UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UP2003
P沟道逻辑电平
增强型场
场效应晶体管
描述
该
UP2003
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
功率MOSFET
特点
* V
DS
(V)=-25V
* I
D
=-9 A
* R
DS （ ON）
<35毫欧@ V
GS
= -4.5 V，I
D
=-7 A
* R
DS （ ON）
<20毫欧@ V
GS
= -10 V，I
D
=-9 A
*无铅电镀产品编号： UP2003L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
UP2003-TN3-R
UP2003L-TN3-R
UP2003-TN3-T
UP2003L-TN3-T
包
TO-252
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
管
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2008 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-202.B
UP2003
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
功率MOSFET
符号
评级
单位
门源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流
I
D
-9
A
漏电流脉冲（注1 ）
I
DM
-50
功耗
P
D
2.5
W
结温
+150
T
J
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
最大
50
25
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏源极漏电流
门体漏电流
基本特征
栅极阈值电压
通态漏电流（注2 ）
漏源导通电阻（注2 ）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
=-250A
V
DS
=-24 V, V
GS
=0 V
V
DS
=-20 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
V
DS
= -5V, V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5 V，I
D
=-7 A
V
GS
= -10 V，I
D
=-9 A
民
-25
-1
-10
±100
-1.0
-50
-1.5
25
15
1610
410
200
17
5
6
6.2
10
18
10
5
24
nC
9.3
ns
-3.0
35
20
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=-15 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
（注3）
门源费
Q
G
V
DS
=-0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
=-10 V,
栅极电荷的门槛
Q
GS
I
D
=-9 A
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DS
= -15V ，我
D
≈-1A,
V
GS
=-10V,
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
R
GS
=6 ,R
L
=1
导通延迟时间
t
D（上）
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管连续正向电流
I
S
二极管脉冲电流（注1 ）
I
SM
正向电压（注2）
V
SD
I
F
=I
S
, V
GS
=0 V
注：1，脉冲宽度有限的最高结温。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μsec ，占空比
≤
2%
3.独立工作温度。
pF
-2.1
-4
-1.2
A
V
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2 5
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UP2003
典型特征
功率MOSFET
漏电流， -I
D
(A)
归漏极至源极导通电阻，
R
DS （ ON）
(m)
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
归漏极至源极导通电阻，
R
DS （ ON）
(m)
导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
=-3.5V
-4.0V
-4.5V
-5V
-6V
-7V
-10V
漏电流， -I
D
(A)
1.6
1.4
1.2
1
0.8
导通电阻与结温
I
D
=-9A
V
GS
=-10V
10
20
30
40
漏电流， -I
D
(A)
50
0.6
-50 -25
25 50 75 100 125 150 175
结温（ °С ）
0
漏极至源极导通电阻，
R
DS （ ON）
(mΩ)
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反向漏电流， -I
S
(A)
3 5
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UP2003
典型特征（续）
10
门源电压， -V
GS
(V)
8
电容（pF）
功率MOSFET
栅极电荷特性
I
D
=-9A
V
DS
=-5V
2500
2000
电容特性
f=1MH
Z
V
GS
=0V
C
国际空间站
-10V
6
4
2
0
0
6
12
18
24
栅极电荷-Q
G
（ NC ）
30
-15V
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
漏源极电压， -V
DS
(V)
30
C
OSS
C
RSS
100
最大安全工作区
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
50
100μs
40
30
20
10
单脉冲最大功率Dissipationg
单脉冲
θ
JA
=125°С/W
T
A
=25°С
10
1
0.01
0.1
0.1
V
GS
=-10V
单脉冲
θ
JA
=125°С/W
T
A
=25°С
1
10
漏源极电压， -V
DS
(V)
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
100
1000
标准化的有效瞬态热
电阻， R（T ）
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功率MOSFET
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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