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复合晶体管
UP03396
NPN硅外延平面型( Tr1的)
PNP硅外延平面型( TR2)
单位:mm
对于数字电路
5
(0.30)
4
0.20
–0.02
+0.05
0.10
±0.02
1.20
±0.05
两个元素合并到一个包
(晶体管具有内置电阻)
由一个半减少安装面积和装配成本的
1
1.00
±0.05
1.60
±0.05
基本型号
UNR111T
+
UNR1211
陈列在1号铅
0.55
±0.05
5
(0.20)
2
3
(0.50) (0.50)
5
(0.20)
特点
1.60
±0.05
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
Tr1
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
集电极 - 发射极电压
(基地开)
集电极电流
Tr2
集电极 - 基极电压
(发射极开路)
集电极 - 发射极电压
(基地开)
集电极电流
整体
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
50
50
100
125
125
55
to
+125
单位
V
V
mA
V
V
mA
mW
°C
°C
R2
10 k
1 :发射器( Tr1的)
2 :基地( Tr1的)
3 :发射器( TR2)
0至0.02
4 :收藏家( TR2)
5 :收藏家( Tr1的)
基地( TR2)
SSMini5 -F2套餐
标记符号: 6P
内部连接
(C1,B2)
5
(C2)
4
R1
22 k
Tr1
R1
Tr2
R2
47 k
1
(E1)
2
10 k
3
(B1), ( E2)的
0.10最大
出版日期: 2004年8月
SJJ00295AED
1
UP03396
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
Tr1
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
=
10 V,I
E
= 2
毫安,女
=
200兆赫
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
CE
=
50 V,I
B
=
0
V
EB
=
6 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安,我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ,R
L
=
1 k
30%
0.8
10
1.0
150
4.9
0.2
+30%
1.2
35
0.25
50
50
0.1
0.5
0.5
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
Tr2
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
= 10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
V
CB
= 50
V,I
E
=
0
V
CE
= 50
V,I
B
=
0
V
EB
= 6
V,I
C
=
0
V
CE
= 10
V,I
C
= 5
mA
I
C
= 10
妈,我
B
=
0.3毫安
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
= 5
V, V
B
= 2.5
V ,R
L
=
1 k
30%
22
0.47
80
4.9
0.2
+30%
80
50
50
0.1
0.5
0.2
400
0.25
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
注)的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
150
总功耗P
T
( mW)的
125
100
75
50
25
0
0
40
80
120
环境温度T
a
(
°C
)
2
SJJ00295AED
UP03396
Tr1的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
0.9毫安
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
1
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
300
V
CE
=
10 V
T
a
=
85°C
160
I
B
=
1.0毫安
0.5毫安
0.4毫安
80
0.3毫安
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
0.8毫安
0.7毫安
120 0.6毫安
250
25°C
200
0.1
T
a
=
85°C
150
25°C
100
40
0.2毫安
25°C
25°C
0.01
1
10
100
50
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0.1
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
10
F = 1 MHz的
T
a
= 25°C
100
1 000
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
输出电流I
O
(MA )
输入电压V
IN
(V)
10
10
1
1
1
0
10
20
30
40
0.1
1
2
3
4
5
0.1
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJJ00295AED
3
UP03396
Tr2的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
140
0.9毫安
120
0.8毫安
0.7毫安
100
80
60
40
20
0
T
a
=
25°C
10
I
B
= 1.0
mA
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
250
V
CE
= 10
V
T
a
=
85°C
25°C
25°C
150
正向电流传输比H
FE
100
200
集电极电流I
C
(MA )
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
1
0.1
T
a
=
85°C
100
25°C
25°C
50
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
0
0.1
1
10
100
1
000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
10
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
10
V
O
= 5
V
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
输出电流I
O
(MA )
输入电压V
IN
(V)
1
10
1
0.1
1
0.1
0
10
20
30
40
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
0.1
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
4
SJJ00295AED
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下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
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化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
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和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
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2003年九月
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