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数据表
复合晶体管
PA104
高频NPN晶体管阵列
特点
9 GHz的可配置基于晶体管的OR / NOR CIRCUITRY
杰出
FE
线性
两种封装选择：
PA104B ：
镶嵌陶瓷封装提供卓越的散热
PA104G ：
缩小电路尺寸，因为14引脚塑料SOP封装表面贴装
优秀的模拟ADDITIONS &形成2 -INPUT OR / NOR门
说明与应用
该
PA104是一个用户可配置的，硅双极型晶体管阵列形成高速OR / NOR门。其
内部晶体管结构和外部的连接选项允许用户很大的灵活性及其
应用程序。它的高增益带宽积（F
T
= 9千兆赫） ，使其适用于电光学，信号处理
蜂窝电话系统，仪表，和高速千兆位的逻辑电路。
订购信息
产品型号
包
14针陶瓷封装
14引脚塑料SOP （ 225万）
PA104B-E1
PA104G-E1
绝对最大额定值（T
A
= +25
°
C)
符号
V
CBO
*
V
首席执行官
*
V
EBO
*
I
C
*
P
T
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
功耗
PA104B
PA104G
结温
PA104B
PA104G
储存温度
PA104B
PA104G
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
°C
°C
评级
15
6
2.5
40
650
350
200
125
-55到+200
-55到+125
T
J
T
英镑
*
每个晶体管的绝对最大额定值。
小心静电敏感器件
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC为代表的可用性检查
和附加信息。
一号文件P10709EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1999年10月 CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1995, 1999
PA104
包装尺寸
（单位：毫米）
PA104B
14引脚的陶瓷封装
φ
0.8
顶视图
0.35
6.2
1.27
5.0最大。
2. 7
SIDE VIEW MAX 。
4.5分钟。
0.08
2.3 MIN 。
φ
1.6
底部视图
1.8
3.0
PA104G
14引脚塑料SOP （ 225万）
14
8
铅年底细节
3°
–3°
1
10.2
±
0.26
1.49
7
+7°
6.55
±
0.2
4.38
±
0.1
1.1
±
0.16
0.6
±
0.2
1.27
0.40
+0.10
–0.05
0.1
±
0.1
1.59
+0.21
–0.20
记
每个引脚的中心线位于内的最大使用材料情况0.10毫米其实际位置（TP ） 。
0.10
M
1.42最大
0.15
–0.05
+0.10
0.10
见引线说明连接图。
2
数据表P10709EJ2V0DS00
PA104
电气特性
（除非另有规定编牛逼
A
= +25 C
PA104B,
PA104G常见的）
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
CB
C
EB
C
CS
f
T
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5 V，I
E
= 0（ Q 1直通Q6）
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0 （ Q4直通Q6 ）
直接电流放大在V
CE
= 3 V，I
C
= 5 MA（ Q4和Q6 ）
集电极基极电容在V
CB
= 3 V ， F = 1兆赫（ Q3 ， Q5 ， Q6 ）
发射器基电容在V
EB
= 0 ， F = 1兆赫（ Q4直通Q6 ）
集电极/衬底电容，V
CS
= 3 V ， F = 1兆赫（ Q3 ， Q5 ， Q6 ）
增益带宽积*在V
CE
= 3 V，I
C
= 10毫安
pF
pF
pF
GHz的
单位
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
40
100
0.9
1.4
1.4
9.0
250
1.8
2.8
2.8
A
A
*
通过测量在微-X包安装单个晶体管：显示的值是一个参考值。
接线图
（ TOP VIEW ）
PA104B
14
13
12
11
10
9
8
Q
6
Q
5
Q
1
子
Q
4
Q
2
Q
3
1
2
3
4
5
6
7
PA104G
14
13
12
11
10
9
8
Q
5
Q
1
Q
2
Q
3
Q
6
Q
4
1
2
3
4
5
6
7
注意：
基板应连接到最低电压点，以防止闩锁。
数据表P10709EJ2V0DS00
3
PA104
典型性能特性
(T
A
= +25
°C)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
8
80
60
40
I
B
= 20
A
集电极电流，I
C
（MA ）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
V
CE
= 3 V
0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
0.1
0
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
6
4
2
直流电流增益主场迎战
集电极电流
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
1000
12
增益带宽积主场迎战
集电极电流
直流电流增益，H
FE
10
V
CE
= 5 V
200
V
CE
= 3 V
100
50
20
10
0.5
1
2
5
10 20
集电极电流，I
C
（MA ）
50
8
3V
6
1V
4
1
2
5
10
20
集电极电流，I
C
（MA ）
50
增益和噪声系数
个人晶体管
20
V
CC
= 3 V
F = 1 GHz的
收益
增益（dB ）
6
10
4
噪声系数NF （ dB）的
8
NF
0
2
1
2
5
10
20
50 100
集电极电流，I
C
（MA ）
0
4
数据表P10709EJ2V0DS00
PA104
典型用途
A
B
A + B
OR
A
B
V
CC
(+2 V)
100
115
300
OR
50
50 K
50 K 47
100
1.5 K
2.8 K
V
EE
(–3.2 V)
V
BB
(–1.6 V)
+1.1 V
IN
50 %
t++
OUT （OR）的
50 %
50 %
t––
50 %
tf
90 %
10 %
吨++ = 500皮秒。
T-- = 250皮秒。
t
R
+0.3 V
TF = 500皮秒。
t
R
= 750皮秒。
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计中的应用。
数据表P10709EJ2V0DS00
5
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