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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第174页 > UPA1478H
数据表
硅晶体管阵列
PA1478
NPN硅功率晶体管阵列
低速切换使用（达林顿晶体管）
工业用
描述
该
PA1478是NPN硅外延达林顿
所建立起来的浪涌吸收器和功率晶体管阵列
4电路设计用于驱动电磁阀，继电器，灯
等等。
26.8 MAX 。
4.0
包装尺寸为
（单位：毫米）
特点
浪涌吸收器（齐纳二极管），内置的。
方便安装0.1英寸的终端区间。
高
FE
为达林顿晶体管。
订购信息
产品型号
包
10引脚SIP
质量等级
标准
10
1.4
0.6 ±0.1
2.54
1.4
0.5 ±0.1
PA1478H
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
接线图
请参考"Quality等级NEC半导体Devices"
（文件编号IEI - 1209 ）， NEC公司发布到
知道的质量等级上的设备和说明书中其
推荐应用。
3
2
1
4
5
6
7
8
10
9
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
电涌能量维持
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
总功耗
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
EBO
E
CEO （ SUS）
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
P
T1
**
P
T2
***
T
J
T
英镑
31
±4
31
±4
7
40
±2
±4
3.5
28
150
V
V
V
兆焦耳/单位
A /单位
A /单位
W
W
C
(B)
集电极到发射极电压V
首席执行官
(C)
PIN号
2，4， 6，8 ：底座（B）的
3 ， 5 ， 7 ， 9 ：集电极（ C）
1, 10
：发射极（ E）
R
1
R
2
(E)
R
1
= 10 k
.
.
R
2
= 500
.
.
-55 + 150℃
*
PW
≤
300
S，占空比
≤
10 %
**
4电路，T
a
= 25 C
***
4电路，T
c
= 25 C
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
文件编号IC- 3566
（外径编号IC - 6634 ）
发布日期1994年P月
日本印刷
10分钟。
2.5
1994
PA1478
电气特性（T
A
= 25 C)
特征
收藏家泄漏电流
射极漏泄电流
集电极到发射极
维持电压
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
启动时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
27
31
分钟。
典型值。
马克斯。
10
1
35
单位
测试条件
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
I
C
= 1 A,
L = 3 mH的
V
CE
= 2 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2 V，I
C
= 1 A
I
C
= 1 A，I
B
= 1毫安
I
C
= 1 A，I
B
= 1毫安
I
C
= 1 A
I
B1
= –I
B2
= 1毫安
.
.
V
CC
= 20 V ，R
L
= 20
.
.
见测试电路
A
mA
V
h
FE1
h
FE2
*
*
1000
2000
30000
1.5
2
0.5
3
1
—
—
V
V
V
CE （ SAT ）
*
V
BE （ SAT ）
*
t
on
t
英镑
t
f
s
s
s
*
PW
≤
350
S，占空比
≤
2％/脉冲
开关时间测试电路
.
R
L
= 20
.
V
IN
I
B1
I
B2
PW
.
PW = 50
s
.
占空比
≤
2 %
I
C
T.U.T.
基极电流
电波表
.
V
CC
= 20 V
.
集热器
当前
电波表
t
on
90 %
I
C
10 %
t
英镑
t
f
I
B1
I
B2
.
V
BB
= –5 V
.
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计中的应用。
2
PA1478
典型特征（T
A
= 25 C)
国家外汇管理局降额曲线
工作区
安全工作区
10
5
胸苷 - 百分比额定电流 - ％
100
I
C
- 集电极电流 - 一个
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
1
5
10
80
60
40
20
S / B
LIM
ITE
d
Di
50
林SSIP
m
ATI
ITE
s
D ON
S/
李B
m
ITE
0
0
s
1m
s
s
30
10
0
50
100
150
T
C
- 外壳温度 - C
20
V
首席执行官
典型值。
50
总功耗对比
环境温度
30
NEC
PA1478
ss
Di
ip
at
d
n
io
m
Li
ITE
d
100
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
总功耗对比
外壳温度
4电路操作
P
T
- 总功耗 - W
P
T
- 总功耗 - W
3电路工作
2电路工作
20
1电路工作
4
3
2
1
4电路操作
3电路工作
2电路工作
1电路工作
10
0
25
50
75
100
125
T
a
- 环境温度 - C
150
0
25
50
75
100
125
T
C
- 外壳温度 - C
150
直流电流增益与集电极电流
50000
基极和集电极饱和
电压与集电极电流
10
V
CE （SAT）
- 集电极饱和电压 - V
V
BE （SAT）
- 基本饱和电压 - V
V
CE
= 2.0 V
脉冲
I
C
/I
B
= 1000
脉冲
5.0
h
FE
- 直流电流增益
20000
10000
5000
2000
1000
500
200
100
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
2.0
1.0
0.5
V
BE （SAT）
V
CE （SAT）
0.2
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
C
- 集电极电流 - 一个
3
PA1478
瞬态热阻
R
日（J -C ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
V
CE
≤
10 V
2.0
集电极电流与集电极
发射极电压
22
0
20
0
18
0
160
I
C
- 集电极电流 - 一个
1.6
140
120
10
1.2
100
0.8
1
I
R
= 80
A
0.4
0.1
0.1
1
10
PW - 脉冲宽度 - 质谱
100
0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
5.0
4
PA1478
参考
文件名称
NEC半导体器件可靠性/质量控制体系。
关于NEC半导体器件质量等级。
半导体设备安装技术手册。
半导体器件封装手册。
先导，以质量为保证半导体器件。
安森美半导体选择指南。
文档编号
TEI-1202
IEI-1209
IEI-1207
IEI-1213
MEI-1202
MF-1134
5
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推荐型号
UCC2817
UCC387PW
U2008B-XFPY
UC5022
URZ1A470MRD
UVY1A333MRD
UPD441000LGU-D12X-9KH
UA741CDR
UA776ID
UPD28C04G-20
USBLC6-4SC6
U4090B-PFNY
UPD43256BGW-B10X-9JL
URS0J471MHD
UPSD3422EB40U6
UPD75104AGC
UM93520A
UC2527BL
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UWE-12/6-Q48N-C
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