复合晶体管
UP01113
PNP硅外延平面型
5
单位：mm
(0.30)
4
1.20
±0.05
1.60
±0.05
+0.05
0.20
–0.02
0.10
±0.02
对于数字电路
■
特点
两个元素合并到一个包
（晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本的
1
2
3
(0.50) (0.50)
1.00
±0.05
1.60
±0.05
陈列在1号铅
(0.20)
5
UNR1113
×
2
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
125
125
55
to
+125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
1 ：基地（ Tr1的）
2 ：发射器
3 ：基地（ TR2）
0至0.02
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：收藏家（ Tr1的）
SSMini5 -F2套餐
标记符号： 7L
内部连接
(C1)
5
Tr1
R1
(47 k)
R2
R2
(47 k) (47 k)
(C2)
4
Tr2
R1
(47 k)
1
(B1)
2
(E)
3
(B2)
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
I
C
= 10
妈，我
B
=
0.3毫安
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ，R
L
=
1 k
30%
0.8
47
1.0
80
4.9
0.2
+30%
1.2
80
0.25
民
50
50
0.1
0.5
0.1
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
0.10最大
■
基本型号
0.55
±0.05
5
(0.20)
出版日期： 2004年8月
SJJ00297AED
1
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TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
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修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
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荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
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分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
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松下电器产业株式会社许可
2003年九月
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