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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第122页 > UNRF2A7
晶体管具有内置电阻
UNRF2A7
NPN硅外延平面晶体管
单位:mm
对于数字电路
0.60
±0.05
特点
适用于多功能数码复印机的高密度安装和小型化
换货的超小型无引脚封装
0.6 mm
×
1.0毫米(高0.39毫米)
3
2
1
1.00
±0.05
0.39
+0.01
0.03
0.15
±0.05
0.05
±0.03
0.35
±0.01
0.25
±0.05
0.25
±0.05
1
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
80
100
125
55
to
+125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
0.50
±0.05
3
0.65
±0.01
2
0.05
±0.03
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
ML3 -N2套餐
标记符号: 1Z
内部连接
R
1
(22 k)
B
C
E
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
输入阻抗
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
R
1
f
T
V
CB
=
10 V,I
E
= 2
毫安,女
=
200兆赫
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
CE
=
50 V,I
B
=
0
V
EB
=
6 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安,我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ,R
L
=
1 k
30%
22
150
4.9
0.2
+30%
160
50
50
0.1
0.5
0.01
460
0.25
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期: 2002年12月
SJH00074AED
1
UNRF2A7
P
T
T
a
120
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
90
T
a
= 25°C
80
0.9
mA
0.8
mA
I
B
=
1.0毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
V
CE ( SAT )
I
C
10
I
C
/ I
B
= 10
总功耗P
T
( mW)的
100
集电极电流I
C
(MA )
70
60
50
40
30
20
10
80
T
a
=
85°C
1
60
25°C
0.1
25°C
40
0.1毫安
20
0
0
20
40
60
80
100 120 140
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
1
10
100
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
h
FE
I
C
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
400
T
a
=
85°C
V
CE
= 10
V
C
ob
V
CB
10
f
=
1兆赫
T
a
= 25°C
100
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
= 25°C
正向电流传输比H
FE
输出电流I
O
(MA )
1
0
10
20
30
40
300
25°C
25°C
200
10
1
100
0
0.1
1
10
100
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
集电极电流I
C
(MA )
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
V
IN
I
O
10
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
输入电压V
IN
(V)
1
0.1
1
10
100
输出电流I
O
(MA )
2
SJH00074AED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
抵抗内蔵トランジスタ
UNRF2A7
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ½
单位:mm
デジタル回路用
0.60
±0.05
特長
超小½リードレスパッケージのため機器の小½化および高
密度実装に最適
パッケージサイズ(0.6
mm
×
1.0 mm
×
高さ
0.39 mm)
3
2
1
1.00
±0.05
0.39
+0.01
0.03
0.15
±0.05
0.05
±0.03
0.35
±0.01
0.25
±0.05
0.25
±0.05
1
絶対最大定格
T
a
=
25°C
項目
コレクタ ベース間電圧(E 開放時)
コレクタ エミッタ間電圧(B 開放時)
コレクタ電流
全許容損失
接合温度
保存温度
記号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
定格
50
50
80
100
125
55 +125
単½
V
V
mA
mW
°C
°C
0.50
±0.05
3
0.65
±0.01
2
0.05
±0.03
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
ML3 -N2套餐
½名表示記号
: 1Z
内部接続図
R
1
(22 k)
B
C
E
電気的特性
T
a
=
25°C
±
3°C
項目
コレクタ ベース間電圧(E 開放時)
コレクタ エミッタ間電圧(B 開放時)
コレクタ ベース間遮断電流(E 開放時)
コレクタ エミッタ間遮断電流(B 開放時)
エミッタ ベース間遮断電流(C 開放時)
直流電流増幅率
コレクタ エミッタ間½和電圧
出力電圧ハイレベル
出力電圧ローレベル
入力抵抗
トランジション周波数
記号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
R
1
f
T
V
CB
=
10 V,I
E
= 2
毫安,女
=
200兆赫
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
CE
=
50 V,I
B
=
0
V
EB
=
6 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安,我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ,R
L
=
1 k
30%
22
150
4.9
0.2
+30%
160
最小
50
50
0.1
0.5
0.01
460
0.25
標準
最大
単½
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
)
測定方法は,
日本工業規格
JIS C 7030
トランジスタ測定方法によります。
発行年月
: 2002年12月
SJH00074AJD
1
UNRF2A7
P
T
T
a
120
I
C
V
CE
90
80
0.9
mA
0.8
mA
I
B
=
1.0毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
V
CE ( SAT )
I
C
コレクタ½エミッタ間½和電圧
V
CE ( SAT )
(V)
10
I
C
/ I
B
= 10
T
a
=
25°C
100
70
コレクタ電流
I
C
(MA )
全許容損失
P
T
( mW)的
80
60
50
40
30
20
T
a
=
85°C
1
60
25°C
0.1
25°C
40
0.1毫安
20
10
0
0
20
40
60
80
100 120 140
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
1
10
100
周囲温度
T
a
(
°C
)
コレクタエミッタ間電圧
V
CE
(V)
コレクタ電流
I
C
(MA )
h
FE
I
C
400
C
ob
V
CB
10
100
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
= 25°C
300
25°C
コレクタ出力容量(入力開放時)
C
ob
(PF )
T
a
=
85°C
V
CE
= 10
V
f
=
1兆赫
T
a
= 25°C
直流電流増幅率
h
FE
出力電流
I
O
(MA )
1
25°C
200
10
1
100
0
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
コレクタ電流
I
C
(MA )
コレクタベース間電圧
V
CB
(V)
入力電圧
V
IN
(V)
V
IN
I
O
10
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
入力電圧
V
IN
(V)
1
0.1
1
10
100
出力電流
I
O
(MA )
2
SJH00074AJD
本資料に記載の技術情報および半導½のご½用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の½品および技術で、外½為替及び外½貿易法」
に該½するものを輸出する時、
たは、
½外に持ち出す時は、
日本政府の許可が必要です。
本資料に記載の技術情報は½品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
弊社もし
くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実½権の許諾を意味するものではあり
ません。
上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、
½社はその責を負うものでは
ありません。
本資料に記載されている½品は、
標準用途
一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
½品など)に½用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動½が直接人½を脅かしたり、
人½に危害を及ぼす
恐れのある用途
特定用途(航空 宇宙用、
交通機器、
燃焼機器、
生½維持装½、
安全装½など)に
ご½用をお考えのお客様および½社が意図した標準用途以外にご½用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
本資料に記載しております½品および½品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご½用に際しましては、
事前に最新
の½品規格書または仕様書をお求め願い、
ご確認ください。
設計に際して、
特に最大定格、
動½電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご½用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご½用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご½用であっても、
半導½½品について通常予測される故障発生率、
故障モード
をご考慮の上、
弊社½品の動½が原因でご½用機器が人身事故、
火½事故、
社会的な損害などを生じ
させない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動½防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう
お願い致します。
防湿包装を必要とする½品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件
(保存
期間、
開封後の放½時間など)を守ってご½用ください。
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複½することを堅くお断り
いたします。
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
2002年七月
晶体管具有内置电阻
UNRF2A7
NPN硅外延平面晶体管
单位:mm
对于数字电路
0.60
±0.05
特点
适用于多功能数码复印机的高密度安装和小型化
换货的超小型无引脚封装
0.6 mm
×
1.0毫米(高0.39毫米)
3
2
1
1.00
±0.05
0.39
+0.01
0.03
0.15
±0.05
0.05
±0.03
0.35
±0.01
0.25
±0.05
0.25
±0.05
1
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
80
100
125
55
to
+125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
0.50
±0.05
3
0.65
±0.01
2
0.05
±0.03
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
ML3 -N2套餐
标记符号: 1Z
内部连接
R
1
(22 k)
B
C
E
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
输入阻抗
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
R
1
f
T
V
CB
=
10 V,I
E
= 2
毫安,女
=
200兆赫
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
CE
=
50 V,I
B
=
0
V
EB
=
6 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安,我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ,R
L
=
1 k
30%
22
150
4.9
0.2
+30%
160
50
50
0.1
0.5
0.01
460
0.25
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
出版日期: 2002年12月
SJH00074AED
1
UNRF2A7
P
T
T
a
120
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
90
T
a
= 25°C
80
0.9
mA
0.8
mA
I
B
=
1.0毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
V
CE ( SAT )
I
C
10
I
C
/ I
B
= 10
总功耗P
T
( mW)的
100
集电极电流I
C
(MA )
70
60
50
40
30
20
10
80
T
a
=
85°C
1
60
25°C
0.1
25°C
40
0.1毫安
20
0
0
20
40
60
80
100 120 140
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
1
10
100
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
h
FE
I
C
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
400
T
a
=
85°C
V
CE
= 10
V
C
ob
V
CB
10
f
=
1兆赫
T
a
= 25°C
100
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
= 25°C
正向电流传输比H
FE
输出电流I
O
(MA )
1
0
10
20
30
40
300
25°C
25°C
200
10
1
100
0
0.1
1
10
100
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
集电极电流I
C
(MA )
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
V
IN
I
O
10
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
输入电压V
IN
(V)
1
0.1
1
10
100
输出电流I
O
(MA )
2
SJH00074AED
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( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
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识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
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特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
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可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
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即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
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松下电器产业株式会社许可
2002年七月
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