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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第272页 > UNR2114
晶体管具有内置电阻
UNR211x系列
（ UN211x系列）
PNP硅外延平面型
单位：mm
对于数字电路
■
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
迷你型封装允许通过简单的磁带自动插入
包装及包装杂志
1
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
■
电阻产品型号
UNR2110
UNR2111
UNR2112
UNR2113
UNR2114
UNR2115
UNR2116
UNR2117
UNR2118
UNR2119
UNR211D
UNR211E
UNR211F
UNR211H
UNR211L
UNR211M
UNR211N
UNR211T
UNR211V
UNR211Z
标记符号（R
1
)
(UN2110)
6L
47 k
(UN2111)
6A
10 k
(UN2112)
6B
22 k
(UN2113)
6C
47 k
(UN2114)
6D
10 k
(UN2115)
6E
10 k
(UN2116)
6F
4.7 k
(UN2117)
6H
22 k
(UN2118)
6I
0.51 k
(UN2119)
6K
1 k
(UN211D)
6M
47 k
(UN211E)
6N
47 k
(UN211F)
6O
4.7 k
(UN211H)
6P
2.2 k
(UN211L)
6Q
4.7 k
（ UN211M ） EI
2.2 k
(UN211N)
EW
4.7 k
(UN211T)
EY
22 k
(UN211V)
FC
2.2 k
(UN211Z)
FE
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
10 k
4.7 k
47 k
47 k
47 k
2.2 k
22 k
10
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 59
Mini3 -G1封装
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
200
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年12月
SJH00006CED
0-0.1
0.4
±0.2
5
1
UNR211x系列
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基
UNR2110/2115/2116/2117
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
民
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
6
20
30
35
60
60
80
80
160
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
I
C
= 10
妈，我
B
=
0.3毫安
I
C
= 10
妈，我
B
= 1.5
mA
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 10
V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 6
V ，R
L
=
1 k
f
T
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
2毫安，女
=
200兆赫
R
1
30%
80
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
+30%
k
兆赫
4.9
0.2
V
V
400
460
0.25
V
200
20
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR2113
（集电极开路） UNR2112 / 2114 / 211D /
211E/211M/211N/211T
UNR211Z
UNR2111
UNR211F/211H
UNR2119
UNR2118/211L/211V
正向电流UNR211V
传输比
UNR2118/211L
UNR2119/211D/211F/211H
UNR2111
UNUNR2112/211E
UNR211Z
UNR2113/2114/211M
UNR211N/211T
UNR2110
*
/2115
*
/2116
*
/2117
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR211V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR2113
UNR211D
UNR211E
跃迁频率
UNR2114/2119/211E
211F/211H
输入阻抗
UNR2118
UNR2119
UNR211H/211M/211V
UNR2116/211F/211L/211N/211Z
UNR2111/2114/2115
UNR2112/2117/211T
UNR2110/2113/211D/211E
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
无秩
160 460
2
SJH00006CED
UNR211x系列
■
电气特性（续）
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻比UNR211M
UNR211N
UNR2118/2119
UNR211Z
UNR2114
UNR211H
UNR211T
UNR211F
UNR211V
UNR2111/2112/2113/211L
UNR211E
UNR211D
0.8
1.70
3.7
0.37
0.17
0.17
0.08
符号
R
1
/R
2
条件
民
典型值
0.047
0.1
0.10
0.21
0.21
0.22
0.47
0.47
1.0
1.0
2.14
4.7
1.2
2.60
5.7
0.57
0.25
0.27
0.12
最大
单位
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(°C)
UNR2110的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
100
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
60
0.2毫安
0.1毫安
20
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
=
–10 V
120
10
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
T
a
=
75°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
200
25°C
25°C
40
100
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00006CED
3
UNR211x系列
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2111的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
160
I
B
= 1.0
mA
T
a
=
25°C
100
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
160
V
CE
= 10
V
T
a
=
75°C
0.9毫安
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
120
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
10
25°C
120
25°C
80
80
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
40
0.2毫安
0.1毫安
40
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0.01
0.1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
SJH00006CED
UNR211x系列
UNR2112的特性图
I
C
V
CE
I
B
= 1.0
mA
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
80
0.4mA
0.3mA
40
0.2mA
0.1mA
0
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10
V
160
集电极电流I
C
（MA ）
120
10
正向电流传输比H
FE
300
1
25°C
0.1
25°C
T
a
= 75°C
T
a
= 75°C
200
25°C
25°C
100
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
IN
I
O
V
O
=
5
V
T
a
= 25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2113的特性图
I
C
V
CE
I
B
= 1.0
mA
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10
V
160
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
40
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
8
10
12
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
100
0
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00006CED
5
晶体管具有内置电阻
UNR211x系列
（ UN211x系列）
PNP硅外延平面型
单位：mm
对于数字电路
■
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
迷你型封装允许通过简单的磁带自动插入
包装及包装杂志
1
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
■
电阻产品型号
UNR2110
UNR2111
UNR2112
UNR2113
UNR2114
UNR2115
UNR2116
UNR2117
UNR2118
UNR2119
UNR211D
UNR211E
UNR211F
UNR211H
UNR211L
UNR211M
UNR211N
UNR211T
UNR211V
UNR211Z
标记符号（R
1
)
(UN2110)
6L
47 k
(UN2111)
6A
10 k
(UN2112)
6B
22 k
(UN2113)
6C
47 k
(UN2114)
6D
10 k
(UN2115)
6E
10 k
(UN2116)
6F
4.7 k
(UN2117)
6H
22 k
(UN2118)
6I
0.51 k
(UN2119)
6K
1 k
(UN211D)
6M
47 k
(UN211E)
6N
47 k
(UN211F)
6O
4.7 k
(UN211H)
6P
2.2 k
(UN211L)
6Q
4.7 k
（ UN211M ） EI
2.2 k
(UN211N)
EW
4.7 k
(UN211T)
EY
22 k
(UN211V)
FC
2.2 k
(UN211Z)
FE
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
10 k
4.7 k
47 k
47 k
47 k
2.2 k
22 k
10
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 59
Mini3 -G1封装
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
200
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年12月
SJH00006CED
0-0.1
0.4
±0.2
5
1
UNR211x系列
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基
UNR2110/2115/2116/2117
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
民
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
= 10
V，I
C
= 5
mA
6
20
30
35
60
60
80
80
160
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
I
C
= 10
妈，我
B
=
0.3毫安
I
C
= 10
妈，我
B
= 1.5
mA
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 10
V ，R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 6
V ，R
L
=
1 k
f
T
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
2毫安，女
=
200兆赫
R
1
30%
80
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
+30%
k
兆赫
4.9
0.2
V
V
400
460
0.25
V
200
20
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR2113
（集电极开路） UNR2112 / 2114 / 211D /
211E/211M/211N/211T
UNR211Z
UNR2111
UNR211F/211H
UNR2119
UNR2118/211L/211V
正向电流UNR211V
传输比
UNR2118/211L
UNR2119/211D/211F/211H
UNR2111
UNUNR2112/211E
UNR211Z
UNR2113/2114/211M
UNR211N/211T
UNR2110
*
/2115
*
/2116
*
/2117
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR211V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR2113
UNR211D
UNR211E
跃迁频率
UNR2114/2119/211E
211F/211H
输入阻抗
UNR2118
UNR2119
UNR211H/211M/211V
UNR2116/211F/211L/211N/211Z
UNR2111/2114/2115
UNR2112/2117/211T
UNR2110/2113/211D/211E
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
无秩
160 460
2
SJH00006CED
UNR211x系列
■
电气特性（续）
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻比UNR211M
UNR211N
UNR2118/2119
UNR211Z
UNR2114
UNR211H
UNR211T
UNR211F
UNR211V
UNR2111/2112/2113/211L
UNR211E
UNR211D
0.8
1.70
3.7
0.37
0.17
0.17
0.08
符号
R
1
/R
2
条件
民
典型值
0.047
0.1
0.10
0.21
0.21
0.22
0.47
0.47
1.0
1.0
2.14
4.7
1.2
2.60
5.7
0.57
0.25
0.27
0.12
最大
单位
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(°C)
UNR2110的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
= 1.0
mA
0.9毫安
100
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
60
0.2毫安
0.1毫安
20
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
=
–10 V
120
10
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
T
a
=
75°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
200
25°C
25°C
40
100
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00006CED
3
UNR211x系列
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2111的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
160
I
B
= 1.0
mA
T
a
=
25°C
100
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
160
V
CE
= 10
V
T
a
=
75°C
0.9毫安
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
120
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
10
25°C
120
25°C
80
80
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
40
0.2毫安
0.1毫安
40
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0.01
0.1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
SJH00006CED
UNR211x系列
UNR2112的特性图
I
C
V
CE
I
B
= 1.0
mA
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
80
0.4mA
0.3mA
40
0.2mA
0.1mA
0
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10
V
160
集电极电流I
C
（MA ）
120
10
正向电流传输比H
FE
300
1
25°C
0.1
25°C
T
a
= 75°C
T
a
= 75°C
200
25°C
25°C
100
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
IN
I
O
V
O
=
5
V
T
a
= 25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
= 25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2113的特性图
I
C
V
CE
I
B
= 1.0
mA
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
= 10
V
160
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
80
0.4毫安
0.3毫安
40
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
8
10
12
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
100
0
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00006CED
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