晶体管具有内置电阻
UN4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/4218/
4219/4210/421D/421E/421F/421K/421L
NPN硅外延平面晶体管
对于数字电路
4.0±0.2
3.0±0.2
单位：mm
s
特点
q
q
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
新的S型封装，使电源与径向录音。
1
2
3
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
UN4211
UN4212
UN4213
UN4214
UN4215
UN4216
UN4217
UN4218
UN4219
UN4210
UN421D
UN421E
UN421F
UN421K
UN421L
(R
1
)
10k
22k
47k
10k
10k
4.7k
22k
0.51k
1k
47k
47k
47k
4.7k
10k
4.7k
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
—
—
—
5.1k
10k
—
10k
22k
10k
4.7k
4.7k
1.27 1.27
2.54±0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
新的S型套餐
内部连接
R1
2.0±0.2
s
电阻产品型号
0.7±0.1
记号
+0.2
0.45–0.1
15.6±0.5
C
B
R2
E
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
50
50
100
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
1
晶体管具有内置电阻
UN4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/
4218/4219/4210/421D/421E/421F/421K/421L
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN4211
UN4212/4214/421E/421D
UN4213
辐射源
截止
当前
UN4215/4216/4217/4210
UN421F/421K
UN4219
UN4218/421L
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
UN4211
前锋
当前
转让
比
UN4212/421E
UN4213/4214
UN4215*/4216*/4217*/4210*
UN421F/421D/4219
UN4218/421K/421L
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
UN4213/421K
UN421D
UN421E
跃迁频率
UN4211/4214/4215/421K
UN4212/4217
输入
电阻
tance
UN4213/421D/421E/4210
UN4216/421F/421L
UN4218
UN4219
UN4211/4212/4213/421L
UN4214
电阻
tance
比
UN4218/4219
UN421D
UN421E
UN421F
UN421K
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
民
典型值
最大
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
I
EBO
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
0.01
1.0
1.5
2.0
V
CBO
V
首席执行官
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
50
50
35
60
h
FE
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
80
160
30
20
V
CE （ SAT ）
V
OH
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ，R
L
= 1k
V
OL
V
CC
= 5V, V
B
= 3.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 10V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 6V ，R
L
= 1k
f
T
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
150
10
22
R
1
(–30%)
47
4.7
0.51
1
0.8
0.17
0.08
R
1
/R
2
3.7
1.7
0.37
1.7
1.0
0.21
0.1
4.7
2.14
0.47
2.13
1.2
0.25
0.12
5.7
2.6
0.57
2.6
(+30%)
k
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
兆赫
V
0.25
V
V
460
V
V
mA
单位
A
A
* h
FE
等级分类（ UN4215 / 4216 / 4210分之4217 ）
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
2
晶体管具有内置电阻
共同的特征图
P
T
- TA
400
UN4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/
4218/4219/4210/421D/421E/421F/421K/421L
总功耗P
T
（ mW）的
350
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
UN4211的特性图
I
C
— V
CE
160
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
Ta=25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
30
10
3
1
0.3
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
120
100
80
60
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
Ta=75C
200
25C
100
–25C
0.2mA
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
25C
Ta=75C
0.1mA
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
300
100
30
10
3
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V )
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
3
晶体管具有内置电阻
UN4212的特性图
I
C
— V
CE
160
UN4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/
4218/4219/4210/421D/421E/421F/421K/421L
V
CE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=10V
Ta=25C
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
120
100
80
0.3mA
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
30
10
3
1
0.3
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
Ta=75C
200
25C
–25C
25C
Ta=75C
100
0.1mA
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN4213的特性图
I
C
— V
CE
160
100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
400
Ta=25C
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
集电极电流I
C
（MA ）
120
100
80
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
0.03
0.01
0.1
–25C
Ta=75C
正向电流传输比H
FE
140
I
B
=1.0mA
350
300
250
200
150
100
50
0
Ta=75C
25C
–25C
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
0.1mA
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
4
晶体管具有内置电阻
C
ob
— V
CB
6
UN4211/4212/4213/4214/4215/4216/4217/
4218/4219/4210/421D/421E/421F/421K/421L
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN4214的特性图
I
C
— V
CE
160
100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
400
V
CE
=10V
30
10
3
1
0.3
Ta=75C
0.1
0.03
0.01
0.1
25C
I
B
=1.0mA
集电极电流I
C
（MA ）
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
正向电流传输比H
FE
140
350
300
250
200
25C
150
–25C
100
50
0
Ta=75C
0.2mA
0.1mA
10
12
–25C
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
10000
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
3000
I
O
— V
IN
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
5
QQ：2881677436 复制
