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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第133页 > UNR5114
晶体管具有内置电阻
UNR511x系列
( UN511x系列)
PNP硅外延平面型
单位:mm
(0.425)
对于数字电路
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
S-迷你型封装,通过使磁带自动插入/
杂志包装
0.3
+0.1
–0.0
3
0.15
+0.10
–0.05
1.25
±0.10
2.1
±0.1
5
1
2
0.2
±0.1
0.9
±0.1
0.9
+0.2
–0.1
(0.65) (0.65)
1.3
±0.1
电阻产品型号
标记符号
UNR5110 ( UN5110 )
6L
UNR5111 ( UN5111 )
6A
UNR5112 ( UN5112 )
6B
UNR5113 ( UN5113 )
6C
UNR5114 ( UN5114 )
6D
UNR5115 ( UN5115 )
6E
UNR5116 ( UN5116 )
6F
UNR5117 ( UN5117 )
6H
UNR5118 ( UN5118 )
6I
UNR5119 ( UN5119 )
6K
UNR511D ( UN511D )
6M
UNR511E ( UN511E )
6N
UNR511F ( UN511F )
6O
UNR511H ( UN511H )
6P
UNR511L ( UN511L )
6Q
UNR511M ( UN511M )
EI
UNR511N ( UN511N )
EW
UNR511T ( UN511T )
EY
UNR511V ( UN511V )
FC
UNR511Z ( UN511Z )
FE
(R
1
)
47 k
10 k
22 k
47 k
10 k
10 k
4.7 k
22 k
0.51 k
1 k
47 k
47 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
22 k
2.2 k
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
10 k
4.7 k
47 k
47 k
47 k
2.2 k
22 k
10
2.0
±0.2
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 70
SMini3 -G1封装
内部连接
R
1
B
R
2
E
0-0.1
C
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
150
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年12月
SJH00022BED
1
UNR511x系列
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基
UNR5110/5115/5116/5117
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
CE
= 50
V,I
B
=
0
V
EB
= 6
V,I
C
=
0
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
=
10
V,I
C
=
5
mA
6
20
30
35
60
60
80
80
160
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
I
C
= 10
妈,我
B
=
0.3毫安
I
C
= 10
妈,我
B
= 1.5
mA
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 10
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 6
V ,R
L
=
1 k
f
T
R
1
V
CB
= 10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
2毫安,女
=
200兆赫
30%
80
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
R
1
/R
2
0.08
0.047
0.1
0.10
0.21
0.12
+30%
k
兆赫
4.9
0.2
V
V
400
460
0.25
V
200
20
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR5113
(集电极开路) UNR5112 / 5114 / 511D /
511E/511M/511N/511T
UNR511Z
UNR5111
UNR511F/511H
UNR5119
UNR5118/511L/511V
正向电流UNR511V
传输比
UNR5118/511L
UNR5119/511D/511F/511H
UNR5111
UNR5112/511E
UNR511Z
UNR5113/5114/511M
UNR511N/511T
UNR5110
*
/5115
*
/5116
*
/5117
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR511V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR5113
UNR511D
UNR511E
跃迁频率
UNR5116
输入
阻力
UNR5118
UNR5119
UNR511H/511M/511V
UNR5116/511F/511L
511N/511Z
UNR5111/5114/5115
UNR5112/5117/511T
UNR5110/5113/511D/511E
阻力
UNR511M
UNR511N
UNR5118/5119
UNR511Z
2
SJH00022BED
UNR511x系列
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
阻力
UNR5114
UNR511H
UNR511T
UNR511F
UNR511V
UNR5111/5112/5113/511L
UNR511E
UNR511D
0.8
1.70
3.7
0.37
符号
条件
0.17
0.17
典型值
0.21
0.22
0.47
0.47
1.0
1.0
2.14
4.7
1.2
2.60
5.7
0.57
最大
0.25
0.27
单位
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
无秩
160 460
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR5110的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
100
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
60
0.2毫安
0.1毫安
20
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
–10 V
120
10
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
T
a
=
75°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
200
25°C
25°C
40
100
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
SJH00022BED
3
UNR511x系列
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR5111的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
160
I
B
= 1.0
mA
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
100
I
C
/ I
B
=
10
160
V
CE
= 10
V
h
FE
I
C
T
a
=
75°C
0.9毫安
正向电流传输比H
FE
25°C
120
25°C
80
集电极电流I
C
(MA )
120
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
10
80
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
40
40
0.2毫安
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
4
输出电流I
O
(
A
)
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0.01
0.1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
4
SJH00022BED
UNR511x系列
UNR5112的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
160
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
40
0.2毫安
0.1毫安
0
T
a
=
25°C
100
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10
V
集电极电流I
C
(MA )
120
10
正向电流传输比H
FE
300
1
25°C
0.1
25°C
T
a
= 75°C
T
a
= 75°C
200
25°C
25°C
100
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
=
5
V
T
a
= 25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR5113的特性图
I
C
V
CE
I
B
= 1.0
mA
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
= 10
V
160
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
40
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
8
10
12
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
100
0
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
SJH00022BED
5
晶体管具有内置电阻
UNR511x系列
( UN511x系列)
PNP硅外延平面型
单位:mm
(0.425)
对于数字电路
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
S-迷你型封装,通过使磁带自动插入/
杂志包装
0.3
+0.1
–0.0
3
0.15
+0.10
–0.05
1.25
±0.10
2.1
±0.1
5
1
2
0.2
±0.1
0.9
±0.1
0.9
+0.2
–0.1
(0.65) (0.65)
1.3
±0.1
电阻产品型号
标记符号
UNR5110 ( UN5110 )
6L
UNR5111 ( UN5111 )
6A
UNR5112 ( UN5112 )
6B
UNR5113 ( UN5113 )
6C
UNR5114 ( UN5114 )
6D
UNR5115 ( UN5115 )
6E
UNR5116 ( UN5116 )
6F
UNR5117 ( UN5117 )
6H
UNR5118 ( UN5118 )
6I
UNR5119 ( UN5119 )
6K
UNR511D ( UN511D )
6M
UNR511E ( UN511E )
6N
UNR511F ( UN511F )
6O
UNR511H ( UN511H )
6P
UNR511L ( UN511L )
6Q
UNR511M ( UN511M )
EI
UNR511N ( UN511N )
EW
UNR511T ( UN511T )
EY
UNR511V ( UN511V )
FC
UNR511Z ( UN511Z )
FE
(R
1
)
47 k
10 k
22 k
47 k
10 k
10 k
4.7 k
22 k
0.51 k
1 k
47 k
47 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
22 k
2.2 k
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
10 k
4.7 k
47 k
47 k
47 k
2.2 k
22 k
10
2.0
±0.2
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 70
SMini3 -G1封装
内部连接
R
1
B
R
2
E
0-0.1
C
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
150
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年12月
SJH00022BED
1
UNR511x系列
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基
UNR5110/5115/5116/5117
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
CE
= 50
V,I
B
=
0
V
EB
= 6
V,I
C
=
0
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
=
10
V,I
C
=
5
mA
6
20
30
35
60
60
80
80
160
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
I
C
= 10
妈,我
B
=
0.3毫安
I
C
= 10
妈,我
B
= 1.5
mA
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 10
V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 6
V ,R
L
=
1 k
f
T
R
1
V
CB
= 10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
2毫安,女
=
200兆赫
30%
80
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
R
1
/R
2
0.08
0.047
0.1
0.10
0.21
0.12
+30%
k
兆赫
4.9
0.2
V
V
400
460
0.25
V
200
20
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR5113
(集电极开路) UNR5112 / 5114 / 511D /
511E/511M/511N/511T
UNR511Z
UNR5111
UNR511F/511H
UNR5119
UNR5118/511L/511V
正向电流UNR511V
传输比
UNR5118/511L
UNR5119/511D/511F/511H
UNR5111
UNR5112/511E
UNR511Z
UNR5113/5114/511M
UNR511N/511T
UNR5110
*
/5115
*
/5116
*
/5117
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR511V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR5113
UNR511D
UNR511E
跃迁频率
UNR5116
输入
阻力
UNR5118
UNR5119
UNR511H/511M/511V
UNR5116/511F/511L
511N/511Z
UNR5111/5114/5115
UNR5112/5117/511T
UNR5110/5113/511D/511E
阻力
UNR511M
UNR511N
UNR5118/5119
UNR511Z
2
SJH00022BED
UNR511x系列
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
阻力
UNR5114
UNR511H
UNR511T
UNR511F
UNR511V
UNR5111/5112/5113/511L
UNR511E
UNR511D
0.8
1.70
3.7
0.37
符号
条件
0.17
0.17
典型值
0.21
0.22
0.47
0.47
1.0
1.0
2.14
4.7
1.2
2.60
5.7
0.57
最大
0.25
0.27
单位
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
无秩
160 460
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR5110的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
100
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
60
0.2毫安
0.1毫安
20
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
–10 V
120
10
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
T
a
=
75°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
200
25°C
25°C
40
100
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
SJH00022BED
3
UNR511x系列
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR5111的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
160
I
B
= 1.0
mA
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
100
I
C
/ I
B
=
10
160
V
CE
= 10
V
h
FE
I
C
T
a
=
75°C
0.9毫安
正向电流传输比H
FE
25°C
120
25°C
80
集电极电流I
C
(MA )
120
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
10
80
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
40
40
0.2毫安
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
4
输出电流I
O
(
A
)
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0.01
0.1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
4
SJH00022BED
UNR511x系列
UNR5112的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
160
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
40
0.2毫安
0.1毫安
0
T
a
=
25°C
100
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10
V
集电极电流I
C
(MA )
120
10
正向电流传输比H
FE
300
1
25°C
0.1
25°C
T
a
= 75°C
T
a
= 75°C
200
25°C
25°C
100
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
=
5
V
T
a
= 25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR5113的特性图
I
C
V
CE
I
B
= 1.0
mA
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
= 10
V
160
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
40
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
8
10
12
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
100
0
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
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