UNR511x系列
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基
UNR5110/5115/5116/5117
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
CE
= 50
V,I
B
=
0
V
EB
= 6
V,I
C
=
0
民
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
=
10
V,I
C
=
5
mA
6
20
30
35
60
60
80
80
160
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
I
C
= 10
妈,我
B
=
0.3毫安
I
C
= 10
妈,我
B
= 1.5
mA
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 10
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 6
V ,R
L
=
1 k
f
T
R
1
V
CB
= 10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
2毫安,女
=
200兆赫
30%
80
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
R
1
/R
2
0.08
0.047
0.1
0.10
0.21
0.12
+30%
k
兆赫
4.9
0.2
V
V
400
460
0.25
V
200
20
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR5113
(集电极开路) UNR5112 / 5114 / 511D /
511E/511M/511N/511T
UNR511Z
UNR5111
UNR511F/511H
UNR5119
UNR5118/511L/511V
正向电流UNR511V
传输比
UNR5118/511L
UNR5119/511D/511F/511H
UNR5111
UNR5112/511E
UNR511Z
UNR5113/5114/511M
UNR511N/511T
UNR5110
*
/5115
*
/5116
*
/5117
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR511V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR5113
UNR511D
UNR511E
跃迁频率
UNR5116
输入
阻力
UNR5118
UNR5119
UNR511H/511M/511V
UNR5116/511F/511L
511N/511Z
UNR5111/5114/5115
UNR5112/5117/511T
UNR5110/5113/511D/511E
阻力
比
UNR511M
UNR511N
UNR5118/5119
UNR511Z
2
SJH00022BED
UNR511x系列
■
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
阻力
比
UNR5114
UNR511H
UNR511T
UNR511F
UNR511V
UNR5111/5112/5113/511L
UNR511E
UNR511D
0.8
1.70
3.7
0.37
符号
条件
民
0.17
0.17
典型值
0.21
0.22
0.47
0.47
1.0
1.0
2.14
4.7
1.2
2.60
5.7
0.57
最大
0.25
0.27
单位
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
无秩
160 460
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR5110的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
100
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
60
0.2毫安
0.1毫安
20
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
–10 V
120
10
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
T
a
=
75°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
200
25°C
25°C
40
100
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
SJH00022BED
3
UNR511x系列
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基
UNR5110/5115/5116/5117
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
CE
= 50
V,I
B
=
0
V
EB
= 6
V,I
C
=
0
民
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
=
10
V,I
C
=
5
mA
6
20
30
35
60
60
80
80
160
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
I
C
= 10
妈,我
B
=
0.3毫安
I
C
= 10
妈,我
B
= 1.5
mA
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 10
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 6
V ,R
L
=
1 k
f
T
R
1
V
CB
= 10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
2毫安,女
=
200兆赫
30%
80
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
R
1
/R
2
0.08
0.047
0.1
0.10
0.21
0.12
+30%
k
兆赫
4.9
0.2
V
V
400
460
0.25
V
200
20
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR5113
(集电极开路) UNR5112 / 5114 / 511D /
511E/511M/511N/511T
UNR511Z
UNR5111
UNR511F/511H
UNR5119
UNR5118/511L/511V
正向电流UNR511V
传输比
UNR5118/511L
UNR5119/511D/511F/511H
UNR5111
UNR5112/511E
UNR511Z
UNR5113/5114/511M
UNR511N/511T
UNR5110
*
/5115
*
/5116
*
/5117
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR511V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR5113
UNR511D
UNR511E
跃迁频率
UNR5116
输入
阻力
UNR5118
UNR5119
UNR511H/511M/511V
UNR5116/511F/511L
511N/511Z
UNR5111/5114/5115
UNR5112/5117/511T
UNR5110/5113/511D/511E
阻力
比
UNR511M
UNR511N
UNR5118/5119
UNR511Z
2
SJH00022BED
UNR511x系列
■
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
阻力
比
UNR5114
UNR511H
UNR511T
UNR511F
UNR511V
UNR5111/5112/5113/511L
UNR511E
UNR511D
0.8
1.70
3.7
0.37
符号
条件
民
0.17
0.17
典型值
0.21
0.22
0.47
0.47
1.0
1.0
2.14
4.7
1.2
2.60
5.7
0.57
最大
0.25
0.27
单位
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
无秩
160 460
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR5110的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
100
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
60
0.2毫安
0.1毫安
20
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
–10 V
120
10
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
T
a
=
75°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
200
25°C
25°C
40
100
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
SJH00022BED
3