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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第29页 > UPA1454H
数据表
硅晶体管阵列
PA1454
NPN硅功率晶体管阵列
低速切换使用
工业用
描述
该
PA1454是NPN硅外延功率晶体管
数组是建于4电路设计用于驱动电磁阀，
继电器，指示灯等。
26.8 MAX 。
4.0
包装尺寸为
（单位：毫米）
特点
10分钟。
1.4
0.6 ±0.1
2.54
1.4
0.5 ±0.1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
方便安装0.1英寸的终端区间。
高
FE
。低V
CE （ SAT ）
.
h
FE
= 800 3200 （在我
C
= 1 A)
V
CE （ SAT ）
= 1.0 V MAX 。 （在我
C
= 3 A)
10
2.5
订购信息
产品型号
包
10引脚SIP
质量等级
标准
PA1454H
接线图
请参考"Quality等级NEC半导体Devices"
（文件编号IEI - 1209 ）， NEC公司发布到
知道的质量等级上的设备和说明书中其
推荐应用。
3
2
1
PIN号
2，4， 6，8 ：底座（B）的
3 ， 5 ， 7 ， 9 ：集电极（ C）
1, 10
：发射极（ E）
4
5
6
7
8
10
9
绝对最大额定值（T
a
= 25 C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T1
**
P
T2
***
T
j
100
100
7
5
10
1.0
3.5
28
150
V
V
V
A /单位
A /单位
A /单位
W
W
C
T
英镑
-55 + 150℃
*
PW
≤
300
S，占空比
≤
10 %
**
4电路，T
a
= 25 C
***
4电路，T
c
= 25 C
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
文件编号IC- 3520
发布日期1994年P月
日本印刷
1994
PA1454
电气特性（T
a
= 25 C)
特征
收藏家泄漏电流
射极漏泄电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
启动时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
分钟。
典型值。
马克斯。
10
10
单位
测试条件
V
CB
= 100 V，I
E
= 0
V
EB
= 7 V，I
C
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V，I
C
= 3 A
I
C
= 3 A，I
B
= 30毫安
I
C
= 3 A，I
B
= 30毫安
I
C
= 3 A
I
B1
= –I
B2
= 30毫安
.
.
V
CC
= 50 V ，R
L
= 16.7
.
.
见测试电路
A
A
—
—
*
*
800
500
1300
1000
3200
V
CE （ SAT ）
*
V
BE （ SAT ）
*
t
on
t
英镑
t
f
1
3
1.5
1.0
1.2
V
V
s
s
s
*
PW
≤
350
S，占空比
≤
2％/脉冲
开关时间测试电路
.
R
L
= 16.7
.
V
IN
1
B1
T.U.T.
1
B2
PW
.
PW = 50
s
.
占空比
≤
2 %
I
C
基极电流
电波表
.
V
CC
= 50 V
.
集热器
当前
电波表
.
V
BB
= –5 V
.
t
on
90 %
I
C
10 %
t
英镑
t
f
I
B1
I
B2
2
PA1454
典型特征（T
a
= 25 C)
国家外汇管理局降额曲线
工作区
100
胸苷 - 百分比额定电流 - ％
50
100
I
C
- 集电极电流 - 一个
80
60
40
20
0.1
0
50
100
150
T
C
- 外壳温度 - C
1
V
CE
T
C
= 25 C
单脉冲
10
50
5
- 集电极到发射极电压 - V
10
5
I
C（脉冲）
马克斯。
I
C（ DC ）
马克斯。
m
1
ms
s
10
0 m
5
s
安全工作区
S/
bL
P
10 W
0 =
s
30
0
im
s
ITE
0.5
100
总功耗对比
环境温度
30
P
T
- 总功耗 - W
P
T
- 总功耗 - W
NEC
PA1454
总功耗对比
外壳温度
4电路操作
3电路工作
2电路工作
20
1电路工作
4
3
2
1
4电路操作
3电路工作
2电路工作
1电路工作
10
0
25
50
75
100
125
T
a
- 环境温度 - C
150
0
25
50
75
100
125
T
C
- 外壳温度 - C
150
直流电流增益与集电极电流
10000
h
FE
- 直流电流增益
V
CE （ SAT ）
- 集电极饱和电压 - V
V
BE （ SAT ）
- 基本饱和电压 - V
V
CE
= 5 V
脉冲
10
基极和集电极饱和
电压与集电极电流
1000
1
V
BE （ SAT ）
I
C
= 200·I
B
I
C
= 1
0.1
0.02
0.01
000·I
B
100
I
C
=
I
B
500·
·I
B
I
B
0· 100
20
= I
C
=
C
I
10
0.001
0.01
0.1
1
I
C
- 集电极电流-A
10
0.1
1
I
C
- 集电极电流 - 一个
V
C
E（
AT ）
10
3
V
首席执行官
马克斯。
ip
ss
Di
at
io
d
1
n
Li
m
我TE
d
PA1454
瞬态热阻
R
日（J -C ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
V
CE
≤
10 V
5
I
C
- 集电极电流 - 一个
6
集电极电流与集电极
发射极电压
50
20
4
3
2
1
10
5
10
2
1.5
1
1
I
B
- 0.5毫安
0.1
1
10
PW - 脉冲宽度 - 质谱
100
0
1
2
3
4
V
CE
- 集电极到发射极电压 - V
5
4
PA1454
参考
文件名称
NEC半导体器件可靠性/质量控制体系。
关于NEC半导体器件质量等级。
半导体设备安装技术手册。
半导体器件封装手册。
先导，以质量为保证半导体器件。
安森美半导体选择指南。
文档编号
TEI-1202
IEI-1209
IEI-1207
IEI-1213
MEI-1202
MF-1134
5
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推荐型号
UPD4481322GF-A44
UPG155TB-E3
USBDF01W5
UPD75P218GF-3BR
U3825J
UPSD3315BV-24T6T
US1207-25CM
UPD42S17405LG3-A60
UPT2G101MHD
UVP1C221MPD
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UA79M00_08
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UTC3521
USW1H220MDD
U402
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