晶体管具有内置电阻
UNR9111/9112/9113/9114/9115/9116/9117/9118/9119/9110/
911D/911E/911F/911H/911L/911AJ/911BJ/911CJ
(UN9111/9112/9113/9114/9115/9116/9117/9118/9119/9110/911D/911E/
911F/911H/911L/911AJ/911BJ/911CJ)
单位：mm
PNP硅外延平面晶体管
0.4
1.6±0.1
1.0±0.1
0.5
1.6±0.15
0.8±0.1
0.4
0.2
-0.05
0.15
-0.05
+0.1
对于数字电路
1
I
特点
G
G
0.5
3
2
0.45±0.1 0.3
0.75±0.15
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
SS-迷你型封装，可通过带自动插入
包装和杂志的包装。
I
电阻产品型号
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
G
标记符号（R
1
)
UNR9111
6A
10k
UNR9112
6B
22k
UNR9113
6C
47k
UNR9114
6D
10k
UNR9115
6E
10k
UNR9116
6F
4.7k
UNR9117
6H
22k
UNR9118
6I
0.51k
UNR9119
6K
1k
UNR9110
6L
47k
UNR911D
6M
47k
UNR911E
6N
47k
UNR911F
6O
4.7k
UNR911H
6P
2.2k
UNR911L
6Q
4.7k
UNR911AJ
6X
100k
UNR911BJ
6Y
100k
UNR911CJ
6Z
—
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
—
—
—
5.1k
10k
—
10k
22k
10k
10k
4.7k
100k
—
47k
0-0.1
0.2±0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
SS-迷你型PAKAGE
单位：mm
1.60±0.05
0.80
0.80±0.05
0.425 0.425
0.80
1.00±0.05
1.60
–0.03
+0.05
0.50
0.50
+0.1
0.85
–0.03
+0.05
0.12
–0.01
+0.03
I
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
SS-迷你平板式PAKAGE （J型）
(Ta=25C)
评级
–50
–50
–100
125
125
-55到+125
单位
V
V
mA
mW
C
C
R1
内部连接
0-0.1
C
B
R2
E
注）括号中的部分数据显示传统的零件编号。
0.70
–0.03
+0.05
0.27±0.02
0.80
1
UNR9111/9112/9113/9114/9115/9116/9117/9118/9119/9110/
晶体管具有内置电阻
911D/911E/911F/911H/911L/911AJ/911BJ/911CJ
I
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UNR9111
UNR9112/9114/911E/911D
辐射源
截止
当前
UNR9113/UNR911AJ
UNR9115/9116/9117/9110/UNR911BJ
UNR911F/911H
UNR9119
UNR9118/911L/911CJ
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
UNR9111
前锋
当前
转让
比
UNR9112/911E
UNR9113/9114/UNR911AJ/911CJ
UNR9115*/9116*/9117*/9110*UNR911BJ
UNR911F/911D/9119/911H
UNR9118/911L
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
UNR9113/UNR911BJ
UNR911D
UNR911E
UNR911AJ
跃迁频率
UNR911AJ
UNR9111/9114/9115
UNR9112/9117
UNR9113/9110/911D/911E
输入
电阻
tance
UNR9116/911F/911L
UNR9118
UNR9119
UNR911H
UNR911AJ/911BJ
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
条件
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
民
典型值
最大
– 0.1
– 0.5
– 0.5
– 0.2
– 0.1
I
EBO
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
– 0.01
–1.0
–1.5
–2.0
V
CBO
V
首席执行官
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
–50
–50
35
60
h
FE
V
CE
= -10V ，我
C
= -5mA
80
160
30
20
V
CE （ SAT ）
V
OH
I
C
= -10mA ，我
B
= - 0.3毫安
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= -2.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= -3.5V ，R
L
= 1k
V
OL
V
CC
= –5V, V
B
= ± 10V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= -6V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= -5.0V ，R
L
= 1k
f
T
V
CB
= -10V ，我
E
= 2毫安中，f = 200MHz的
150
80
10
22
47
R
1
(–30%)
4.7
0.51
1
2.2
100
(+30%)
k
–4.9
– 0.2
– 0.2
– 0.2
– 0.2
– 0.2
兆赫
V
– 0.25
V
V
460
V
V
mA
单位
A
A
* h
FE
等级分类（ UNR9115 / 9116 / 9110分之9117 ）
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
2
UNR9111/9112/9113/9114/9115/9116/9117/9118/9119/9110/
晶体管具有内置电阻
911D/911E/911F/911H/911L/911AJ/911BJ/911CJ
I
电气特性（续）
参数
UNR9111/9112/9113/911L
UNR9114
UNR9118/9119
电阻
tance
比
UNR911D
UNR911E
UNR911F
UNR911H
UNR911AJ
射极之间的电阻，以相应
UNR911CJ
R
2
R
1
/R
2
符号
(Ta=25C)
条件
民
0.8
0.17
0.08
典型值
1.0
0.21
0.1
4.7
2.14
0.47
0.17
0.22
1.0
–30%
47
30%
0.27
最大
1.2
0.25
0.12
单位
3
UNR9111/9112/9113/9114/9115/9116/9117/9118/9119/9110/
晶体管具有内置电阻
911D/911E/911F/911H/911L/911AJ/911BJ/911CJ
共同的特征图
P
T
- TA
150
总功耗P
T
（ mW）的
125
100
75
50
25
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
UNR9111的特性图
I
C
— V
CE
–160
–140
I
B
=–1.0mA
Ta=25C
–100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
160
V
CE
=–10V
h
FE
— I
C
Ta=75C
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–25C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
Ta=75C
集电极电流I
C
（MA ）
–0.9mA
–120
–100
–80
–60
–0.3mA
–40
–0.2mA
–20
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
正向电流传输比H
FE
25C
120
–25C
80
25C
40
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
=–0.2V
Ta=25C
–10000
–3000
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
3
2
1
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
UNR9111/9112/9113/9114/9115/9116/9117/9118/9119/9110/
晶体管具有内置电阻
911D/911E/911F/911H/911L/911AJ/911BJ/911CJ
UNR9112的特性图
I
C
— V
CE
–160
–140
Ta=25C
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–80
–60
–40
–20
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
–0.1mA
–100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
400
V
CE
=–10V
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–25C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
–120
–100
300
Ta=75C
200
25C
–25C
100
25C
Ta=75C
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–10000
–3000
V
O
=–5V
Ta=25C
V
IN
— I
O
–100
–30
V
O
=–0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
3
2
1
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR9113的特性图
I
C
— V
CE
–160
I
B
=–1.0mA
–140
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=–10V
Ta=25C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
–120
–100
–80
–60
–40
–20
0
0
–2
–4
–6
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–25C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
Ta=75C
正向电流传输比H
FE
300
Ta=75C
25C
200
–25C
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
25C
100
–0.1mA
–8
–10
–12
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
5
QQ：2880707522 复制
