晶体管具有内置电阻
UN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/6118/
6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L
PNP硅外延平面晶体管
对于数字电路
单位：mm
6.9±0.1
1.05 2.5±0.1
(1.45)
±0.05
0.8
q
s
电阻产品型号
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
0.45
–0.05
+0.1
UN6111
UN6112
UN6113
UN6114
UN6115
UN6116
UN6117
UN6118
UN6119
UN6110
UN611D
UN611E
UN611F
UN611H
UN611L
(R
1
)
10k
22k
47k
10k
10k
4.7k
22k
0.51k
1k
47k
47k
47k
4.7k
2.2k
4.7k
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
—
—
—
5.1k
10k
—
10k
22k
10k
10k
4.7k
1
2
3
0.45
–0.05
2.5±0.5
2.5±0.5
+0.1
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT - 1型封装
内部连接
R1
2.5±0.1
C
B
R2
E
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–50
–50
–100
400
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
14.5±0.5
q
0.85
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
MT - 1型封装，使电源与径向录音。
0.65最大。
1.0
3.5±0.1
0.8
s
特点
0.15
0.7
4.0
1
晶体管具有内置电阻
UN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/
6118/6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN6111
UN6112/6114/611E/611D
辐射源
截止
当前
UN6113
UN6115/6116/6117/6110
UN611F/611H
UN6119
UN6118/611L
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
UN6111
UN6112/611E
前锋
当前
转让
比
UN6113/6114
UN6115*/6116*/6117*/6110*
UN611F/611D/6119/611H
UN6118/611L
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
UN6113
UN611D
UN611E
跃迁频率
UN6111/6114/6115
UN6112/6117
输入
电阻
tance
UN6113/6110/611D/611E
UN6116/611F/611L
UN6118
UN6119
UN611H
UN6111/6112/6113/611L
UN6114
电阻
tance
比
UN6118/6119
UN611D
UN611E
UN611F
UN611H
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
条件
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
民
典型值
最大
– 0.1
– 0.5
– 0.5
– 0.2
– 0.1
I
EBO
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
– 0.01
–1.0
–1.5
–2.0
V
CBO
V
首席执行官
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
–50
–50
35
60
h
FE
V
CE
= -10V ，我
C
= -5mA
80
160
30
20
V
CE （ SAT ）
V
OH
I
C
= -10mA ，我
B
= - 0.3毫安
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= -2.5V ，R
L
= 1k
V
OL
V
CC
= –5V, V
B
= -3.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= ± 10V ，R
L
= 1k
V
CC
= –5V, V
B
= -6V ，R
L
= 1k
f
T
V
CB
= -10V ，我
E
= 1mA时， F = 200MHz的
80
10
22
47
R
1
(–30%)
4.7
0.51
1
2.2
0.8
0.17
0.08
R
1
/R
2
3.7
1.7
0.37
0.17
1.0
0.21
0.1
4.7
2.14
0.47
0.22
1.2
0.25
0.12
5.7
2.6
0.57
0.27
(+30%)
k
–4.9
– 0.2
– 0.2
– 0.2
– 0.2
兆赫
V
– 0.25
V
V
460
V
V
mA
单位
A
A
* h
FE
等级分类（ UN6115 / 6116 /六千一百一十分之六千一百十七）
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
2
晶体管具有内置电阻
共同的特征图
P
T
- TA
500
UN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/
6118/6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
UN6111的特性图
I
C
— V
CE
–160
–140
I
B
=–1.0mA
Ta=25C
–100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
160
V
CE
= –10V
h
FE
— I
C
Ta=75C
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–25C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
Ta=75C
集电极电流I
C
（MA ）
–0.9mA
–120
–100
–80
–60
–0.3mA
–40
–0.2mA
–20
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
正向电流传输比H
FE
25C
120
–25C
80
25C
40
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
= –0.2V
Ta=25C
–10000
–3000
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
3
2
1
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
3
晶体管具有内置电阻
UN6112的特性图
I
C
— V
CE
–160
–140
Ta=25C
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–80
–60
–40
–20
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
–0.1mA
–100
UN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/
6118/6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
400
V
CE
= –10V
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–25C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
–120
–100
300
Ta=75C
200
25C
–25C
100
25C
Ta=75C
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–10000
–3000
V
O
=–5V
Ta=25C
V
IN
— I
O
–100
–30
V
O
=–0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
3
2
1
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN6113的特性图
I
C
— V
CE
–160
I
B
=–1.0mA
–140
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
= –10V
Ta=25C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
–120
–100
–80
–60
–40
–20
0
0
–2
–4
–6
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–25C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
Ta=75C
正向电流传输比H
FE
300
Ta=75C
25C
200
–25C
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
25C
100
–0.1mA
–8
–10
–12
–1
–3
–10
–30
–100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
4
晶体管具有内置电阻
C
ob
— V
CB
6
UN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/
6118/6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
= –0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–10000
–3000
输出电流I
O
(
A
)
4
–300
–100
–30
–10
–3
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
3
2
1
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN6114的特性图
I
C
— V
CE
–160
–100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
400
h
FE
— I
C
V
CE
= –10V
I
B
=–1.0mA
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–25C
–0.01
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
25C
Ta=75C
集电极电流I
C
（MA ）
–120
–100
–80
–60
–40
–20
0
0
–2
–4
–6
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
–0.1mA
正向电流传输比H
FE
–140
300
Ta=75C
200
25C
–25C
100
–8
–10
–12
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–10000
–3000
V
O
=–5V
Ta=25C
–1000
–300
V
IN
— I
O
V
O
= –0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–100
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.1 –0.3
3
2
1
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
5
QQ：2880707522 复制
