C
25C
40
30
20
10
1
0.1
0.01
0
1
2
3
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
GS
-
门源电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
|y
fs
| - 正向转移导纳 - S
1000
V
DS
=10 V
脉冲
T
A
=
25C
25C
75C
125C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
正向转移导纳主场迎战
漏电流
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
50
40
脉冲
100
30
10
20
1
10
I
D
= 7.0 A
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12 14 16 18 20
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
20
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0
40 20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
脉冲
15
10
V
GS
= 4.0 V
4.5 V
5
10 V
0
0.1
1
10
100
1000
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 - C
4
数据表G15850EJ1V0DS
PA1706TP
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-40 -20
I
D
= 7.0 A
0
20 40 60 80 100 120 140 160
V
GS
= 4.0 V
4.5 V
10 V
源极到漏极二极管
正向电压
1000
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
脉冲
100
0V
V
GS
=10 V
10
1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
开关特性
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
100
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
1000
100
t
r
10
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
10
0.1
1
10
100
1
0.1
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
反向恢复时间对比
漏电流
1000
t
rr
- 反向恢复二极管 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
30
100
V
DD
= 24 V
15 V
6V
V
GS
12
10
20
8
6
10
10
V
DS
0
20
40
60
80
4
2
0
100
1
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
40
I
D
= 13 A
数据表G15850EJ1V0DS
5
QQ：2881677436 复制
