晶体管具有内置电阻
UNR5154
(UN5154)
PNP硅外延平面型
(0.425)
单位:mm
0.3
+0.1
–0.0
3
0.15
+0.10
–0.05
对于数字电路
■
特点
高正向电流传输比H
FE
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
S-迷你型封装,可通过带自动插入
包装及包装杂志
1.25
±0.10
2.1
±0.1
5
1
2
(0.65) (0.65)
1.3
±0.1
2.0
±0.2
10
0.9
±0.1
0.9
+0.2
–0.1
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
30
30
100
150
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 70
SMini3 -G1封装
标记符号: EV
内部连接
R
1
(10 k)
B
R
2
(47 k)
C
0-0.1
E
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
f
T
R
1
R
1
/R
2
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
V
CB
= 30
V,I
E
=
0
V
CE
= 30
V,I
B
=
0
V
EB
= 3
V,I
C
=
0
V
CE
= 10
V,I
C
= 5
mA
I
C
= 50
妈,我
B
=
0.33毫安
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ,R
L
=
1 k
V
CB
= 10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
30%
80
10
0.213
+30%
4.9
0.2
80
0.5
1.2
民
30
30
0.1
0.5
0.1
mA
V
V
V
兆赫
k
典型值
最大
单位
V
V
A
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期: 2003年12月
SJH00023BED
0.2
±0.1
1
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并在此材料中描述的半导体
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下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
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持设备) 。
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特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
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修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
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荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
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即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月