晶体管具有内置电阻
UN5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
521D/521E/521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z
NPN硅外延平面晶体管
对于数字电路
2.1±0.1
单位：mm
s
特点
0.65
0.425
1.25±0.1
0.425
1
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65
q
3
2
0.9±0.1
0-0.1
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
标记符号（R
1
)
UN5211
8A
10k
UN5212
8B
22k
UN5213
8C
47k
UN5214
8D
10k
UN5215
8E
10k
UN5216
8F
4.7k
UN5217
8H
22k
UN5218
8I
0.51k
UN5219
8K
1k
UN5210
8L
47k
UN521D
8M
47k
UN521E
8N
47k
UN521F
8O
4.7k
UN521K
8P
10k
UN521L
8Q
4.7k
UN521M
EL
2.2k
UN521N
EX
4.7k
UN521T
EZ
22k
UN521V
FD
2.2k
UN521Z
FF
4.7k
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
—
—
—
5.1k
10k
—
10k
22k
10k
4.7k
4.7k
47k
47k
47k
2.2k
22k
0.7±0.1
0.2±0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 70
S-迷你型包装
内部连接
R1
C
B
R2
E
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
50
50
100
150
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
0.15
-0.05
+0.1
s
电阻产品型号
0.2
0.3
-0
q
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
S-迷你型封装，可通过带自动插入
包装和杂志的包装。
+0.1
1
UN5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
晶体管具有内置电阻器521d中/ 521e中/ 521F / 521K / 521L / 521M / 521N / 521T / 521V / 521Z
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN5211
UN5212/5214/521E/521D/521M/521N/521T
UN5213
辐射源
截止
当前
UN5215/5216/5217/5210
UN521F/521K
UN5219
UN5218/521L/521V
UN521Z
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
UN5211
UN5212/521E
UN5213/5214/521M
前锋
当前
转让
比
UN5215*/5216*/5217*/5210*
UN521F/521D/5219
UN5218/521K/521L
UN521N/521T
UN521V
UN521Z
集电极到发射极饱和电压
UN521V
输出电压较高水平
输出电压低的水平
UN5213/521K
UN521D
UN521E
跃迁频率
UN5211/5214/5215/521K
UN5212/5217/521T
输入
电阻
tance
UN5213/521D/521E/5210
UN5216/521F/521L/521N/521Z
UN5218
UN5219
UN521M/521V
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
民
典型值
最大
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
I
EBO
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
0.01
1.0
1.5
2.0
0.4
V
CBO
V
首席执行官
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
50
50
35
60
80
160
h
FE
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
30
20
80
6
60
V
CE （ SAT ）
V
OH
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.5毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ，R
L
= 1k
V
OL
V
OC
= 5V, V
B
= 3.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 10V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 6V ，R
L
= 1k
f
T
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
150
10
22
47
R
1
(–30%)
4.7
0.51
1
2.2
(+30%)
k
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
兆赫
V
400
20
200
0.25
0.25
V
V
V
460
V
V
mA
单位
A
A
* h
FE
等级分类（ UN5125 / 5216 /五千二百一十分之五千二百十七）
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
2
UN5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
晶体管具有内置电阻器521d中/ 521e中/ 521F / 521K / 521L / 521M / 521N / 521T / 521V / 521Z
s
电气特性（续）
参数
UN5211/5212/5213/521L
UN5214
UN5218/5219
UN521D
电阻
tance
比
UN521E
UN521F/521T
UN521K
UN521M
UN521N
UN521V
UN521Z
R
1
/R
2
符号
(Ta=25C)
条件
民
0.8
0.17
0.08
典型值
1.0
0.21
0.1
4.7
2.14
0.47
2.13
0.047
0.1
1.0
0.21
最大
1.2
0.25
0.12
单位
3
UN5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
晶体管具有内置电阻器521d中/ 521e中/ 521F / 521K / 521L / 521M / 521N / 521T / 521V / 521Z
共同的特征图
P
T
- TA
240
总功耗P
T
（ mW）的
200
160
120
80
40
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
UN5211的特性图
I
C
— V
CE
160
100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
400
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
30
10
3
1
0.3
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
120
100
80
60
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
正向电流传输比H
FE
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
集电极电流I
C
（MA ）
300
Ta=75C
200
25C
100
–25C
0.2mA
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
25C
Ta=75C
0.1mA
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
300
100
30
10
3
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
UN5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
晶体管具有内置电阻器521d中/ 521e中/ 521F / 521K / 521L / 521M / 521N / 521T / 521V / 521Z
UN5212的特性图
I
C
— V
CE
160
V
CE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=10V
Ta=25C
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
120
100
80
0.3mA
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
30
10
3
1
0.3
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
Ta=75C
200
25C
–25C
25C
Ta=75C
100
0.1mA
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN5213的特性图
I
C
— V
CE
160
100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
400
Ta=25C
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
集电极电流I
C
（MA ）
120
100
80
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
0.03
0.01
0.1
–25C
Ta=75C
正向电流传输比H
FE
140
I
B
=1.0mA
350
300
250
200
150
100
50
0
Ta=75C
25C
–25C
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
0.1mA
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
5
QQ：2881677436 复制
