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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第7页 > UNR4221
晶体管具有内置电阻
UNR4221/4222/4223/4224
(UN4221/4222/4223/4224)
NPN硅外延平面型
对于数字电路
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
新的S型封装,使电源与径向编带
0.75最大。
单位:mm
4.0
±0.2
2.0
±0.2
(0.8)
3.0
±0.2
0.45
+0.20
–0.10
15.6
±0.5
(0.8)
7.6
电阻产品型号
UNR4221
UNR4222
UNR4223
UNR4224
(UN4221)
(UN4222)
(UN4223)
(UN4224)
(R
1
)
2.2 k
4.7 k
10 k
2.2 k
(R
2
)
2.2 k
4.7 k
10 k
10 k
(2.5) (2.5)
0.45
+0.20
–0.10
0.7
±0.1
1
2
3
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
NS- B1包装
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
500
300
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基
截止目前
(集电极开路)
正向电流
传输比
UNR4221
UNR4222
UNR4223/4224
UNR4221
UNR4222
UNR4223/4224
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
I
C
=
百毫安,我
B
=
5毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
500
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V ,R
L
=
500
4.9
0.2
h
FE
V
CE
=
10 V,I
C
=
百毫安
40
50
60
0.25
V
V
V
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
CE
=
50 V,I
B
=
0
V
EB
=
6 V,I
C
=
0
50
50
1.0
1.0
5.0
2.0
1.0
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年12月
SJH00021BED
1
UNR4221/4222/4223/4224
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
跃迁频率
输入阻抗
UNR4221/4224
UNR4222
UNR4223
电阻率
UNR4224
R
1
/R
2
0.8
0.17
符号
f
T
R
1
条件
V
CB
=
10 V,I
E
= 50
毫安,女
=
200兆赫
30%
典型值
200
2.2
4.7
10
1.0
0.22
1.2
0.27
+30%
最大
单位
兆赫
k
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
400
总功耗P
T
( mW)的
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR4221的特性图
I
C
V
CE
I
B
=
1.0毫安
250
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
2
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10 V
300
I
C
/ I
B
=
10
集电极电流I
C
(MA )
0.9毫安
200
0.8毫安
0.7毫安
150
0.6毫安
0.5毫安
100
0.4毫安
0.3毫安
50
0.2毫安
0
0.1毫安
10
12
正向电流传输比H
FE
10
300
T
a
=
75°C
1
T
a
=
75°C
25°C
10
1
200
25°C
100
25°C
10
2
25°C
0
10
2
10
3
0
2
4
6
8
1
10
1
10
10
2
10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
2
SJH00021BED
UNR4221/4222/4223/4224
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
24
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
20
输出电流I
O
(A)
16
15
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
8
10
10
1
4
0
10
1
1
10
10
2
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR4222的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
2
h
FE
I
C
200
V
CE
= 10 V
300
I
C
/ I
B
=
10
正向电流传输比H
FE
250
集电极电流I
C
(MA )
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
T
a
=
75°C
150
25°C
10
200
150
1
T
a
=
75°C
25°C
100
25°C
100
0.4毫安
0.3毫安
10
1
50
50
0.2毫安
0.1毫安
25°C
10
2
0
0
2
4
6
8
10
12
1
10
10
2
10
3
0
1
10
10
2
10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
12
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
10
2
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
输出电流I
O
(A)
8
6
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
4
10
10
1
2
0
10
1
1
10
10
2
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00021BED
3
UNR4221/4222/4223/4224
UNR4223的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
2
h
FE
I
C
200
V
CE
= 10 V
240
I
C
/ I
B
=
10
200
正向电流传输比H
FE
T
a
=
75°C
150
25°C
集电极电流I
C
(MA )
10
160
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
120
1
25°C
10
1
25°C
10
2
T
a
=
75°C
100
25°C
50
80
0.5毫安
0.4毫安
40
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
1
10
10
2
10
3
0
1
10
10
2
10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
12
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
3
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
输出电流I
O
(A)
10
3
8
6
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
1
4
10
10
1
2
0
10
1
1
10
10
2
1
0.4
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR4224的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
2
h
FE
I
C
200
V
CE
= 10 V
300
I
C
/ I
B
=
10
250
正向电流传输比H
FE
T
a
=
75°C
150
25°C
集电极电流I
C
(MA )
10
200
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
25°C
100
150
1
T
a
=
75°C
25°C
100
10
1
25°C
10
2
50
50
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
0
1
10
10
2
10
3
0
2
4
6
8
10
12
1
10
10
2
10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
4
SJH00021BED
UNR4221/4222/4223/4224
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
12
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
10
3
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
输出电流I
O
(A)
10
3
8
5
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
2
10
4
10
1
2
0
10
1
1
10
10
2
1
0.4
10
1
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00021BED
5
晶体管具有内置电阻
UNR4221/4222/4223/4224
(UN4221/4222/4223/4224)
NPN硅外延平面型
对于数字电路
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
新的S型封装,使电源与径向编带
0.75最大。
单位:mm
4.0
±0.2
2.0
±0.2
(0.8)
3.0
±0.2
0.45
+0.20
–0.10
15.6
±0.5
(0.8)
7.6
电阻产品型号
UNR4221
UNR4222
UNR4223
UNR4224
(UN4221)
(UN4222)
(UN4223)
(UN4224)
(R
1
)
2.2 k
4.7 k
10 k
2.2 k
(R
2
)
2.2 k
4.7 k
10 k
10 k
(2.5) (2.5)
0.45
+0.20
–0.10
0.7
±0.1
1
2
3
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
NS- B1包装
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
500
300
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基
截止目前
(集电极开路)
正向电流
传输比
UNR4221
UNR4222
UNR4223/4224
UNR4221
UNR4222
UNR4223/4224
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
I
C
=
百毫安,我
B
=
5毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
500
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V ,R
L
=
500
4.9
0.2
h
FE
V
CE
=
10 V,I
C
=
百毫安
40
50
60
0.25
V
V
V
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
CE
=
50 V,I
B
=
0
V
EB
=
6 V,I
C
=
0
50
50
1.0
1.0
5.0
2.0
1.0
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年12月
SJH00021BED
1
UNR4221/4222/4223/4224
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
跃迁频率
输入阻抗
UNR4221/4224
UNR4222
UNR4223
电阻率
UNR4224
R
1
/R
2
0.8
0.17
符号
f
T
R
1
条件
V
CB
=
10 V,I
E
= 50
毫安,女
=
200兆赫
30%
典型值
200
2.2
4.7
10
1.0
0.22
1.2
0.27
+30%
最大
单位
兆赫
k
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
400
总功耗P
T
( mW)的
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR4221的特性图
I
C
V
CE
I
B
=
1.0毫安
250
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
2
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10 V
300
I
C
/ I
B
=
10
集电极电流I
C
(MA )
0.9毫安
200
0.8毫安
0.7毫安
150
0.6毫安
0.5毫安
100
0.4毫安
0.3毫安
50
0.2毫安
0
0.1毫安
10
12
正向电流传输比H
FE
10
300
T
a
=
75°C
1
T
a
=
75°C
25°C
10
1
200
25°C
100
25°C
10
2
25°C
0
10
2
10
3
0
2
4
6
8
1
10
1
10
10
2
10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
2
SJH00021BED
UNR4221/4222/4223/4224
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
24
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
20
输出电流I
O
(A)
16
15
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
8
10
10
1
4
0
10
1
1
10
10
2
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR4222的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
2
h
FE
I
C
200
V
CE
= 10 V
300
I
C
/ I
B
=
10
正向电流传输比H
FE
250
集电极电流I
C
(MA )
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
T
a
=
75°C
150
25°C
10
200
150
1
T
a
=
75°C
25°C
100
25°C
100
0.4毫安
0.3毫安
10
1
50
50
0.2毫安
0.1毫安
25°C
10
2
0
0
2
4
6
8
10
12
1
10
10
2
10
3
0
1
10
10
2
10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
12
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
4
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
10
2
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
输出电流I
O
(A)
8
6
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
4
10
10
1
2
0
10
1
1
10
10
2
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00021BED
3
UNR4221/4222/4223/4224
UNR4223的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
2
h
FE
I
C
200
V
CE
= 10 V
240
I
C
/ I
B
=
10
200
正向电流传输比H
FE
T
a
=
75°C
150
25°C
集电极电流I
C
(MA )
10
160
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
120
1
25°C
10
1
25°C
10
2
T
a
=
75°C
100
25°C
50
80
0.5毫安
0.4毫安
40
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
1
10
10
2
10
3
0
1
10
10
2
10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
12
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
10
3
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
输出电流I
O
(A)
10
3
8
6
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
1
4
10
10
1
2
0
10
1
1
10
10
2
1
0.4
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR4224的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
2
h
FE
I
C
200
V
CE
= 10 V
300
I
C
/ I
B
=
10
250
正向电流传输比H
FE
T
a
=
75°C
150
25°C
集电极电流I
C
(MA )
10
200
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
25°C
100
150
1
T
a
=
75°C
25°C
100
10
1
25°C
10
2
50
50
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
0
1
10
10
2
10
3
0
2
4
6
8
10
12
1
10
10
2
10
3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
4
SJH00021BED
UNR4221/4222/4223/4224
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
12
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
10
3
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
输出电流I
O
(A)
10
3
8
5
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
2
10
4
10
1
2
0
10
1
1
10
10
2
1
0.4
10
1
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
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