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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第237页 > UNRL114
晶体管具有内置电阻
UNRL110/111/113/114/115
PNP硅外延平面型
单位:mm
对于数字电路
0.020
±0.010
3
2
0.80
±0.05
I
特点
模具无引线型封装,使小型化,薄型化
设备和自动插入通过带包装。
在印刷电路板安装面积是铅型封装( 3针的1/10
MINI型包) 。
4
1.00
±0.05
1
0.60
±0.05
4
0.20
±0.03
1
I
电阻产品型号
UNRL110
UNRL111
UNRL113
UNRL114
UNRL115
标记符号
P
A
B
R
M
(R
1
)
47 k
10 k
47 k
10 k
10 k
(R
2
)
10 k
47 k
47 k
3
0.30
±0.03
0.60
2
0.05
±0.03
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
4 :收藏家
ML4 -N1套餐
I
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
*
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
150
125
55
to
+125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
4
R
1
3
R
2
1
2
内部连接
注) *:印刷电路板铜箔集热部分
面积: 20.0毫米
2
以上,厚度: 1.6毫米
I
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射极截止
当前
UNRL111
UNRL114
UNRL113
UNRL110/115
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
正向电流
传输比
UNRL111
UNRL113/114
UNRL110/115
集电极到发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= 10
妈,我
B
=
0.3毫安
V
CBO
V
首席执行官
h
FE
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
V
CE
= 10
V,I
C
= 5
mA
50
50
35
80
160
460
0.25
V
I
EBO
条件
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
CE
= 50
V,I
B
=
0
V
EB
= 6
V,I
C
=
0
典型值
最大
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
0.01
V
V
mA
单位
A
0.50
0.05
±0.03
出版日期: 2001年7月
SJH00044AED
1
UNRL110/111/113/114/115
I
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
UNRL113
跃迁频率
输入阻抗
UNRL111/114/115
UNRL110/113
电阻率
UNRL111/113
UNRL114
R
1
/R
2
0.8
0.17
f
T
R
1
符号
V
OH
V
OL
条件
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ,R
L
=
1 k
V
CB
= 10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
30%
80
10
47
1.0
0.21
1.2
0.25
+30%
兆赫
k
4.9
0.2
典型值
最大
单位
V
V
共同的特征图
P
T
T
a
180
160
总功耗P
T
( mW)的
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100 120 140
环境温度T
a
(
°C
)
UNRL110的特性图
I
C
V
CE
120
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
100
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
60
0.2毫安
0.1毫安
20
V
CE ( SAT )
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
T
a
=
25°C
100
30
10
3
1
T
a
=
75°C
0.3
0.1
25°C
25°C
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
–10 V
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
T
a
=
75°C
200
25°C
25°C
40
100
0.03
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
0
1
3
10
30
100 300 1
000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
2
SJH00044AED
UNRL110/111/113/114/115
C
ob
V
CB
6
I
O
V
IN
10
000
3
000
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
30
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1
000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
3
2
1
0.03
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0.1 0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNRL111的特性图
I
C
V
CE
160
140
I
B
= 1.0
mA
T
a
=
25°C
100
V
CE ( SAT )
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/ I
B
=
10
160
V
CE
= 10
V
30
10
3
1
0.3
0.1
25°C
T
a
=
75°C
h
FE
I
C
T
a
=
75°C
0.9毫安
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
120
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
25°C
120
25°C
80
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
10
12
25°C
40
0.03
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
0
1
3
10
30
100 300 1
000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
6
I
O
V
IN
–10 000
3
000
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
100
30
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
输出电流I
O
(
A
)
4
300
100
30
10
3
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
000
10
3
1
0.3
0.1
3
2
1
0.03
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
0
0.1 0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
集电极基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00044AED
3
UNRL110/111/113/114/115
UNRL113的特性图
I
C
V
CE
160
I
B
= 1.0
mA
140
T
a
=
25°C
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
2
4
6
8
10
12
100
V
CE ( SAT )
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10
V
正向电流传输比H
FE
30
10
3
1
0.3
0.1
25°C
T
a
=
75°C
集电极电流I
C
(MA )
120
100
80
60
40
20
0
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
25°C
100
0.03
0
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
0
1
3
10
30
100 300 1
000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
6
I
O
V
IN
10
000
3
000
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
100
30
V
IN
I
O
V
O
= 0.2
V
T
a
=
25°C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
输出电流I
O
(
A
)
4
300
100
30
10
3
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
000
10
3
1
0.3
0.1
3
2
1
0.03
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
0
0.1 0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
集电极基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNRL114的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
140
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
V
CE ( SAT )
I
C
100
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10
V
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
160
I
C
/ I
B
=
10
集电极电流I
C
(MA )
120
100
80
60
40
20
0
2
4
6
10
3
1
0.3
0.1
25°C
T
a
=
75°C
正向电流传输比H
FE
30
300
T
a
=
75°C
200
25°C
25°C
100
0.03
0
8
10
12
25°C
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
0
1
3
10
30
100 300 1
000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
4
SJH00044AED
UNRL110/111/113/114/115
C
ob
V
CB
6
I
O
V
IN
–10 000
3
000
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
1
000
300
V
IN
I
O
V
O
= 0.2
V
T
a
=
25°C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
输出电流I
O
(
A
)
4
300
100
–30
10
3
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
000
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1 0.3
1
3
10
30
100
3
2
1
0
0.1 0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
集电极基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNRL115的特性图
I
C
V
CE
160
140
I
B
=
1.0
mA
T
a
=
25°C
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
40
0.1毫安
20
0
2
4
6
8
10
12
100
V
CE ( SAT )
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/ I
B
= 10
400
h
FE
I
C
V
CE
= 10
V
集电极电流I
C
(MA )
120
100
80
60
10
3
1
0.3
0.1
25°C
T
a
=
75°C
正向电流传输比H
FE
30
300
T
a
=
75°C
200
25°C
25°C
100
0.03
25°C
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
0
1
3
10
30
100 300 1
000
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
6
I
O
V
IN
10
000
3
000
V
O
= 5
V
T
a
=
25C
V
IN
I
O
100
30
V
O
= 0.2
V
T
a
=
25°C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1
000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
3
2
1
0.03
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0.1 0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00044AED
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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