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数据表

MOS场效应

PA1705

开关

N沟道功率MOS FET

工业用

描述

本产品是N沟道MOS场效应晶体管

设计用于DC / DC转换器和电源管理

应用笔记本电脑。

封装图（单位：mm ）

1, 2, 3

;源

;门

5，6， 7，8 ;漏

特点

超低导通电阻

1.44

DS(on)1

= 19.0 mΩ的典型值。（V

= 10 V，I

= 4.0 A)

DS(on)2

= 30.0 mΩ的典型值。（V

= 4.5 V，I

= 4.0 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 750 pF的典型。

内置G -S保护二极管

小型表面贴装封装（ SOP8电）

1.8 MAX 。

5.37最大。

6.0 ±0.3

4.4

+0.10

–0.05

0.8

0.15

0.05分钟。

0.5 ±0.2

0.10

1.27

0.40

0.78 MAX 。

0.12 M

+0.10

–0.05

订购信息

产品型号

包

电源SOP8

PA1705G

绝对最大额定值（T

= 25 ° C，所有的终端连接。）

漏源极电压（V

= 0)

门源电压（V

= 0)

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

±25

±8

±50

2.0

150

-55到+ 150

°C

门

体

二极管

漏

等效电路

总功率耗散（T

= 25 °C)

通道温度

储存温度

°C

门

保护

二极管

注意事项1 。

≤

S，占空比

≤

1 %

装在1200毫米× 1.7毫米陶瓷基板

备注

来源

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

G12712EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1999年2月NS CP （ K）

日本印刷

1998, 1999

PA1705

电气特性（T

= 25 ° C，所有的终端连接。）

特征

漏极至源极导通电阻

符号

DS(on)1

DS(on)2

栅极到源截止电压

正向转移导纳

漏极漏电流

门源漏电流

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

GS （ OFF ）

| y

DSS

GSS

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

F（ S- D）的

测试条件

= 10 V，I

= 4.0 A

= 4.5 V，I

= 4.0 A

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 4.0 A

= 30 V, V

= 0 V

= ±25 V, V

= 0 V

= 10 V

= 0 V

F = 1 MHz的

= 4.0 A

GS （ ON）

= 10 V

= 15 V

= 10

= 8.0 A

= 24 V

= 10 V

= 8.0 A，V

= 0 V

如果= 8.0 A，V

= 0 V

的di / dt = 100A /

750

350

160

107

2.4

6.3

0.8

1.5

4.0

分钟。

典型值。

2.0

8.4

±10

马克斯。

2.5

单位

测试电路1开关时间

D.U.T.

电波表

测试电路2栅极电荷

D.U.T.

= 2毫安

PG 。

90 %

PG 。

= 10

10 %

GS （上）

90 %

t = 1

占空比

≤

1 %

电波表

10 %

D（上）

D（关闭）

关闭

10 %

数据表G12712EJ1V0DS00

PA1705

典型特征（T

= 25 ° C，所有的终端连接。）

正向偏置的降额因子

安全工作区

2.8

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

- 总功耗 - W

100

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

100 120 140 160

安装在陶瓷

基材

1200 mm

1.7 mm

总功耗对比

环境温度

100 120 140 160

- 环境温度 -

正向偏置安全工作区

100

D（脉冲）

= 50 A

它）

林0 V

- 环境温度 -

备注

安装于2000毫米的陶瓷基片

1.7 mm

- 漏电流 - 一个

RD吨V

)

D（ DC）的

= 8 A

R D所

国际空间站

IPA

TIO

LIM

ITE

0.1

= 25

单脉冲

100

DS -

漏源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1 000

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

100

0.1

安装在陶瓷

基材

1200 mm

为1.7mm

单脉冲

渠道环境

10 m

100 m

100

1000

10 000

0.01

0.001

100

PW - 脉冲宽度 - S

数据表G12712EJ1V0DS00

PA1705

正向传递特性

100

脉冲

漏电流与

漏源极电压

脉冲

- 漏电流 - 一个

= 10 V

= 4.5 V

= 125

–25

0.1

0.01

= 10 V

0.2

0.4

0.6

0.8

- 栅极至源极电压 - V

- 漏极至源极电压 - V

| y

| - 正向转移导纳 - S

100

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

正向转移导纳主场迎战

漏电流

= 10 V

脉冲

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

脉冲

150

= 4 A

100

= 125

–25

0.1

100

- 漏电流 - 一个

- 栅极至源极电压 - V

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

脉冲

=10 V

- 漏电流 - 一个

100

= 4.5 V

门源截止电压主场迎战

通道温度

GS （ OFF ）

- 门源截止电压 - V

2.0

= 0 V

= 8 A

1.0

–20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

- 通道温度 -

数据表G12712EJ1V0DS00

PA1705

漏极至源极导通电阻与

通道温度

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

源极到漏极二极管

正向电压

脉冲

- 二极管正向电流 - 一个

100

= 4.5 V

= 0 V

= 10 V

0.1

0.5

1.0

1.5

= 4 A

–20

20 40 60 80 100 120 140 160

- 源极到漏极电压 - V

- 通道温度 -

电容与漏极TO

源极电压

1 000 0

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

D（上）

, t

D（关闭）

, t

- 开关时间 - NS

开关特性

1 000

100

D（关闭）

D（上）

= 10 V

= 0 V

F = 1 MHz的

1 000

国际空间站

OSS

100

RSS

0.1

100

0.1

= 15 V

GS （ ON）

= 10 V

= 10

100

- 漏极至源极电压 - V

- 漏电流 - 一个

反向恢复时间对比

漏电流

1 000

- 反向恢复时间 - NS

的di / dt = 100 A /

= 0

动态输入/输出特性

- 漏极至源极电压 - V

= 8 A

= 24 V

15 V

- 栅极至源极电压 - V

100

0.1

100

- 二极管电流 - 一个

- 栅极电荷 - 数控

数据表G12712EJ1V0DS00