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数据表
MOS场效应功率晶体管
PA1700
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
此产物是N-沟道MOS场效应转录
体管设计用于DC / DC变换器和功率MAN-
对笔记本电脑理应用。
8
包装尺寸
（以毫米）
5
1,2,3 ;源
4
;门
5,6,7,8 ;漏
特点
低导通电阻
R
DS(on)1
= 27 mΩ的典型值。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A)
R
DS(on)2
= 50 mΩ的典型值。 （V
GS
= 4 V，I
D
= 3.5 A)
1.44
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 850 pF的典型。
1.8最大
1
5.37最大
4
6.0±0.3
4.4
0.8
小和表面贴装封装
（电源SOP8 ）
0.15
+0.10
–0.05
内置G -S保护二极管
0.05分钟
0.5±0.2
1.27
0.78最大
0.12 M
0.10
0.40
+0.10
–0.05
订购信息
产品型号
包
电源SOP8
PA1700G
等效电路
漏
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） *
总功耗
(T
A
= 25
°C)**
通道温度
储存温度
T
CH
T
英镑
150
-55到+150
°C
°C
V
DSS
V
GDS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
30
±20
±7.0
±28
2.0
V
V
A
A
W
栅极保护
二极管
来源
为了保持良好的辐射状况，
建议在所有引脚
被焊接到印刷电路板。
门
体
二极管
*
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
**
安装在1200毫米陶瓷子状态
2
×
0.7 mm
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当此
设备的实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定电压
可应用于该设备。
一号文件G10479EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1995年P月
日本印刷
1995
PA1700
电气特性（T
A
= 25
°
C)
特征
漏极至源极导通状态
阻力
门源截止电压
正向转移导纳
漏极漏电流
门源漏
当前
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 3.5 A
V
GS （ ON）
= 10 V
V
DD
= 15 V
R
G
= 10
I
D
= 7.0 A
V
DD
= 24 V
V
GS
= 10 V
I
F
= 7.0 A，V
GS
= 0
I
F
= 7.0 A，V
GS
= 0
的di / dt = 100 A /
s
850
550
270
20
105
90
60
33
2.4
13
0.84
60
90
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
符号
R
DS(on)1
R
DS(on)2
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
GS
= 4 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
1.0
5.0
10
±10
分钟。
典型值。
20
33
1.6
马克斯。
27
50
2.0
单位
m
m
V
S
A
A
测试电路1开关时间
D.U.T.
R
L
V
GS
V
GS
电波表
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
I
D
90 %
90 %
I
D
D
电波表
PG 。
R
G
R
G
= 10
0
10 %
V
GS （上）
90 %
R
L
V
DD
V
DD
50
V
GS
0
t
t = 1
s
占空比< 1 ％
=
I
0
10 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
10 %
t
f
2
PA1700
典型特征（T
A
= 25
°
C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
总功耗对比
环境温度
2.8
P
T
- 总功耗 - W
安装在陶瓷
基材
1200 mm
2
×
0.7 mm
100
80
60
40
20
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
20
40
60
80
0
20
40
60
80
100 120 140 160
100 120 140 160
T
A
- 环境温度 - °C
T
A
- 环境温度 - °C
漏电流与
漏源极电压
脉冲
20
I
D
- 漏电流 - 一个
正向偏置安全工作区
100
d
ITE ）
米0V
i
)
L 1
on
=
S（ GS
R
D
吨V
(a
I
D（脉冲）
安装在陶瓷
基材
1200 mm
2
×
0.7 mm
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
= 20 V
16
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4 V
10
I
D（ DC）的
1
10
m
s
m
s
1
Po
we
rD
10
12
8
4
0
m
国际空间站
IPA
DC
s
TIO
n
LIM
0.1
0.1
T
A
= 25 °C
单脉冲
ITE
d
1
10
100
0
0.5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
1.0
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向传递特性
100
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1
T
A
= –25 °C
25 °C
125 °C
0.1
V
DS
= 10 V
0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
3
PA1700
瞬态热阻与脉冲宽度
1 000
RTH （T ） - 瞬态热阻 - ° C / W
R
第（章-a）的
= 62.5 C / W
100
10
1
0.1
0.01
0.001
10
安装在陶瓷
基材
1200 mm
2
×
0.7 mm
单脉冲
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
PW - 脉冲宽度 - S
|y
fs
| - 正向转移导纳 - S
100
T
A
= –25 °C
25 °C
75 °C
125 °C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
正向转移导纳主场迎战
漏电流
V
DS
= 10 V
脉冲
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
脉冲
60
10
40
1
20
I
D
= 3.5 A
0.1
0.1
1
10
100
0
5
10
15
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
150
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
脉冲
2.0
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
100
1.5
1.0
50
V
GS
= 4 V
0.5
V
GS
= 10 V
0
1
10
I
D
- 漏电流 - 一个
100
0
–50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 - °C
4
PA1700
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
80
源极到漏极二极管
正向电压
脉冲
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
100
60
V
GS
= 4 V
10
10 V
40
V
GS
= 10 V
1
V
GS
= 0
0.1
0
0.5
1.0
1.5
20
I
D
= 3.5 A
–50
0
50
100
150
0
T
ch
- 通道温度 - °C
电容与漏极TO
源极电压
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
开关特性
1 000
10 000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
t
f
100
t
D（关闭）
1 000
C
国际空间站
C
OSS
100
C
RSS
t
r
10
t
D（上）
10
0.1
1
10
100
1
0.1
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
反向恢复时间对比
漏电流
1 000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
30
V
DS
20
100
V
DD
= 24 V
15 V
6V
12
10
8
V
GS
6
10
10
4
2
1
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0
动态输入/输出特性
16
40
I
D
= 7.0 A
14
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UA709AMJG
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UML0G101MDD
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UFT2060
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UCC28061
UPD7228
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    联系人：杨小姐
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    UPA1700G
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地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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联系人：朱咸华
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电话：0755-82723761/82772189
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联系人：刘经理
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